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[发明专利]氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法-CN201811500627.8有效
发明人：王荣华;任永硕;程万希;宋书宽;高珺;梁辉南 -专利权人：大连芯冠科技有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种工艺流程简单、节约成本及效率高的氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法，依次按照如下步骤进行：将势垒层表面分出垂直漏电流测试区域及霍尔效应测试区域；进行第一次光刻，使垂直漏电流测试区域全部暴露，霍尔效应测试区域正方形测试单元间的隔离区暴露；进行第一次刻蚀，刻蚀深及沟道层；去胶；利用第一荫罩板进行电极蒸镀或溅射，所述第一荫罩板上均布有第一电极沉积通孔；垂直漏电流测试；欧姆接触退火；霍尔效应测试。
氮化外延垂直漏电霍尔效应复合测试方法

[实用新型]一种MOCVD尾气粉尘收集装置-CN202221911262.X有效
发明人：姜仁波;程万希;梁辉南;李强 -专利权人：润新微电子（大连）有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B01D46/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种MOCVD尾气粉尘收集装置，包括粉尘过滤器，粉尘过滤器包括依次设置的冷却室、过滤室和洁净室，冷却室和过滤室相连通，过滤室和洁净室彼此独立，粉尘过滤器还包括设置在过滤室内的第一滤芯，尾气由进气接口进入冷却室冷却后，然后经第一滤芯过滤进入洁净室，再排出洁净室，该MOCVD尾气粉尘收集装置还包括具有氮气出口的氮气吹扫机构、连接在过滤室上的氮气出气管路及可拆卸连接在氮气出气管路上的收集器，当氮气吹扫机构吹出氮气时，过滤室内的至少部分粉尘和/或第一滤芯外表面的至少部分粉尘在氮气气流的作用下，进入收集器内富集。本实用新型能够有效减少维护次数，增加MOCVD设备的运行时间，提升生产效率。
一种 mocvd 尾气粉尘收集装置

[实用新型]一种半自动半导体设备部件清洗机-CN202220725955.3有效
发明人：李强;程万希;梁辉南;王荣华;姜仁波 -专利权人：大连芯冠科技有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半自动半导体设备部件清洗机，包括机架、设置在机架上的第一清洗区和第二清洗区，第一清洗区包括第一药液槽单元和第一平台，第二清洗区包括第二平台、第二药液槽单元、吹干槽和第三平台，清洗机还包括活动设置在机架上且位于第二清洗区的机械手，机械手用于抓取或释放部件。清洗时，操作人员将部件置于第一药液槽单元的药液槽内浸泡，然后拿出置于第一平台上擦拭，擦拭完后的部件置于第二平台上，然后通过机械手抓取部件置于第二药液槽单元的药液槽内浸泡、吹干槽内吹干，然后置于第三平台上待取出，手动操作和自动操作相结合，互不干扰，大大提升清洗效率，可同时进行2批次以上部件的清洗，同时减少磕碰风险及部件污染风险。
一种半自动半导体设备部件清洗

[发明专利]一种氮化镓异质外延层及其制备方法-CN202111255288.3在审
发明人： 程万希;梁辉南;王荣华 -专利权人：大连芯冠科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓异质外延层，由下至上包括硅衬底、缓冲层和GaN层，其特征在于：还包括设置在所述硅衬底和所述缓冲层之间的厚度为500‑2000nm的Si3N4层，所述缓冲层的组分为AlxGa1‑xN，其中0.05≤x≤0.45。该外延层的制备方法为在硅衬底上采用金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD法或等离子体增强化学气相沉积PECVD法，以硅烷或氯硅烷与NH3为原料并控制生长工艺参数生长Si3N4层，之后继续生长AlxGa1‑xN缓冲层和GaN层。该外延层只需要相对比较薄的GaN层就可以达到目前功率器件的性能，提高整体外延层的晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、高耐压及低漏电流等电学特性。
一种氮化镓异质外延及其制备方法

