[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200680028008.2 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101233618A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 下井田良雄;林哲也;星正胜;田中秀明;山上滋春 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L29/24;H01L29/78;H01L29/08;H01L21/04;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体基体；与所述半导体基体相接触的异质半导体区域；隔着栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体基体之间的接合部的一部分相邻的栅电极；连接至所述异质半导体区域的源电极；以及连接至所述半导体基体的漏电极。所述异质半导体区域具有与所述半导体基体的带隙不同的带隙。所述异质半导体区域包括第一异质半导体区域和第二异质半导体区域。在形成所述栅极绝缘膜之前形成所述第一异质半导体区域，在形成所述栅极绝缘膜之后形成所述第二异质半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体基体；与所述半导体基体相接触的异质半导体区域，所述异质半导体区域具有与所述半导体基体的带隙不同的带隙；隔着栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体基体之间的接合部的一部分相邻的栅电极；连接至所述异质半导体区域的源电极；以及连接至所述半导体基体的漏电极，其中，所述异质半导体区域包括第一异质半导体区域和第二异质半导体区域，在形成所述栅极绝缘膜之前形成所述第一异质半导体区域，在形成所述栅极绝缘膜之后形成所述第二异质半导体区域。
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- 姜腾;许晟瑞;郝跃;张进成;张春福;林志宇;雷娇娇;陆小力 - 西安电子科技大学
- 2014-04-23 - 2017-03-29 - H01L29/267
- 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InGaN纳米线生长效率低，方向一致性差的问题。其生长步骤是(1)在m面GaN衬底上蒸发一层2‑15nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源、镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InGaN纳米线。本发明具有生长速率快，方向一致性好的优点，可用于制作高性能极性InGaN纳米器件。
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