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[发明专利]预测在热蚀刻与原子层蚀刻中的蚀刻特性-CN201980030046.9在审
发明人：索斯藤·利尔;安德烈亚斯·费希尔;伊凡·L·贝瑞三世;尼莉莎·苏·德雷格;理查德·A·戈奇奥 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：使用机器学习模型预测热蚀刻反应中的蚀刻。使用量子力学模拟来识别给定热蚀刻反应的一或多个反应路径中的蚀刻工艺的化学特性和相关能量。指示蚀刻特性的标签可与给定热蚀刻反应的化学特性和相关能量相关联。机器学习模型可使用化学特性和相关能量作为自变量以及使用标签作为不同类型的许多不同蚀刻反应的因变量来进行训练。当在机器学习模型中提供新的热蚀刻反应的化学特性和相关能量作为输入时，机器学习模型可准确地预测新的热蚀刻反应的蚀刻特性作为输出。
预测蚀刻原子中的特性

[发明专利]数据修正装置、描画装置、检查装置、数据修正方法、描画方法、检查方法及记录介质-CN201510765872.1有效
发明人：山田亮 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：数据修正部的蚀刻特性存储部将对于对象物上的多个对象位置的各者的蚀刻特性作为对象蚀刻特性而加以存储。特性群组获取部通过将与相互类似的对象蚀刻特性对应的对象位置包含于1个特性群组，而将多个对象位置分成比该多个对象位置少的特定数量的特性群组。分割数据修正部将通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据分割成与设定在对象物上的多个分割区域对应的多个分割数据，并对各分割数据基于代表与该分割数据对应的分割区域的最接近的对象位置所属的一个特性群组的蚀刻特性而进行修正由此，能够高效地进行高精度的蚀刻修正。
对象位置蚀刻特性分割数据群组对象物蚀刻数据修正装置分割区域检查装置描画装置数据修正修正描画存储数据修正部设计数据检查图案分割

[发明专利]数据修正装置及方法、描画装置及方法、检查装置及方法和存储有程序的记录介质-CN201510438510.1有效
发明人：山田亮 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：数据修正部(21)具有：设计数据存储部(211)，存储通过在基板上蚀刻形成的图案的设计数据；蚀刻特性存储部(212)，存储与基板的多个基准位置分别对应的多个蚀刻特性；区域蚀刻特性获取部(213)，基于基板上的各分割区域与多个基准位置的分别的位置关系求出各分割区域的区域蚀刻特性；以及分割数据修正部(214)，将设计数据分割成与多个分割区域对应的多个分割数据，基于各分割区域的区域蚀刻特性来修正各分割数据。由此，能够考虑由于各分割区域在基板上的位置的区别导致的蚀刻特性的差异，以良好的精度对各分割数据进行蚀刻修正。
蚀刻特性分割区域分割数据基板设计数据存储蚀刻数据修正装置基准位置检查装置描画装置存储部修正数据修正部图案分割

[发明专利]多尺度物理蚀刻建模及其方法-CN202180053282.X在审
发明人： S·帕拉雅维努格帕拉;穆罕默德·R·卡迈利;M·库比斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：披露了用于模拟等离子体蚀刻过程的系统和方法。根据某些实施例，用于模拟等离子体蚀刻过程的方法可以包括：基于多个第一参数，以第一尺度预测等离子体的粒子的第一特性；基于由多个第二参数引起的对所述第一特性的修改，以第二尺度预测所述粒子的第二特性；以及基于所述粒子的所述第一特性和所述第二特性来模拟特征的蚀刻特性多尺度物理蚀刻模型或多尺度数据驱动模型可以用于模拟所述等离子体蚀刻过程。
尺度物理蚀刻建模及其方法

[发明专利]用于控制蚀刻工艺的系统及方法-CN201680051259.6有效
发明人： F·察赫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2016-09-16 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于控制蚀刻工艺的系统包含蚀刻工具、计量工具及控制器。所述蚀刻工具可经由一组控制参数控制且可执行含有所述组控制参数的多个蚀刻配方。所述控制器可引导所述蚀刻工具对多个计量目标执行多个蚀刻配方；引导所述计量工具产生指示关于所述多个计量目标的两个或两个以上蚀刻特性的计量数据；基于所述计量数据确定所述两个或两个以上蚀刻特性与所述组控制参数之间的一或多个关系；及基于所述一或多个关系产生用以约束所述两个或两个以上蚀刻特性中的一者且将所述两个或两个以上蚀刻特性中的其余者维持于经定义界限内的特定蚀刻配方。
用于控制蚀刻工艺系统方法

[发明专利]用于在等离子体工艺中顺序交替以优化衬底的方法和装置-CN200580047715.1有效
发明人：阿德里安·基尔迈森;塔玛拉克·潘杜姆索波尔恩;阿尔弗德·科弗 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：公开了在等离子体处理系统中用于优化衬底蚀刻的方法。该方法包括选择包括第一工艺变量的第一等离子体工艺配方，其中，通过第一数量改变第一工艺变量使第一衬底蚀刻特性优化而使第二衬底蚀刻特性恶化。该方法还包括选择包括第二工艺变量的第二等离子体工艺配方，其中，通过第二数量改变第二等离子体工艺变量使第一衬底蚀刻特性恶化而使第二衬底蚀刻特性优化。该方法还包括在第一等离子体配方和第二等离子体配方之间进行交替，其中，一旦完成该交替，则第一衬底蚀刻特性和第二衬底蚀刻特性被充分优化。
用于等离子体工艺顺序交替优化衬底方法装置

