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[发明专利]绝缘体-金属结构中的铪基或锆基氧化物的快速再结晶-CN201910608841.3有效
发明人： M·M·弗兰克;李锦良;E·A·卡蒂埃;V·纳拉亚南;J·弗姆派瑞;S·亚博尔;O·格鲁申克夫;H·贾甘纳坦 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及绝缘体‑金属结构中的铪基或锆基氧化物的快速再结晶。一种用于将包括IV型过渡金属的电介质材料转变成结晶材料的方法，该方法包括：在支撑衬底上形成包括IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料，作为具有微尺度或更小的尺度的电气器件的组件；以及通过暴露于能量小于100毫秒并且在一些情况下小于10微秒的持续时间，将包括IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料转变成结晶的晶体结构。得到的材料完全结晶或部分结晶，并且包含亚稳铁电相，诸如空间群Pca21或Pmn21的极性斜方晶相。在转变成结晶的晶体结构期间，电气器件的相邻定位的组件不被损坏。
绝缘体金属结构中的氧化物快速再结晶

[发明专利]挤奶装置-CN202180054080.7在审
发明人： B·范艾登;M·M·弗兰克 -专利权人：莱利专利股份有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： A01J11/06 文献下载
摘要：一种挤奶装置设有：挤奶工具；控制单元；奶管线，该奶管线用于将来自该挤奶工具的奶输送至奶罐；奶过滤器，该奶过滤器用于对通过该奶管线的奶进行过滤；以及清洁装置，该清洁装置用于使用清洁液对该奶过滤器进行清洁。该奶过滤器包括：壳体，该壳体包围过滤容积并且具有奶入口和奶出口；以及该过滤容积中的过滤部件。该过滤部件包括圆周板部分，该圆周板部分具有过滤孔，并且该过滤部件将过滤容积分成中心内过滤容积和包围该中心内过滤容积的外过滤容积。该奶过滤器被配置成在使用中由要被过滤的奶、从奶入口至奶出口进行冲刷。该清洁装置被配置成通过使清洁液沿逆流方向以相继脉冲通过奶过滤器来对该奶过滤器进行清洁，其方式为使得：在每个脉冲中，在第一脉冲阶段期间，供应的清洁液多于排放的清洁液；并且随后，在第二脉冲阶段期间，至少供应与从过滤容积流出的清洁液等量的清洁液。其结果是，过滤容积中收集到的清洁液的量升至包围多个孔中的至少一些孔的液体液面。下一个脉冲使得清洁液与该液体液面撞击，从而改进对该过滤器的清洁。
挤奶装置

[发明专利]具有奶过滤器的挤奶设备-CN202180054076.0在审
发明人： B·范艾登;M·M·弗兰克;G·莫斯特尔特 -专利权人：莱利专利股份有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： A01J7/02 文献下载
摘要：一种用于给乳畜挤奶的挤奶设备设置有挤奶装置、控制系统、用于将来自挤奶装置的奶运输到奶罐的奶管道、奶过滤器、以及清洁设备。清洁设备包括至少一个清洁流体容器、用于对清洁流体容器中的清洁流体进行加热的加热设备、用于添加剂的添加剂储存容器、用于将添加剂以受控方式添加到清洁流体的添加剂添加设备、以及用于调节清洁流体和添加剂通过挤奶设备的流动的阀系统。清洁设备被配置用于利用以下方式进行挤奶设备的清洁循环：用冷水或温水进行预冲洗、用经过加热的水以及酸性或碱性添加剂进行热冲洗、后冲洗、以及至少介于热冲洗与后冲洗之间的逆流清洁步骤，逆流清洁步骤使清洁流体逆流地穿过奶过滤器。因此，提供了一种挤奶设备，包括奶过滤器的整个挤奶设备可以自动地进行清洁。特别地，因为逆流清洁是在热冲洗步骤之后进行的，所以可以特别是从奶过滤器中更好地去除由此软化的污垢和奶渣。
具有过滤器挤奶设备

[发明专利]亚化学计量金属氧化物薄膜-CN202080049144.X在审
发明人： J·罗泽恩;M·M·弗兰克;小川洋平 -专利权人：国际商业机器公司;株式会社爱发科
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：一种沉积亚化学计量金属氧化物的方法，该方法包括：选择包含金属和第一配体的第一前体；选择包含金属和第二配体的第二前体；在原子层沉积循环的第一脉冲期间将衬底(102)暴露于第一前体；在原子层沉积循环的第二脉冲期间将衬底(102)暴露于第二前体，第二脉冲在第一脉冲之后直接发生；在原子层沉积循环的第三脉冲期间将衬底(102)暴露于氧化剂。
化学计量金属氧化物薄膜

