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[发明专利]树脂组合物、树脂膜、层叠体、覆盖膜、带树脂的铜箔、覆金属层叠板及电路基板-CN202080069299.X在审
发明人：中岛祥人;须藤芳树;柿坂康太;西山哲平;出合博之;田中睦人 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：一种树脂组合物，含有：(A)含有自四羧酸酐成分与二胺成分衍生的结构单元的热塑性树脂，所述二胺成分含有相对于所有二胺成分而为40摩尔％以上的以二聚酸的两个末端羧酸基被取代为一级氨基甲基或氨基而成的二聚物二胺为主要成分的二聚物二胺组合物；及(B)选自芳香族缩合磷酸酯、二氧化硅粒子、或液晶性高分子填料中的一种以上。
树脂组合层叠覆盖铜箔金属路基

[发明专利]树脂组合物、树脂膜及覆金属层叠板-CN202011446201.6在审
发明人：藤麻织人;出合博之;田中睦人 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明提供一种通过进一步改善将聚酰亚胺作为原料的树脂膜的介电特性，能够与电子设备的高频化对应的树脂组合物、树脂膜及覆金属层叠板。所述树脂组合物含有：包含聚酰胺酸或聚酰亚胺的有机化合物的固体成分、与二氧化硅粒子，所述树脂组合物中，相对于所述固体成分的总量及所述二氧化硅粒子的合计，二氧化硅粒子的含量为10重量％～85重量％的范围内，作为二氧化硅粒子整体，利用CuKα射线的X射线衍射分析光谱的2θ＝10°～90°的范围的源于方石英结晶相及石英结晶相的峰值的合计面积相对于源于SiO2的所有峰值面积的比例为20重量％以上。
树脂组合金属层叠

[发明专利]半导体密封材料用二氧化硅球形颗粒-CN201980075006.6在审
发明人：矢木克昌;斋藤道太;田中睦人;阿江正德;出合博之 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：提供二氧化硅颗粒以及二氧化硅球形颗粒，二氧化硅颗粒使最大粒径小粒径化，并且实现在现有技术中不可能的适当的流动性，该二氧化硅球形颗粒在用作散热片的填料时，实现优异的导热性和柔软性。二氧化硅球形颗粒的特征在于，观察通过光学测量拍摄的5μm以上的颗粒，从摄像中判定的粒径满足以下条件。条件：D99≦29μm、且10μm≦DmodeD99、且D99/Dmode≦1.5、且Dmode≦20μm。
半导体密封材料二氧化硅球形颗粒

[发明专利]树脂组合物、树脂膜及覆金属层叠板-CN202011170486.5在审
发明人：山田裕明;藤麻织人;王宏远;出合博之;田中睦人 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明提供一种在不会因添加无机填料而损害弯折性等机械特性的情况下实现介电特性的改善的树脂组合物、树脂膜及覆金属层叠板。一种树脂组合物，含有聚酰胺酸或聚酰亚胺、与球状二氧化硅粒子，通过利用激光衍射散射法的体积基准的粒度分布测定而获得的球状二氧化硅粒子的频度分布曲线满足：a)累计值成为50％的平均粒径D50为9.0μm～12.0μm的范围内、b)累计值成为90％的粒径D90为15μm～20μm的范围内、c)累计值成为100％的粒径D100为25μm以下，相对于聚酰胺酸或聚酰亚胺，球状二氧化硅粒子的含量为20体积％～65体积％的范围内。
树脂组合金属层叠

[发明专利]二氧化硅粒子、树脂组合物、树脂膜及覆金属层叠板-CN202011172087.2在审
发明人：王宏远;藤麻织人;平石克文;田中睦人;出合博之 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C08K7/18 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在不损害弯折性等机械特性的情况下实现介电特性的改善的二氧化硅粒子以及通过添加所述二氧化硅粒子而介电特性得到改善的树脂组合物、树脂膜及覆金属层叠板。二氧化硅粒子用于3GHz～20GHz的频率范围中，通过利用激光衍射散射法的体积基准的粒度分布测定而获得的频度分布曲线中的累计值成为50％的平均粒径D50为0.3μm～3μm的范围内，比表面积为超过5m2/g且为20m2/g以下的范围内，利用共振腔微扰法所测定的介电损耗角正切为0.004以下。树脂组合物含有所述二氧化硅粒子、与聚酰胺酸或聚酰亚胺，相对于聚酰胺酸或聚酰亚胺，二氧化硅粒子的含量为30体积％～70体积％的范围内。
二氧化硅粒子树脂组合金属层叠

