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C 化学；冶金

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

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2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]铜选择性蚀刻液和钛选择性蚀刻液-CN201610046399.6在审
发明人：江月华 -专利权人：熙腾电子科技（上海）有限公司
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜选择性蚀刻液，其由铜氧化液和铜螯合液组成，所述铜氧化液包括氧化剂和/或水，所述铜螯合液包括草酸盐、氨基羧酸和水，所述铜选择性蚀刻液pH值为6.0～8.5。所述铜选择性蚀刻液可对铜进行选择性和均匀性地蚀刻。本发明还公开了一种钛选择性蚀刻液，其由钛氧化液和钛螯合液组成，所述钛氧化液包括过氧化氢和/或水，所述钛螯合液包括亚磷酸螯合剂、铜防腐蚀剂、无机碱和水，所述钛选择性蚀刻液pH值为7～10。所述钛选择性蚀刻液可对钛进行选择性和均匀性地蚀刻。在无铅焊料凸块的制作过程中使用所述铜选择性蚀刻液和钛选择性蚀刻液进行蚀刻可在半导体基板上方便快捷地制造出尺寸重现性好的无铅焊料凸块。
选择性蚀刻

[发明专利]区域选择性蚀刻-CN202210409142.8在审
发明人： R.H.J.沃乌尔特;堤隆嘉;堀胜;小林伸好;小田义则;C.德泽拉 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开涉及用于相对于半导体衬底的另一个表面从半导体衬底的一个表面选择性蚀刻材料的过程。本公开还涉及用于从半导体衬底的表面蚀刻材料的组件。在这些过程中，将包括第一表面和第二表面的衬底提供到反应室中；将蚀刻引发反应物以气相提供到反应室中；将从等离子体产生的反应性物质提供到反应室中，用于从第一表面选择性蚀刻材料。蚀刻引发反应物沉积在第一表面上，并且蚀刻引发反应物包括卤代烃。卤代烃可以包含首基和尾基，并且它们中的一个或两个可被卤化。
区域选择性蚀刻

[发明专利]选择性蚀刻方法-CN201210360730.3有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种选择性蚀刻方法，包括下列步骤：提供一硅基板；在该硅基板上形成一图案化硅氧化物罩幕；以及导入一混合气体对该硅基板进行蚀刻，用以在该硅基板中形成一狭缝，并同时完全移除该图案化硅氧化物罩幕，其中该混合气体包括氟碳气体与卤素气体
选择性蚀刻方法

[发明专利]选择性蚀刻方法-CN201310076691.9无效
发明人：克里斯托弗·科多尼尔;锅岛三弘;熊谷真吾;高桥直贵 -专利权人：株式会社杰希优
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C09K13/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种选择性蚀刻方法，其为以实用的速度、且与基底基材相比优先选择性蚀刻钛以及其它金属的方法。该方法为一种蚀刻方法，其特征在于，将设于选自玻璃、硅、铜和镍的基底基材上的选自钛、铌、钨、钼、钌、铑、砷、铝和镓中的金属、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物、氮化硅、氮化铪、氮化钽或这些的合金的层与本质上含有1种以上络合剂且为碱性的蚀刻液接触，选择性蚀刻选自钛、铌、钨、钼、钌、铑、砷、铝和镓中的金属、前述金属的氧化物、前述金属的氮化物、氮化硅、氮化铪、氮化钽或这些的合金，前述络合剂选自下式（I）和（II）所示的化合物
选择性蚀刻方法

[发明专利]选择性蚀刻方法-CN200580030348.4有效
发明人： G·瓦格纳 -专利权人： SEZ股份公司
申请日： 2005-09-01 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性蚀刻基材上的第一材料的方法，该方法对第二材料具有高选择性，该方法通过将液体蚀刻剂以足够快的流动流过基材表面以产生平行于该基材表面的最小平均速度v，其中所述第一材料选自基于至少两种不同化学元素的具有半导体性能的材料
选择性蚀刻方法

[发明专利]一种用于制造光掩模的方法-CN200710169253.1无效
发明人： C·K·黄;J·P·莱文;T·B·福尔;S·B·克劳福德 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-11-07 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：在制造方法中的选择性的主铬蚀刻和选择性的铬过蚀刻提供了具有改善的图像质量的光掩模，并且在当前的工艺流程和制造步骤内提供了跨光掩模的标称图像尺寸控制和图像尺寸均匀性。选择性的蚀刻方法利用主蚀刻工艺，其中抗蚀剂蚀刻选择性(去除的铬对去除的抗蚀剂的量)比在过蚀刻步骤中高，在所述过蚀刻步骤中蚀刻选择性地去除所述抗蚀剂层超过所述铬层。为了控制蚀刻选择性，可以调整蚀刻剂化学的成分和/或蚀刻剂反应器硬件设定(功率、电压等等)。
一种用于制造光掩模方法

[发明专利]用于外延剥离的台面蚀刻方法和组成-CN200980140141.0无效
发明人：美利莎·艾契尔 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2009-10-12 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明的实施方式一般涉及台面蚀刻溶液的组成和用于在外延剥离(ELO)过程期间的晶片上的台面蚀刻材料的方法。晶片通常包含布置在其上的蚀刻停止层和布置在蚀刻停止层的叠层外延材料。在一个实施方式中，蚀刻工艺包括将晶片暴露给非选择性蚀刻溶液，而且随后将晶片暴露给选择性蚀刻溶液，同时从晶片上剥落叠层外延材料。选择性蚀刻溶液可包含琥珀酸、氢氧化铵化合物以及诸如过氧化氢的氧化剂。选择性蚀刻溶液可具有约600、约1000、约1400或更大的GaAs/AlAs选择性。非选择性蚀刻溶液可以是包含硫酸和过氧化氢的水溶液。
用于外延剥离台面蚀刻方法组成