[发明专利]用于制造场效应晶体管器件的方法-CN201310628242.0无效
发明人： L·F·艾杰;M·M·弗兰克;B·S·哈伦;A·英拿达;S·K·卡纳卡萨巴帕西;A·科努尔;V·纳拉亚南;V·K·帕鲁楚利;徐顺天 -专利权人：国际商业机器公司;格罗方德半导体股份有限公司;瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于制造场效应晶体管器件的方法，包括：在基底上图案化鳍部，在布置在基底上的一部分鳍部和一部分绝缘层上方图案化栅叠层，在栅叠层、一部分鳍部及一部分绝缘层上方形成保护屏障，保护屏障包封栅叠层，第二绝缘层在部分鳍部和保护屏障上方沉积，执行第一蚀刻过程以便选择性地去除部分第二绝缘层而无需显著去除保护屏障以便限定空腔，所述空腔暴露鳍部的部分源区和漏区，并且导电材料在空腔内沉积。
用于制造场效应晶体管器件方法

[发明专利]高K金属栅极P-型MOSFET的低阈值电压和反转氧化物厚度按比例缩小-CN201280037577.9在审
发明人：安藤崇志;崔畅桓;M·M·弗兰克;权彦五;V·纳拉亚南 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：一种结构具有半导体衬底（8）以及置于所述衬底（8）上的nFET和pFET。所述pFET具有形成在半导体衬底（8）的表面上或内的半导体SiGe沟道区、以及具有覆盖在所述沟道区上的氧化物层（20）和覆盖在所述氧化物层（20）上的高k电介质层（30）的栅极电介质。栅极电极覆盖栅极电介质并且具有邻接所述高k层的下金属层（40）、邻接所述下金属层（40）的清除金属层（50）以及邻接所述清除金属层（50）的上金属层（60）。
金属栅极 mosfet 阈值电压反转氧化物厚度按比例缩小

[发明专利]带有压电或铁电应力诱发垫的相变材料单元-CN201180059448.5有效
发明人： C·A·杜伯迪尤;M·M·弗兰克;B·拉耶恩德兰;A·G·施罗特 -专利权人：国际商业机器公司;国家科研中心
申请日： 2011-12-01 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：所揭示的一个示范性实施例是一种相变存储单元。这种存储单元包括相变材料和被定位成接近相变材料的换能件。相变材料是可在至少一个非晶状态与结晶状态之间转换的材料。换能件被配置成在相变材料从非晶状态被改变到结晶状态时激活。在一个特定实施例中，换能件是铁电材料。
带有压电应力诱发相变材料单元

[发明专利]导电化合物上的大晶粒低电阻率钨-CN201280011970.0无效
发明人： S·L·布朗;J·布吕莱;C·小卡布拉尔;S·卡勒伽里;M·M·弗兰克;M·A·古罗恩;M·霍普斯塔肯;V·纳拉亚南;K·黄洸汉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：层叠结构和半导体器件以及制造层叠结构和半导体器件的方法。该层叠结构包括：基底层，其包括含有氮化钛、氮化钽或它们的组合的材料；导电层，其包括含有氮化钽铝、氮化钛铝、氮化钽硅、氮化钛硅、氮化钽铪、氮化钛铪、氮化铪、碳化铪、碳化钽、氮化钒、氮化铌或它们的任何组合的材料；以及钨层。该半导体器件包括：半导体衬底；基底层；导电层；以及钨层。
导电化合物晶粒电阻率

[发明专利]通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性-CN201180016493.2有效
发明人： C·A·杜伯尔蒂欧;M·M·弗兰克 -专利权人：国际商业机器公司;国家科研中心
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性。一种控制集成电路设备部件铁电特性的方法，包括在衬底上成形铁电性可控的介电层；并且紧靠铁电性可控的介电层成形应力施加结构，从而通过应力施加结构在铁电性可控的介电层内引发基本单轴向的应变；其中铁电性可控的介电层包括以下中的一个或多个：铁电性氧化物层以及在没有施加应力时不会表现出铁电性质的通常无铁电性的材料层。
通过加工引发轴向应变控制薄膜铁电性

