[发明专利]形成存储层的方法无效

申请号：	200580025448.8	申请日：	2005-07-01
公开（公告）号：	CN101015072A	公开（公告）日：	2007-08-08
发明（设计）人：	R·恩格尔;J·舒曼;A·沃特;R·塞兹;A·马尔坦伯杰	申请（专利权）人：	奇梦达股份公司
主分类号：	H01L51/40	分类号：	H01L51/40;H01L51/30;G11C13/02
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	温宏艳;李连涛
地址：	德国***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本申请的主题是生产层的方法，该层由金属组成的第一层和有机化合物的第二层构成，其中金属和有机化合物相互作用，使得所述层用作非易失存储器的电活化层，其中，金属层沉积在基材上，并视需要结构化，接着，用有机化合物涂覆，并用第二有机化合物处理。
搜索关键词：	形成存储方法
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【主权项】：

1.用于制备电荷转移层(CT层)的方法，该层由由金属组成的第一层和第一有机化合物的第二层构成，其中，金属和第一有机化合物可以形成CT复合体，使得该层在非易失存储器中用作电活化层，其特征在于具有以下步骤：-在基材上沉积金属层以及视需要对金属层结构化；-用第一有机化合物涂覆金属层；以及-用第二有机化合物的蒸汽处理用第一有机化合物涂覆的金属层。

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摘要：本发明属于半导体器件制造技术领域，具体一种高结晶度半导体膜转移制造方法。本发明方法利用具有粘度调节特性的热剥离胶带，将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上，实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合，并控制半导体膜分子链的取向排列，优化载流子传输效率，以便获得高电性能的半导体器件，从而实现高电学性能半导体器件的可靠制造。

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摘要：本发明属于有机电子领域，具体为一种取向化气液界面聚合物半导体薄膜及其构筑方法和应用。本发明是在长方形的气液界面处，滴加聚合物半导体溶液，聚合物半导体溶液所用的溶剂与去离子水不互溶，并在气液界面上迅速铺展开；经过溶剂挥发过程，快速形成聚合物半导体薄膜；聚合物半导体为主链骨架刚性较强，其主链骨架由给体和受体构成；本发明成膜速度快（40 s内），制备的薄膜厚度可低于10 nm，具有良好的分子取向性，同时能够转移于多种介电材料表面上，用于制备有机场效应晶体管。本发明的给体‑受体型共轭聚合物在柔性电子领域具有广阔的应用前景。

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摘要：本公开提供一种基于紫外光刻制备柔性场效应传感器的方法及制备得到的柔性场效应传感器。方法包括提供硅烷化的疏水滤纸；将具有第一图案的掩膜版覆盖至硅烷化疏水滤纸表面进行紫外光刻处理，使疏水滤纸具有亲水区域；提供经过修饰材料修饰的半导体材料溶液；将具有第二图案的掩膜版覆盖至具有亲水区域的疏水滤纸表面，滴加碳纳米管溶液，形成半导体区域；将具有第三图案的掩膜版覆盖至具有导电区域的疏水滤纸表面，涂覆导电胶，形成导电胶区域；将具有第四图案的掩膜版覆盖至具有导电胶区域的疏水滤纸表面，涂有机硅胶，形成绝缘层。能够以滤纸为基底材料制备电性能良好且电阻可调节的柔性场效应传感器，且具有优良的可降解性。

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申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本申请实施例提供的有机薄膜晶体管器件制备方法及显示面板，涉及半导体器件技术领域。通过在掩膜层上形成有机半导体层，再通过移除该掩膜层的方式形成有机半导体沟道层。上述形成有机半导体沟道层的方式相对于光刻形成有机半导体沟道层的方式，因形成过程不会涉及高温烘烤光刻胶层的工艺步骤，所形成的有机半导体沟道层中载流子的迁移率较高，有机薄膜晶体管器件的电学特性相对稳定。同时，上述形成有机半导体沟道层的方式，有效规避了制程环境因素(光、高温)对有机半导体沟道层形成的影响，有机半导体沟道层图形化过程更加简单，图形化效果更好。

