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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710465608.5有效
发明人：曾晋沅;林纬良;陈欣志;朱熙甯;谢艮轩;严永松;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种用于图案化集成电路装置如鳍状场效晶体管装置的方法。例示性的方法包括形成材料层，其包含鳍状结构的阵列；以及进行鳍状物切割工艺，以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割工艺包含以切割图案露出鳍状结构的子集，并移除露出的鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构的子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割工艺为优先切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割工艺为最后切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201611219717.0有效
发明人：严永松;刘如淦;林纬良;陈欣志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开实施例涉及制造半导体元件的方法。此方法包括形成第一可流动材料层于基板之上。第一区域中第一可流动材料层的上表面高于第二区域中第一可流动材料层的上表面。此方法亦包括在第一区域中形成牺牲插塞以覆盖第一可流动材料层，在第一区域中牺牲插塞之上及第二区域中第一可流动材料层之上形成第二可流动材料层。执行第一下凹工艺以致第一区域中的第二可流动材料层被移除。执行第二下凹工艺于第二区域中的第二可流动材料层，此时第一可流动材料层被第一区域的牺牲插塞保护。
半导体装置形成方法

[发明专利]包含鳍式场效晶体管的半导体装置-CN202110556620.3在审
发明人：侯敦晖;陈昭成;李俊鸿;陈欣志;刘国庆;王祖豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种包含鳍式场效晶体管的半导体装置包含第一半导体鳍片，此第一半导体鳍片是形成在基材上并沿着第一横轴延伸。此半导体装置包含第二半导体鳍片，此第二半导体鳍片亦被形成在基材上并沿着第一横轴延伸。第一半导体鳍片的至少一个尖端部分和第二半导体鳍片的至少一个尖端部分沿着第二横轴朝彼此弯曲，第二横轴是垂直于第一横轴。
包含鳍式场效晶体管半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110087771.9在审
发明人：郭俊铭;陈欣志;许哲源;刘国庆;蔡函育;林宥霆;张壬泓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：根据一些实施例，一种半导体装置包括半导体衬底、至少一个半导体鳍及栅极堆叠。半导体鳍设置在半导体衬底上。半导体鳍包括第一部分、第二部分及位于第一部分与第二部分之间的第一颈部部分。第一部分的宽度随着第一部分变得更靠近第一颈部部分而减小，且第二部分的宽度随着第二部分变得更靠近半导体衬底的底表面而增大。栅极堆叠部分地覆盖半导体鳍。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造高密度半导体装置的方法-CN201711217841.8在审
发明人：周雷峻;陈志良;赖志明;杨超源;曾晋沅;陈欣志;朱熙宁;曾健庭;萧锦涛;刘如淦;林威呈;林纬良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法包括：在衬底上沉积第一材料；在所述衬底上沉积第二材料，所述第二材料的蚀刻选择性与所述第一材料的蚀刻选择性不同；在所述第一材料及所述第二材料上沉积间隔壁材料；以及使用所述间隔壁材料作为蚀刻掩模来蚀刻所述衬底，以在所述第一材料之下形成鳍以及在所述第二材料之下形成鳍。
第二材料第一材料衬底沉积间隔壁材料蚀刻选择性蚀刻高密度半导体半导体装置蚀刻掩模制造

[发明专利]用于具有线端延长的晶体管的结构和方法-CN201210192137.2有效
发明人：余绍铭;张长昀;张志豪;陈欣志;张开泰;谢铭峰;吕奎亮;林以唐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的隔离部件；形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区在第一方向延伸并且通过所述隔离部件彼此分隔；以及设置在隔离部件上的伪栅极，其中所述伪栅极在第一方向从一侧延伸至所述第一有源区并且从另一侧延伸至所述第二有源区。本发明还公开了用于具有线端延长的晶体管的结构和方法。
用于有线延长晶体管结构方法

[发明专利]高栅极密度器件和方法-CN201210036781.0有效
发明人：谢铭峰;张长昀;陈欣志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有隔离部件的半导体器件。所述半导体器件包括多个设置在半导体衬底上的栅极结构、形成在所述多个栅极结构的各个侧壁上的多个电介质材料的侧壁间隔件、设置在所述半导体衬底和所述栅极结构上的层间电介质(ILD)、嵌入所述半导体衬底并延伸至所述ILD的隔离部件以及设置在所述隔离部件的延伸部的侧壁上的电介质材料的侧壁间隔件。本发明还公开了高栅极密度器件和方法。
栅极密度器件方法

[发明专利]反调STI形成-CN201210074766.5有效
发明人：张开泰;陈颐珊;陈欣志;柯志欣;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种方法，包括：在衬底上方形成硬掩模，图案化硬掩模以形成第一多个沟槽，以及在第一多个沟槽内填充有介电材料以形成多个介电区域。从多个介电区域之间去除硬掩模，其中，通过去除硬掩模留下第二多个沟槽。实施外延步骤以在第二多个沟槽内生长半导体材料。本发明还提供了反调STI形成。
反调 sti 形成

[发明专利]集成电路结构的蚀刻方法-CN200810135497.2有效
发明人：李俊鸿;钟嘉麒;陈欣志;许俊豪;陈能国 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-08-12 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在沟渠中的集成电路结构的蚀刻方法。设置欲蚀刻层于此结构上与沟渠中。沉积碳氟基(CF-based)聚合物于欲蚀刻层上，再沉积氧氯化硅(SiOCl)基聚合物的覆盖层。碳氟基聚合物降低沟渠的宽度至一程度，以使很少或没有氧氯化硅基聚合物沉积在沟渠的底部。进行氧等离子体蚀刻，以蚀刻穿过位在沟渠底部的碳氟基聚合物。此氧等离子体蚀刻对氧氯化硅基聚合物具有很小的作用，因此结构的上表面仍受到聚合物的覆盖。因此，这些上表面在后续蚀刻欲蚀刻层期间仍受到充分的保护。
集成电路结构蚀刻方法

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