专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]隔离接地刀闸-CN202110971060.8有效
  • 许金友;樊帆;曾谷元;钟炜锋 - 珠海优特电力科技股份有限公司
  • 2021-08-23 - 2023-09-22 - H01H21/54
  • 本发明提供了一种隔离接地刀闸,包括:触头组件,触头组件包括动触头和多个静触头,多个静触头包括馈线静触头和接地静触头,动触头活动设置,并具有与馈线静触头接触的合闸位置、与接地静触头接触的接地位置、以及与馈线静触头和接地静触头均不接触的分闸位置;机构组件,机构组件与触头组件驱动连接,且二者之间可分离设置,机构组件能够带动、控制动触头在各静触头之间切换,机构组件位于触头组件的前方,并且避让触头组件的动触头和静触头的正前方。本发明解决了现有技术中的三工位隔离接地刀闸的安全性低的问题。
  • 隔离接地
  • [发明专利]三工位刀闸开关的操作装置以及三工位刀闸开关-CN202210277393.5有效
  • 樊帆;曾谷元;许金友 - 珠海优特电力科技股份有限公司
  • 2022-03-18 - 2023-06-09 - H01H21/50
  • 本发明公开一种三工位刀闸开关的操作装置以及三工位刀闸开关,其中,该三工位刀闸开关的操作装置包括安装支架、驱动轴、闭锁片、闭锁轴及闭锁机构;驱动轴活动安装于安装支架;闭锁片与驱动轴固定连接,闭锁片对应设置有接通闭锁位、隔离闭锁位、接地闭锁位;闭锁轴安装于安装支架,闭锁轴相对安装支架运动并具有对闭锁片上的接通闭锁位、隔离闭锁位以及接地闭锁位上锁的第一上锁位置和解锁的第一解锁位置;闭锁机构安装于安装支架,闭锁机构在闭锁轴位于第一上锁位置时对闭锁轴上锁,闭锁机构对闭锁轴解锁,以使得闭锁轴在闭锁片的驱动下运动至第一解锁位置。如此设置,可以避免闭锁片被闭锁机构卡死。
  • 三工位刀闸开关操作装置以及
  • [发明专利]一种Alq3-CN202110868610.3有效
  • 许金友;廖记辉;王兴宇;周国富 - 华南师范大学
  • 2021-07-30 - 2023-06-06 - C23C14/12
  • 本发明公开了一种Alq3纳米线水平阵列的制备方法及其应用。这种Alq3纳米线水平阵列的制备方法包括以下步骤:S1.将M面蓝宝石于1600℃,恒温10h进行退火处理;S2.以PDMS(聚二甲基硅氧烷)对步骤S1所得M面蓝宝石进行表面处理;S3.利用PVD设备,以Alq3粉末为原料在步骤S2所得M面蓝宝石表面进行物理气相沉积。本发明提出的制备方法能够直接制备Alq3纳米线水平阵列,这种纳米线阵列在有序度、均匀性、密度以及结晶性等方面均具有显著优势。
  • 一种alqbasesub
  • [发明专利]接触网的接地方法及装置-CN202011511822.8有效
  • 赖峰;许金友;邓德波;刘小金;董超;钟炜锋;李斌;曾显光 - 珠海优特电力科技股份有限公司
  • 2020-12-18 - 2023-03-07 - H01H31/02
  • 本发明提供了一种接触网的接地方法及装置,上述方法包括:通过接地装置中的控制柜接收主站监控系统发送的合闸控制命令,接地装置包括目标接地开关,控制柜与目标接地开关连接,接触网通过目标接地开关连接到接地极;在目标接地开关处于分闸状态,与目标接地开关级联的多级隔离开关中的第i级隔离开关中的联络隔离开关处于分闸状态、第i级隔离开关中的上网隔离开关、以及从目标接地开关至第i级隔离开关的线路中的所有上网隔离开关均处于分闸状态的情况下,确定对目标接地开关执行合闸操作;通过电动操作机构对目标接地开关执行合闸操作。通过本发明,解决了相关技术中在对接触网进行接地时作业效率较低和安全性较低的技术问题。
  • 接触接地方法装置
  • [发明专利]一种有机异质结纳米线阵列及其制备方法和光电器件-CN202210486215.3在审
  • 许金友;张玲玉;王兴宇;周国富 - 华南师范大学
  • 2022-05-06 - 2022-08-19 - H01L51/48
  • 本发明公开了一种有机异质结纳米线阵列及其制备方法和光电器件,该制备方法包括:在衬底的表面制备纳米级沟道阵列,而后对该表面进行疏水处理;借助具有第一通孔阵列的第一掩模版,通过物理气相沉积在所述表面制备金属酞菁纳米线阵列;再借助具有第二通孔阵列的第二掩模版,通过物理气相沉积在所述表面制备三(8‑羟基喹啉)铝纳米线阵列,其中,第二通孔阵列用于控制三(8‑羟基喹啉)铝纳米线阵列的生长区域,使得三(8‑羟基喹啉)铝纳米线阵列与金属酞菁纳米线阵列搭接,制得有机异质纳米线阵列。该制备方法可实现有机异质结纳米线的定向生长和对齐,进而可实现纳米线器件阵列的原位大规模构筑和集成。
  • 一种有机异质结纳米阵列及其制备方法光电器件

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