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[发明专利]YAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110005872.7有效
发明人：薛军帅;孙志鹏;李蓝星;张赫朋;杨雪妍;姚佳佳;刘芳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及YAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化物微波功率器件工作频率低及材料位错密度高的问题。其自下而上包括衬底、成核层、GaN沟道层、AlN插入层和YAlN势垒层，该插入层与势垒层之间设有InAlN帽层；该势垒层上部依次设有势垒保护层和绝缘栅介质层，该InAlN帽层至绝缘栅介质层的两侧设有制作源、漏电极的欧姆接触区。该结构中的成核层、GaN沟道层、AlN插入层和InAlN帽层采用MOCVD生长；YAlN势垒层和势垒保护层采用MBE生长。本发明材料极化强度大，器件工作频率高，可靠性高，制作工艺简单且一致性高，可用于高频微波功率放大器和微波毫米波集成电路。
yaln gan 电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]含InGaN子阱结构的YAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法-CN202110335756.1有效
发明人：薛军帅;刘芳;郝跃;张进成;姚佳佳;李蓝星;孙志鹏;张赫朋;杨雪妍;吴冠霖 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种含InGaN子阱结构的YAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有GaN共振隧穿二极管峰值电流低、峰谷电流比小和性能一致性差的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、n+GaN发射极欧姆接触层、GaN隔离层、第一势垒层、第二势垒层、InN隔离层、n+InN集电极欧姆接触层、集电极电极，其中两势垒层之间依次为第一GaN主量子阱层、In组分为3％‑5％的InGaN子量子阱层、第二GaN主量子阱层；两势垒层的Y组分均为6％‑15％的YAlN。本发明共振隧穿二极管峰值电流高、峰谷电流比大、峰值隧穿电压低、具有对称特性微分负阻效应，可用于高频太赫兹辐射源和高速数字电路。
ingan 结构 yaln gan 双势垒共振二极管及其制作方法

[发明专利]宽禁带半导体BPN/GaN异质结材料及外延生长方法-CN202110392314.0有效
发明人：薛军帅;姚佳佳;李蓝星;杨雪妍;孙志鹏;刘芳;吴冠霖;张赫朋;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体BPN/GaN异质结材料及外延生长方法，主要解决现有氮化镓异质结材料极化强度和二维电子气浓度低、外延生长工艺复杂和控制难度大的问题。其材料结构，自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、GaN沟道层(3)、AlN插入层(4)、势垒层(5)和帽层(6)，其中势垒层采用P组分为30％‑40％、厚度为10nm‑30nm的BPxN1‑x，帽层采用厚度为1‑2nm的GaN或AlN，材料层结构均采用金属有机物化学气相淀积技术生长。本发明氮化镓异质结材料极化强度大，二维电子气浓度高，能提高氮化镓器件击穿电压和可靠性，材料生长工艺简单成本低，可用于制作场效应晶体管半导体器件。
宽禁带半导体 bpn gan 异质结材料外延生长方法

[发明专利]ScAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法-CN202110335747.2有效
发明人：薛军帅;刘芳;张进成;郝跃;孙志鹏;李蓝星;姚佳佳;杨雪妍;张赫朋 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种ScAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管峰值电流低、峰谷电流比小和微分负阻效应不对称的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、n+GaN发射极欧姆接触层、GaN隔离层、第一势垒层、GaN量子阱层、第二势垒层、隔离层、集电极欧姆接触层和集电极电极；这两个势垒层均采用Sc组分在15％‑20％之间、厚度为1‑3nm且Sc组分、厚度相同的ScAlN；隔离层采用厚度为2‑4nm的InN；集电极欧姆接触层采用n+InN。本发明器件峰值电流高、峰谷电流比大、能实现正反向对称微分负阻效应，且工作频率和输出功率高，可用于高频太赫兹辐射源和高速数字电路。
scaln gan 双势垒共振二极管及其制作方法

[发明专利]定位信息发送方法、定位轨迹绘制方法及定位系统-CN202210614292.2在审
发明人： 李蓝星 -专利权人：合众新能源汽车有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01C21/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种定位信息发送方法、定位轨迹绘制方法及定位系统。定位信息发送方法可以包括：获取所述多个定位子模块的定位信息，及所述定位信息对应的信息标识；调用所述融合子模块对多个所述定位信息进行融合处理，生成定位融合信息，及所述定位融合信息对应的目标信息标识；将所述定位信息、所述信息标识、所述定位融合信息和所述目标信息标识发送给轨迹绘制模块，以使所述轨迹绘制模块根据所述信息标识和所述定位信息，绘制所述多个定位子模块对应的定位轨迹，并根据目标信息标识和定位融合信息，绘制所述融合子模块对应的定位轨迹。本申请可以提高定位轨迹的可视化效果，同时可以直观的对比各定位子模块的定位结果，便于定位问题的排查。
定位信息发送方法轨迹绘制系统