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申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本发明提供了二维有机半导体单晶薄膜、有机场效应晶体管的制备方法。该制备方法包括：在n型SiO2/Si基底上制备形成绝缘层，以得到基材；将基材放置在刮涂机的基板上，且使得基材与位于基板上方的刮刀之间的间距为预设间距；向基材和刮刀之间的间隙施加预设混合溶液，预设混合溶液为预设溶液与聚乙二醇辛基苯基醚的混合溶液，预设溶液为C8‑BTBT溶解在预设有机溶剂中的溶液；控制刮刀以预设速度运动，以使间隙附近形成的弯液面在刮刀的引导下快速结晶，从而形成二维C8‑BTBT有机半导体单晶薄膜。制备获得的二维C8‑BTBT有机半导体单晶薄膜晶界和缺陷少，迁移率较高，足够实现很多应用，如有源矩阵、有机发光二极管、传感器和放大电路等的应用。

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申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本发明公开一种超薄一维有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：（1）在基底上滴加第一有机半导体溶液；（2）取表面刻蚀有硅柱的另一氧化硅片，将刻蚀有硅柱的一面覆盖在第一有机半导体溶液之上，在50‑120℃下加热；（3）滴加第二有机半导体溶液，第二有机半导体溶液覆盖基底，在50‑120℃下加热。采用本发明所提供的制备方法得到的超薄一维有机单晶阵列薄膜，厚度薄，取向度好，有利于工业化大规模生产应用。

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申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本发明公开了一种基于溶剂工程的场效应晶体管及其制备方法，该制备方法使用氯仿(CF)、溴萘(BrN)混合溶剂配置聚合物溶液，通过调控溶剂比例得到最佳的溶剂配方，使用刮涂法制备出高质量的大面积有机聚合物薄膜，以实现场效应晶体管载流子迁移率的大幅提升，进而得到高迁移率场效应晶体管，这将为推动场效应晶体管走向工业化生产、商业化应用提供一种新的思路和方法。

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申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本发明揭示了一种高性能单壁碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，该方法中制备金属电极与半导体层的接触区域的过程，包括将均匀分散在有机溶剂中的已经过分离提纯的半导体型单壁碳纳米管置于衬底上并烘干，制备碳管薄膜；利用等离子体对所获得的图案对待沉积电极区域进行局部刻蚀处理，通过调节等离子体处理过程中的气体流量、等离子体发生功率、刻蚀时间，以控制对碳管薄膜的局部刻蚀；在上述局部刻蚀的碳管薄膜上，沉积金属电极作为薄膜晶体管的源漏电极。本发明适于工业级批量制备高纯度半导体型单壁碳纳米管材料，使用这类半导体材料能够制备出高性能微纳米器件和复杂集成电路。

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申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，然后在该表面制备栅电极，再在栅电极的表面制备介质层；对介质层的表面进行疏水处理，然后通过物理气相沉积在其上制备有机半导体纳米线阵列层，最后在有机半导体纳米线阵列层的表面制备源电极和漏电极。通过该方法，可有效控制有机半导体纳米线阵列中的纳米线定向有序生长，进而可便于后续源漏电极的制作，整体制作流程简单，易于操作，生产效率高。

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申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本发明公开了一种超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法和应用，制备方法包括：将10～20μl半导体溶液滴加至第一基液中，静置，得到第二基液，将PTS修饰载体垂直插入第二基液中，再以5～10um/s的速度将PTS修饰载体向上垂直提拉，在PTS修饰载体的表面获得超薄晶态连续有机半导体薄膜，其中，半导体溶液为半导体和有机溶剂的混合物，半导体溶液中半导体的浓度为0.5～1mg/mL，第一基液为四丁基溴化铵和水的混合物，第一基液中四丁基溴化铵的浓度为8～10mg/mL，有机溶剂为甲苯或氯苯。本发明运用较少的有机半导体生成了大面积连续半导体薄膜，可以应用到大面积集成电路的制备。