[发明专利]一种复合铜膜的选择性蚀刻液-CN202310560836.6在审
发明人：苏伟;罗智勇 -专利权人：深圳市志凌伟业光电有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合铜膜的选择性蚀刻液，包括包括主蚀刻剂、蚀刻辅剂、选择性保护剂以及表面活性剂，主蚀刻剂，主要包括对铜以及预镀金属层均有较好蚀刻能力的化学药剂，主蚀刻剂，可采用氯化铜作为主蚀刻剂，蚀刻辅剂，包括但不限于盐酸、硫酸、硝酸、过氧化氢、氯化钠、次氯酸钠等中的一种或几种，选择性保护剂包括噻吩、苯并三氮唑及衍生物、植酸中一种或几种组合的形式进行添加；本发明通过选择性蚀刻液中适当主、辅蚀刻剂的选择及含量调配，并附以适当的选择性保护剂以及表面活性剂，实现了复合铜膜的选择性刻蚀，解决了现有蚀刻液对复合铜膜蚀刻中存在的线宽不均、蚀刻不完全、侧蚀、蚀刻步骤繁琐的缺陷。
一种复合选择性蚀刻

[发明专利]一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途-CN202211725425.X有效
发明人：武文东;侯军;赵晓莹;孙昊然 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途，本发明高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：酸2.0‑10.0份；多卤素有机物1.0‑5.0份；2本发明还公开了高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液的制备方法及其在蚀刻半导体晶圆表面氧化硅层领域的用途。本发明高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液能对金属硅化物进行保护，选择性蚀刻氧化硅层，提高蚀刻均一性。
一种选择性蚀刻表面氧化制备方法用途

[发明专利]反向选择性蚀刻终止层-CN202180010976.5在审
发明人：凯文·卡舍菲;亚历山大·詹森;梅裕尔·奈克;任河;陈璐;陈枫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了用于形成反向选择性蚀刻终止层的方法和装置。本公开内容的一些实施方式提供了比利用非选择性(例如，毯覆)蚀刻终止层的方法具有更低电阻的互连件。本公开内容的一些实施方式在减法蚀刻方案中利用反向选择性蚀刻终止层。本公开内容的一些实施方式通过钝化金属材料的表面来选择性地沉积蚀刻终止层。
反向选择性蚀刻终止

[发明专利]钯选择性蚀刻液以及控制蚀刻的选择性的方法-CN200680040225.3无效
发明人：高桥秀树 -专利权人：关东化学株式会社
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明的蚀刻液是对钯和金共存的材料进行蚀刻的碘系蚀刻液，其含有选自含氮五元环化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物和酰亚胺化合物中的至少一种添加剂，对钯和金的蚀刻速率之比(对钯的蚀刻速率/对金的蚀刻速率)为1以上。
选择性蚀刻以及控制方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110335578.2在审
发明人：林含谕;黄治融;董彦佃;沈泽民;颜甫庭;詹贵麟;林耕竹;林立德;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法可进一步包括形成第一凹陷结构于鳍状结构的第一部分中，形成第二凹陷结构于鳍状结构的第二部分的牺牲层中，形成介电层于第一凹陷结构与第二凹陷结构中，以及进行无氧循环蚀刻工艺以蚀刻介电层，并露出鳍状结构的第二部分的通道层进行无氧循环蚀刻工艺的步骤可包括进行第一蚀刻选择性的第一蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层；以及进行第二蚀刻选择性的第二蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层，且第二蚀刻选择性大于第一蚀刻选择性。
半导体装置形成方法

[发明专利]一种高选择性锗蚀刻液-CN202211145213.4有效
发明人：彭浩;尹印;叶瑞;倪高国;余迪;万杨阳;贺兆波;张庭;王亮 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种高选择性锗蚀刻液。所述高选择性锗蚀刻液主要用于相对硅选择性蚀刻锗，组成包括氧化剂、氟离子源、添加剂和超纯水。该蚀刻液利用氧化剂将锗被氧化形成氧化物；锗的氧化物通过与氟离子源络合溶解而被去除；利用添加剂调节锗的蚀刻速率，使蚀刻液对锗相对于硅具有更快的蚀刻速率即对锗有更高的选择性。
一种选择性蚀刻

[发明专利]蚀刻方法-CN201610077423.2有效
发明人：高桥信博;松本雅至;萩原彩乃;竹谷考司;松永淳一郞 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供在SiGe和Si共存的被处理基板中，能够使用相同的气体体系在同一装置内进行相对于Si选择性蚀刻SiGe、以及相对于SiGe选择性蚀刻Si的蚀刻方法。通过将具有硅和硅锗的被处理基板配置于腔室内，将蚀刻气体的气体体系设为F2气体和NH3气体，并改变F2气体与NH3气体的比率，从而进行相对于硅选择性蚀刻硅锗、以及相对于硅锗选择性蚀刻硅。
蚀刻方法

[发明专利]3D NAND结构片的选择性蚀刻液-CN202211234631.0有效
发明人：冯帆;贺兆波;张庭;班昌胜;冯凯;王书萍;杜程;叶瑞;彭飞;倪高国 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D NAND结构片的选择性蚀刻液。该蚀刻液包括磷酸、硅烷添加剂1、硅烷添加剂2、其他为水。本发明的蚀刻液对氧化硅膜与氮化硅膜具有蚀刻选择性，能够选择性地去除氮化硅膜，提升蚀刻液寿命且能适应叠层结构的蚀刻。
nand 结构选择性蚀刻

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