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201010205178.1有效
发明人：安藤崇志;崔畅桓;M·M·弗兰克;V·纳拉亚南 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。一种高k栅极电介质和金属栅极结构的叠层包括下金属层、清除金属层以及上金属层。该清除金属层满足以下两个标准：1)是其中反应Si+2/y MxOy→2x/y M+SiO2的吉布斯自由能变化为正性的金属(M)，2)是其用于形成氧化物的每氧原子吉布斯自由能与下金属层的材料和上金属层的材料相比负性更强的金属。当氧原子通过栅极电极而朝向高k栅极电介质扩散时，满足这些标准的清除金属层俘获这些氧原子。另外，清除金属层远程地减小位于高k电介质下方的氧化硅界面层的厚度。结果，减小了整个栅极电介质的等效氧化物厚度(EOT)，并且即使在CMOS集成期间的高温处理之后，场效应晶体管仍保持恒定的阈值电压。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]用于使用高K金属栅堆叠使能多V_t装置的方法-CN200880113646.3有效
发明人： M·M·弗兰克;A·库马尔;V·纳拉亚南;V·帕鲁丘里;J·斯雷特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-09-30 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提供了用于组合彼此具有不同阈值电压要求的晶体管的技术。在一方面，一种半导体装置包含：基板，其具有第一和第二nFET区域，以及第一和第二pFET区域；在基板上的位于第一nFET区域上方的逻辑nFET；在基板上的位于第一pFET区域上方的逻辑pFET；在基板上的位于第二nFET区域上方的SRAM nFET；以及在基板上的位于第二pFET区域上方的SRAM pFET，各自包含栅堆叠，所述栅堆叠具有位于高K层上方的金属层。逻辑nFET栅堆叠还包含覆盖层，将金属层与高K层分开，其中覆盖层还被配置为相对于逻辑pFET、SRAM nFET、以及SRAM pFET中的一个或更多个的阈值电压，偏移逻辑nFET的阈值电压。
用于使用金属堆叠使能多 sub 装置方法

[发明专利]具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法-CN201010004777.7有效
发明人：权彦五;S·A·克里施南;安藤孝;M·P·胡齐克;M·M·弗兰克;W·K·汉森;R·杰哈;梁越;V·纳拉亚南;R·拉马钱德兰;K·K·H·黄 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。
具有双金属栅极半导体器件以及制造方法

[发明专利]形成用于n-FET应用的HfSiN金属的方法-CN201010136612.5有效
发明人： A·C·卡勒伽里;M·M·弗兰克;R·詹米;D·L·拉赛;F·R·麦克菲力;S·扎法尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种包括HfSiN的化合物金属，所述HfSiN为具有约4.0至约4.5eV，优选约4.3eV的功函数的n型金属，在包括高k介质和界面层的栅极叠层上热稳定。此外，在高温(约1000℃的量级)下退火HfSiN/高k介质/界面层的叠层之后，存在对界面层的还原，由此栅极叠层产生非常小的等效氧化物厚度(典型的12)，这是使用TaSiN所不能获得的。
形成用于 fet 应用 hfsin 金属方法

[发明专利]具有双重阈值电压控制手段的低阈值电压半导体器件-CN200680039179.5有效
发明人： E·A·卡特;M·W·科佩尔;M·M·弗兰克;E·P·格塞夫;P·C·詹米森;R·加米;B·P·林德;V·纳拉亚南 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-10-12 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：一种半导体结构，具体为pFET，其包括具有大于SiO₂的介电常数的介电常数以及大于50％的Ge或Si含量的电介质材料，以及用于通过材料叠层设计而调节阈值/平带电压的至少一种其它手段。在本发明中考虑的其它手段包括例如利用在用于电荷固定的电介质上面的绝缘夹层和/或通过形成经设计的沟道区。本发明还涉及一种制造这样的CMOS结构的方法。
具有双重阈值电压控制手段半导体器件

[发明专利]阻挡层的选择性实施以实现在具有高k电介质的CMOS器件制造中的阈值电压控制-CN200580016189.2有效
发明人： N·A·小博亚尔祖克;C·小卡布拉尔;E·A·卡蒂尔;M·W·库珀;M·M·弗兰克;E·P·古塞夫;S·古哈;R·詹米;V·纳拉亚南;V·K·帕鲁许里 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：一种形成CMOS结构的方法以及由此制造的具有改善的阈值电压和平带电压稳定性的器件。本发明方法包括以下步骤：提供具有nFET区和pFET区的半导体衬底；在所述半导体衬底顶上形成电介质叠层，所述电介质叠层包括在高k栅极电介质顶上的绝缘中间层；从所述nFET区去除所述绝缘中间层，而不从所述pFET区去除所述绝缘中间层；以及提供在所述pFET区中的至少一个栅极叠层和在所述nFET区中的至少一个栅极叠层。所述绝缘中间层可以是AlN或AlO_xN_y。所述高k电介质可以是HfO₂、硅酸铪或氧氮化铪硅。所述绝缘中间层可以通过包括HCl/H₂O₂过氧化氢溶液的湿法蚀刻从所述nFET区去除。
阻挡选择性实施实现具有电介质 cmos 器件制造中的阈值电压控制

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