[发明专利]半导体装置用接合线-CN201710593376.1有效
发明人：小山田哲哉;宇野智裕;出合博之;小田大造 -专利权人：日铁化学材料株式会社;日铁新材料股份有限公司
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线，其特征在于，由总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上、以及其余量构成，所述其余量为Ag和不可避免的杂质。
半导体装置接合

[发明专利]半导体装置用接合线-CN202010200779.7在审
发明人：小山田哲哉;宇野智裕;出合博之 -专利权人：日铁化学材料株式会社;日铁新材料股份有限公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种改善球接合部的接合可靠性、球形成性，并适合于车载用装置的半导体装置用接合线。一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有Cu合金芯材、和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，所述Cu合金芯材包含Ni，相对于线整体，Ni的浓度为0.1～1.2重量％，所述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。
半导体装置接合

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201680008802.4有效
发明人：中林正史;小岛清;出合博之;下村光太;永畑幸雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种利用升华再结晶法的SiC单晶的制造方法，其更加正确地检测出坩埚内的原料的加热状态，可以在控制生长条件的同时制造SiC单晶。所述方法的特征在于，为了得到在感应加热线圈上流通的高频电流，其具有：将交流电流转换成直流电流的转换器装置和将从转换器装置输出的直流电流进行高频转换而得到高频电流的逆变器装置，预先把握下述直流等效电阻值(DCV/DCI)的经时变化与在生长后的碳化硅单晶上形成的微管密度的关系，上述直流等效电阻值(DCV/DCI)通过在碳化硅单晶生长时的由所述转换器装置转换的直流电压值(DCV)和直流电流值(DCI)来算出，基于所述预先把握的直流等效电阻值与微管密度的关系，调节所述转换器装置的DCV或者DCI中的至少一者。
碳化硅制造方法

[发明专利]半导体装置用接合线-CN201580001736.3有效
发明人：小山田哲哉;宇野智裕;出合博之;小田大造 -专利权人：新日铁住金高新材料株式会社;日铁住金新材料股份有限公司
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C22C5/06 文献下载
摘要：本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线，其特征在于，包含总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上，其余量包含Ag和不可避免的杂质。
半导体装置接合

[发明专利]半导体装置用接合线-CN201580020829.0在审
发明人：小山田哲哉;宇野智裕;出合博之 -专利权人：新日铁住金高新材料株式会社;日铁住金新材料股份有限公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种改善球接合部的接合可靠性、球形成性，并适合于车载用装置的接合线。一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有Cu合金芯材、和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，所述Cu合金芯材包含Ni，相对于线整体，Ni的浓度为0.1～1.2重量％，所述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。
半导体装置接合

[发明专利]硅晶片及其制造方法-CN201110227384.7无效
发明人： 出合博之;高山诚治 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：本发明提供硅晶片，其包括：硅基材；位于硅晶片的一个面上的第一外延层，其中供体浓度与受体浓度之差的绝对值被设定为等于或大于1×1018个原子/cm3；及位于所述第一外延层上的第二外延层，其具有与所述第一外延层相同的导电型，其中供体浓度与受体浓度之差的绝对值被设定为等于或小于5×1017个原子/cm3；其中通过将调节晶格常数的材料掺杂进入所述第一外延层中，控制所述第一外延层的晶格常数(a1)相对于硅单晶的晶格常数(aSi)的变化量((a1-aSi)/aSi)以及所述第二外延层的晶格常数(a2)相对于硅单晶的晶格常数(aSi)的变化量((a2-aSi)/aSi)小于临界晶格错配度。
晶片及其制造方法

[发明专利]半导体基片及其制造方法-CN200410061592.4无效
发明人：约瑟夫·布伦纳;出合博之;碇敦;马丁·格拉斯尔;松村笃树;维尔弗里德·冯·阿蒙 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2004-12-27 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有硅绝缘膜结构的异质半导体结构，所述硅绝缘膜结构含有硅－锗混合晶体，以及以低成本高生产率制造所述半导体结构的方法。为此本发明提供了一种半导体基片，其中包括由添加锗的硅所形成的第一层、由氧化物形成并邻接第一层的第二层以及由硅－锗混合晶体形成并邻接第二层的第三层；及其制造方法。
半导体及其制造方法

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