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摘要：本发明为一种基于P3HT纳米线的三端三维人造突触电子器件的制备方法。该方法包括如下步骤：将碳纳米管水分散液喷涂到贴有掩模版的氧化硅片上，得到碳纳米管层材质的电极；将掩模版取下，再向氧化硅片上涂覆离子液体溶液，干燥后揭下离子胶，得到上面分布有电极形状的碳纳米管层的离子胶衬底；在分布有电极形状的碳纳米管层的离子胶衬底表面上，通过静电纺丝方式得到的P3HT纳米线；再将第二离子胶层贴在上一步中得到材料上，获得三端三维突触电子器件。本发明得到的电子器件可以在正反等多个方向对刺激进行感应，实现了真正意义上对生物突触的模拟，对大规模集成和阵列的应用意义重大。

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摘要：本发明公开一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法，属于有机光电技术领域。（1）在干净的衬底栅极上制备具有DFB光栅结构的聚合物栅介电层；（2）在DFB介电层上制备有源层；（3）在有源层上制备源极和漏极，所得器件包括栅极、聚合物栅介电层、有源层、源极和漏极；该聚合物栅介电层的表面具有分布式反馈（DFB）光栅结构，制备成有机场效应晶体管（OFET）器件后可实现光放大功能。本发明不仅能够通过DFB光栅实现光放大功能，还具有场效应的开关功能。此外通过本方法制备器件的有源层可灵活改变其结构，以获得理想的光电性能，工艺简单，在有机光电领域具有重要应用前景。

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摘要：本公开提供了一种去除碳纳米管材料的表面聚合物的方法，包括：对碳纳米管材料进行退火处理，以使碳纳米管材料的表面聚合物转化为包括无定形碳在内的物质；将退火步骤处理之后的碳纳米管材料置于聚合物的良溶剂之中，以进行聚合物二次去除；以及对进行了聚合物二次去除的碳纳米管材料进行清洗处理，获得清洗处理之后的碳纳米管材料。本公开还提供了一种CMOS器件、CMOS反相器的制备方法。

一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法-202210098922.5
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摘要：本发明提出一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，制备方法包括以下具体步骤：步骤1：溶液的制备，包括半导体溶液的配置和溶液的溶解步骤；步骤2：器件的制备，包括衬底的清洗、半导体薄膜和源漏电极的制备以及栅极的制备步骤，源漏电极的制备采用常规的真空热蒸发法利用不锈钢掩膜版在衬底上蒸镀50nm的金作为源漏电极，本发明与现有制备工艺相比，可以在保证器件工作状态最佳的情况下，确认可以使用的最薄半导体层厚度，大大减小了半导体材料的使用浪费，优化了有机薄膜晶体管的亚阈值摆幅、阈值电压以及接触电阻。

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摘要：本发明公开了一种通过点击化学反应调控二维材料掺杂特性的方法及应用，该方法将马来酰亚胺通过点击化学反应吸附到二维过渡金属硫化物表面形成化学键，由于化学成键过程的电荷转移导致电荷重新分布，实现二维过渡金属硫化物掺杂特性的调控。利用该方法对二维材料场效应晶体管的源区和漏区进行电荷掺杂，解决二维材料场效应晶体管接触电阻高和费米钉扎的问题。二维材料在掺杂后具有较高的热稳定性和化学稳定性，可以兼容目前的硅基加工工艺，可应用于大规模集成电路加工。

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发明人：高如天;孙猛 -专利权人：苏州金宏气体股份有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本发明公开了一种基于氘气等离子体轰击工艺的顶栅底接触器件结构，包括衬底、栅电极、绝缘层、半导体层、源漏电极；所述半导体层为有机聚合物旋涂与所述衬底和所述源漏电极表面，经氘气产生等离子体轰击工艺，将所述半导体层表面的聚合物单体钝化处理转化为绝缘层，使所述绝缘层和所述半导体层具有一体结构。采用了本发明的技术方案，无需重新选择材料再单独制备绝缘层，而是通过氘气等离子体轰击技术，形成的绝缘层表面能非常低，当在绝缘层上再次进行真空蒸镀铝形成栅极层时，栅极层能够与绝缘层很好的结合，避免了脱落的技术问题。