[发明专利]形成原位凹陷结构的方法-CN200580031424.3无效
发明人： S·V·斯利尼瓦森;M·N·米勒;N·A·斯泰西;D·C·王 -专利权人：分子制模股份有限公司
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： C03C25/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种对基片进行图案化的方法，该方法包括在基片上形成具有表面、蚀刻速率界面和蚀刻差异界面的多层膜。所述蚀刻差异界面位于蚀刻速率界面和表面之间。记录的图案被转移到部分由蚀刻差异界面所限定的基片上。所述记录的图案具有蚀刻图案特性(EPC)，该特性限定出特定的一种或一组蚀刻方法形成的图案的形状。所述蚀刻差异界面改进了EPC。通过建立合适的蚀刻差异界面，获得的记录的图案可基本不同于图案化的层的形状，或者也可获得相同的图案。
形成原位凹陷结构方法

[发明专利]具有导电特性的部分蚀刻的电介质膜-CN200580008101.2无效
发明人：丹尼斯·M·布鲁纳;大卫·L·比斯特尔;麦克尔·S·格拉夫;丹尼尔·K·吕贝特;内森·P·库特尔;杨瑞;毛国平 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2005-01-13 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本发明提供具有提高导电特性的部分蚀刻的电介质膜。本发明还提供了在电介质膜中形成提高导电特性的方法，该方法包括部分蚀刻所述的电介质膜。
具有导电特性部分蚀刻电介质

[发明专利]印制电路板中性蚀刻剂及蚀刻方法-CN201610083229.5在审
发明人：吴子坚;程静;林灿荣;张卫 -专利权人：广东成德电子科技股份有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明提供一印制电路板的中性蚀刻剂及蚀刻方法，其中所述中性蚀刻剂包含过硫酸盐，其表现中性特性，可以替代传统的酸性、碱性蚀刻剂进行蚀刻，不会产生环境污染，对人体没有伤害。
印制电路板中性蚀刻方法

[发明专利]用于形成存储器鳍片图案的方法和系统-CN201780014213.1有效
发明人：姜浩英;安东·德维利耶 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：技术包括使用具有不同蚀刻特性的多种材料来选择性地蚀刻特征部并在指定的位置创建切口或块。多线层由提供不同蚀刻特性的三种或更多种不同的材料形成。使用包括交织蚀刻掩模的蚀刻掩模用于选择性地蚀刻选定的被曝光材料内的切口。然后可以对各种结构进行切割和形成。可以在记忆层中记录形成结构和切口，该记忆层也可以用作蚀刻掩模。
用于形成存储器图案方法系统

[发明专利]用于将气体注入外延腔室的设备-CN201580024685.6在审
发明人：李学斌;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;阿维纳什·舍韦盖尔;金以宽;尼欧·O·谬;阿布舍克·杜贝 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：可依序或同时提供沉积气体与蚀刻气体以改善外延层沉积特性。气体分配组件可与沉积气体源及蚀刻气体源耦接。在沉积气体与蚀刻气体提供至处理腔室的处理空间前，沉积气体与蚀刻气体可维持分开。气体分配组件的出口可经配置而将沉积气体与蚀刻气体以各式特性提供至处理空间中。在一个实施方式中，将蚀刻气体传送至处理空间的气体分配组件的出口可相对于基板表面而向上成角度。
用于气体注入外延设备

[发明专利]一种蚀刻液组合物-CN201810057441.3在审
发明人：李嘉 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明蚀刻液组合物包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、氟化物、稳定剂以及水，通过调整各组分在该蚀刻液组合物中的质量占比以提高该蚀刻液组合物蚀刻的均一性，从而可以避免蚀刻锥角、蚀刻偏差及蚀刻直线度等特性失去
蚀刻蚀刻液组合物蚀刻添加剂蚀刻抑制剂产品品质过氧化氢氟化物均一性稳定剂直线度螯合剂锥角

[发明专利]增大蚀刻液蚀刻用量的铜/钼合金膜的蚀刻方法-CN201280040139.8有效
发明人：申孝燮;丁镇培;金世训;李恩庆 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于TFT-LCD制造的铜/钼合金膜用蚀刻液的蚀刻用量的增加方法，依据本发明的方法，在使用铜/钼合金膜用蚀刻液进行反复蚀刻时，可使其所发生的蚀刻速度、锥度曲线、蚀刻直线度等低下的蚀刻特性得以恢复，并可增加蚀刻液的蚀刻用量，从而可显著地降低TFT-LCD等的制造费用。
增大蚀刻用量合金方法

[发明专利]双氧水稳定剂及包含其的蚀刻组合物-CN201710425495.6有效
发明人：李明翰;李宝研;安镐源;朴钟模;金世训 -专利权人：易案爱富科技有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供双氧水稳定剂及包含其的蚀刻组合物，本发明的蚀刻组合物通过包含本发明的双氧水稳定剂，来当进行蚀刻工序时，防止过氧化氢的分解，并控制金属界面的过蚀刻，从而具有优秀的蚀刻特性。
双氧水稳定剂包含蚀刻组合

[发明专利]清除铋基金属氧化物-CN99110970.8无效
发明人： F·欣特迈尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1999-06-30 - 公布日： 2000-05-10 - 主分类号： C04B41/91 文献下载
摘要：将包含氟化物和硝酸的蚀刻化学物质物质用于印刷图案或除去铋基氧化物陶瓷。可以将蚀刻化学物质物质与水混合调节蚀刻速度。另外,可以包括无机组份增加或减小蚀刻速度。可以包括有机组份调整蚀刻化学物质的润湿/粘合特性。
清除基金氧化物

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