专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]蚀刻方法-CN201510542329.5有效
  • 斋藤祐介;长友优;菱沼隼;髙山航;冨永翔;金子雄基 - 东京毅力科创株式会社
  • 2015-08-28 - 2018-12-18 - H01L21/311
  • 本发明提供对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括:在收纳有被处理体的处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤;和在该处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤。在该方法中,交替反复进行生成第一处理气体的等离子体的步骤和生成第二处理气体的等离子体的步骤。
  • 蚀刻方法

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