一种基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件及其制备方法-202210417751.8
发明人：徐文涛;屈尚达;孙林 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本发明为一种基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件及其制备方法。该器件的组成是在衬底上分布有纳米线阵列，阵列两端分别分布有源极和漏极，源极、漏极之间有离子胶为栅极；制备方法首先利用电流体打印机制备ITO纳米线，将其作为突触器件的沟道材料；然后在经过高温退火的ITO纳米线上蒸镀金属电极作为源极和漏极，最后利用离子胶作为栅极制得三端人工突触器件。本发明工艺简单、操作简便、成本低廉、节能环保、适宜大规模生产，为神经形态计算领域的材料选择和器件设计提供了有益的指导。

一种具有低能耗的双极性突触晶体管及其制备方法-202210418755.8
发明人：徐文涛;刘璐 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本发明为一种具有低能耗的双极性突触晶体管及其制备方法。该晶体管的结构为：衬底上为半导体层，半导体层的两端是电极，电极之间的半导体层上，覆盖有离子胶层；所述半导体层由下到上依次为MoS2薄膜、h‑BN薄膜、P3HT/PEO纳米线阵列；制备方法为在h‑BN/MoS2层上打印PEO/P3HT有机纳米线阵列作为p型沟道，其丰富的离子陷阱态为空穴诱导的电流提供相对长程可塑性。本发明通过引入低维材料，实现了对器件能耗的优化，器件单次突触活动触发的能耗低至2.82fJ。

有机无机杂化纳米薄膜阻变存储器的制备方法-201911106083.1
发明人：黄仕华;金日升;李兴达;李林华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本发明公开了一种有机无机杂化纳米薄膜阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：首先利用氯化钛与盐酸、邻菲罗啉、氢氧化钠、丙烯酸反应，制备丙烯酸钛单体；其次，采用甲基丙烯酸甲酯为共聚单体，过硫酸钾/偶氮二异丁腈作为引发剂，吡啶硫酮作为催化剂，制备钛离子与MMA杂化共聚物；最后，利用旋涂法把杂化共聚物涂覆在导电玻璃表面，获得杂化纳米薄膜，随后低温退火，然后在薄膜表面沉积二氧化钛和金属电极。通过本发明获得的阻变存储器，其漏电流小于10pA，其开关电阻比大于106，循环次数高于105次。

一种碳纳米管薄膜晶体管及其制作方法-202210362540.9
发明人：孙东明;陈永洋;闫欣;孙陨;刘畅;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所;东北大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本发明属于新型碳纳米管薄膜晶体管的研发与应用领域，具体涉及一种碳纳米管薄膜晶体管及其制作方法。本发明提供的制作方法包括以下步骤：基于高密度碳纳米管薄膜在衬底上制作晶体管的源极和漏极；采用覆膜技术在碳纳米管薄膜表面贴覆感光干膜，通过光刻技术实现碳纳米管薄膜的图形化；转移低密度碳纳米管薄膜，通过干膜覆膜和光刻技术制作沟道；通过旋涂固化工艺制备栅绝缘层；对所述栅绝缘层进行绝缘层开窗；转移高密度碳纳米管薄膜，通过干膜覆膜和光刻技术制作栅极。本发明利用干膜工艺和光刻工艺实现碳纳米管薄膜晶体管的制备，工艺简单，常压下实现大面积器件制备，节约工艺成本，所得的碳纳米管薄膜晶体管具有良好的电学性能和力学性能。

有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法及制备的有机场效应晶体管-202210275676.6
发明人：徐勇;张引全;孙华斌;陈子龙;于志浩;吴洁;张晗 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L51/40
摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法及制备的有机场效应晶体管，将2,3,5,6‑四氟‑7,7',8,8'‑四氰二甲基对苯醌(F4‑TCNQ)溶于所述有机半导体层的正交溶剂，作为P型掺杂剂，并在空气氛围中将其旋涂于已经旋涂好的有机半导体层薄膜上，通过快速热退火激活掺杂，从而改善电荷输运中跳跃传输和库仑陷阱引发的问题，以此降低阈值电压，提高开关比。对于P型场效应晶体管来说，该P型掺杂增强了空穴输运，有效提高了饱和电流，并且抑制了电子输运，使得晶体管关闭时功耗降低。该掺杂方法基于溶液法操作，工艺简单，制备成本低，可适用于大规模的成产，对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择

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[发明专利]形成存储层的方法无效

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