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[发明专利]一种基于二维碲烯纳米线的场效应忆阻器及其制作方法-CN202111023547.X有效
发明人：姜昱丞;龚帅楠;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维碲烯纳米线的场效应忆阻器及其制作方法,属于微电子技术领域。本发明所述忆阻器包括衬底，所述衬底上设有忆阻层，所述忆阻层为二维碲烯纳米线；所述二维碲烯纳米线的中部被一绝缘层覆盖，其两端部保持裸露；所述二维碲烯纳米线裸露的两端部和所述绝缘层的表面分别设有金属电极。本发明所述的场效应忆阻器的电阻由场电压进行调控，电阻变化3个数量级。场电压的短暂作用会对器件的电阻产生非易失性的影响，导致电阻变化达到1个数量级。忆阻器不仅可以利用其场效应实现逻辑运算，还可利用其电阻记忆的功能。本发明所述的忆阻器结构简单、制备简单、响应速度快、性能优越，是一种存算一体器件，有广阔的应用前景。
一种基于二维纳米场效应忆阻器及其制作方法

[发明专利]基于二维碲烯/二维电子气异质结的二极管及其制备方法-CN202111006739.X在审
发明人：姜昱丞;龚帅楠;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维碲烯/二维电子气异质结的二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明将二维碲烯转移至钛酸锶衬底表面，再通过氩离子束轰击在钛酸锶衬底表面诱导出二维电子气，与二维碲烯接触形成范德华异质结。本发明所述的二维碲烯纳米线/二维电子气异质结、二维碲烯纳米片/二维电子气异质结的正向电流比反向电流分别高出103和107倍，两者均具有良好的二极管整流特性。本发明所述的二极管具有很高的稳定性，即便负向电压高达‑100V，也无法将其击穿。这种异质结二极管结构简单、制备简单、性能优良，可广泛运用于电子芯片、智能器件等领域。
基于二维电子气异质结二极管及其制备方法