[发明专利]一种检测并定位异常MOSFET的方法、系统、设备及介质有效
| 申请号： | 202010130096.9 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111352014B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 陈律言 | 申请（专利权）人： | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 刘小峰 |
| 地址： | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测并定位异常MOSFET的方法、系统、设备和存储介质，方法包括以下步骤：响应于接收到输入电压升高信号，判断是否存在MOSFET输出电压；响应于存在MOSFET输出电压，控制所有MOSFET处于关闭状态，并实时比较MOSFET输出电压和MOSFET输入电压的大小；响应于MOSFET输出电压小于MOSFET输入电压，读取每个MOSFET流过的电流值并与阈值进行比较；以及响应于存在MOSFET的电流值超过阈值，将MOSFET确定为异常MOSFET。本发明提出的检测并定位异常MOSFET的方法、系统、设备及介质通过实时比较MOSFET输出电压和MOSFET输入电压的大小，能够及时确定MOSFET是否存在异常，并能根据电流对异常MOSFET进行定位。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 定位 异常 mosfet 方法 系统 设备 介质 | ||
【主权项】：
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