[发明专利]可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层及其制备方法-CN201811145381.7有效
发明人： 程万希;梁辉南;姜仁波;李强;王荣华;高珺 -专利权人：大连芯冠科技有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/207 文献下载
摘要：本发明公开一种可提高晶体质量和耐压性能的氮化物外延层，有衬底、AlN缓冲层、AlxGa1‑xN缓冲层及GaN层，AlN缓冲层上表面有孔洞，所述孔洞内插接有MgxN纳米柱。制备方法依次按照如下步骤进行：在衬底上生长AlN缓冲层；控制反应室的压力为50~150mbar，以150~500 sccm的流量向反应室内通入金属镁元素5~30 s；依次生长AlxGa1‑xN缓冲层及GaN层。
提高晶体质量耐压性能氮化物外延及其制备方法

[发明专利]一种低位错密度氮化物的外延层生长方法-CN202010147206.2在审
发明人： 程万希;梁辉南;姜仁波;李强;王荣华;高珺 -专利权人：大连芯冠科技有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，主要运用在第三代化合物半导体及功率器件，具体是一种低位错密度氮化物的外延层生长方法。所述方法在缓冲层AlN和缓冲层AlxGa1‑xN的生长过程中通入卤化物，HCl、HBr、CCl4或CBr4。本发明的制备方法避免了在气相中形成AlN颗粒，从而来提高了Al原子的薄膜表面迁移率。
一种低位密度氮化物外延生长方法

[发明专利]HEMT器件的外延结构-CN201910513344.5在审
发明人： 程万希;梁辉南;姜仁波;李强;王荣华;高珺 -专利权人：大连芯冠科技有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种可减少漏电通道的HEMT器件的外延结构，包括硅衬底及依次形成的AlN缓冲层、AlxGa_1‑xN缓冲层及GaN层，在所述硅衬底和AlN缓冲层之间有厚度为10~100nm的含碳化硅多晶混合物的过渡层，所述含碳化硅多晶混合物的过渡层按照如下方法制备：将硅衬底置于MOCVD机台，在900~1100℃条件下通入硅源气体，流量为20~60sccm，生长时间为1~30s，之后在保持所述硅源输入的同时以流量为200~400sccm通入碳源，生长时间为1~10mins。
硅衬底多晶混合物外延结构过渡层碳化硅机台硅源气体漏电通道生长缓冲层硅源制备

[发明专利]用四氨基酞菁锰敏化的TiO₂纳米晶薄膜的染料敏化太阳能电池的制备方法-CN200910196573.5无效
发明人：沈悦;卢惠娜;顾峰;程万希;郑飞;应琪;张建成 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-09-27 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用四氨基酞菁锰敏化的TiO2纳米晶薄膜的太阳能电池的制备方法，属染料敏化太阳能电池技术领域。本发明合成了一种新型染料四氨基酞菁锰，其合成步骤是由苯酐法制备四硝基酞菁锰，然后通过Na2S·9H2O还原得到四氨基酞菁锰。本发明中太阳能电池的制备过程如下：将制备好的TiO2薄膜电极浸渍于上述的四氨基酞菁锰的二甲基甲酰胺溶液中一定时间后取出，并用乙醇洗涤、干燥后，即得吸附有染料的TiO2薄膜光电极；然后用镀有金属Pt的渗氟SnO2导电玻璃作为对电极，用热封高分子膜进行封装并注入电解质I2/KI/乙腈溶液，形成夹心结构，最终即制得染料敏化TiO2薄膜电极的太阳能电池。
氨基酞菁锰敏化 tio sub 纳米薄膜染料太阳能电池制备方法

[发明专利]锰酞菁双酚A环氧衍生物有机太阳能电池的制备方法-CN200910198606.X无效
发明人：沈悦;程万希;郑飞;顾蜂;卢惠娜;张建成 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种锰酞菁双酚A环氧衍生物有机太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池制备工艺领域。本发明方法主要包括如下步骤：锰酞菁双酚A环氧衍生物的合成，然后通过旋涂将上述衍生物与四胺基锰酞菁(质量比1∶8)的N，N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液旋涂于ITO导电玻璃称底上，得到一定厚度的锰酞菁薄膜，然后通过真空沉积法将C60和Al按不同要求蒸镀在上述锰酞菁薄膜上，最终获得肖特基型和PN结型有机太阳能电池。经测试，肖特基型的开路电压为0.6V，短路电流密度为4.7nA/cm2，PN结型的开路电压为0.14V，短路电流密度0.45μA/cm2。
锰酞菁双酚衍生物有机太阳能电池制备方法

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