[发明专利]ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202011452266.1有效
发明人：薛军帅;刘芳;张进成;郝跃;李蓝星;孙志鹏;张赫朋;杨雪妍;姚佳佳 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化物微波功率器件同质外延界面漏电及工作频率低的问题。其自下而上包括衬底、成核层、GaN沟道层、AlN插入层和ScAlN势垒层，该插入层与势垒层之间设有InAlN帽层；该势垒层上部依次设有势垒保护层和绝缘栅介质层，该InAlN帽层至绝缘栅介质层的两侧设有制作源、漏电极的欧姆接触区。该结构中的成核层、GaN沟道层、AlN插入层和InAlN帽层采用MOCVD生长；ScAlN势垒层和势垒保护层采用MBE生长。本发明无同质外延界面寄生漏电，器件工作频率高，输出电流密度大，制作工艺简单，可用于高频微波功率放大器和微波毫米波集成电路。
scaln gan 电子迁移率晶体管及其制作方法

[实用新型]一种环保型污水处理用氧化催化装置-CN202122427969.5有效
发明人：张蕾;曾国平;苏明伟;段连生;宦忠虎;李蓝星 -专利权人：湖北第二师范学院
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C02F1/72 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种环保型污水处理用氧化催化装置，属于污水技术领域，包括装置本体，所述装置本体的顶部固定连接有搅拌过滤机构，所述搅拌过滤机构的底部贯穿至装置本体的内腔，所述搅拌过滤机构的右侧活动连接有盖板，所述盖板的底部与装置本体的顶部接触，所述装置本体的右侧固定连接有定位机构，所述定位机构与盖板配合使用，所述搅拌过滤机构的内壁固定连接有搅拌杆，所述搅拌杆的数量为四个，所述装置本体的底部固定连接有支撑腿。本实用新型通过设置搅拌过滤机构，能够使水能够在装置本体的内部与试剂进行充分的融合，从而可提高污水净化处理的效果，可完成对杂质清理的目的，减少了净化处理时的成本。
一种环保污水处理氧化催化装置

[发明专利]BAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110392334.8在审
发明人：薛军帅;姚佳佳;郝跃;张进成;孙志鹏;吴冠霖;杨雪妍;李蓝星;张赫朋;刘芳 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种BAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化物微波功率器件同质外延界面漏电及工作频率低的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、GaN沟道层(3)、AlN插入层(4)和势垒层(6)，该插入层与势垒层之间设有In组分x在14％‑20％之间的InxAl1‑xN帽层(5)；势垒层为B组分y为5％‑20％的ByAl1‑yN材料；该势垒层上依次设有势垒保护层(7)和绝缘栅介质层(8)，该帽层至绝缘栅介质层的两侧设有制作源、漏电极的欧姆接触区。本发明无同质外延界面寄生漏电，器件工作频率高，输出电流密度大，制作工艺简单，可用于微波功率放大器和微波毫米波单片集成电路。
baln gan 电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]镓极性面氮化镓材料及同质外延生长方法-CN202110060189.3在审
发明人：薛军帅;杨雪妍;李蓝星;姚佳佳;孙志鹏;张赫朋;刘芳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓极性面氮化镓材料及同质外延生长方法，主要解决现有镓极性面氮化镓材料位错密度高、表面形貌差、背景载流子浓度高、生长工艺控制难度大和一致性差的问题。其材料结构，自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、氮化镓外延层(3)，其中过渡层采用InAlN或ScAlN或YAlN，衬底采用镓极性c面氮化镓单晶衬底。其制作步骤为：在衬底基片上，利用分子束外延方法生长厚度为1nm～10nm的过渡层；保持反应室温度、氮气流量和氮气射频源功率不变，在过渡层上生长氮化镓外延层。本发明材料结晶质量高、表面形貌光滑、背景载流子浓度低、生长工艺简单且一致性高，可用于制作高频微波功率器件和高速电力电子开关器件。
极性氮化材料同质外延生长方法

[发明专利]氮极性面GaN材料及同质外延生长方法-CN202110060278.8在审
发明人：薛军帅;李蓝星;姚佳佳;杨雪妍;孙志鹏;张赫朋;刘芳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮极性面GaN材料及其制作方法，主要解决现有氮极性面GaN材料位错密度高、表面形貌差、非故意掺杂背景载流子浓度高、生长工艺控制难度大的问题。其材料结构自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、GaN外延层(3)，其中过渡层采用InAlN或ScAlN或YAlN，衬底采用非斜切面的氮极性面氮化镓单晶。其制作步骤为：在衬底基片上，利用分子束外延方法生长厚度为1nm‑10nm的过渡层；用分子束外延方法，在过渡层上生长GaN外延层。本发明材料结晶质量高，表面形貌光滑，背景载流子浓度低，生长工艺简单，工艺重复性和一致性高，可用于制作高电子迁移率晶体管和高速微波整流二极管。
极性 gan 材料同质外延生长方法

[发明专利]氮极性面GaN材料及其制作方法-CN202110005849.8在审
发明人：薛军帅;孙志鹏;李蓝星;杨雪妍;姚佳佳;张赫朋;刘芳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮极性面GaN材料及其制作方法，主要解决现有氮极性面GaN材料结晶质量差、表面形貌粗糙、背景载流子浓度高、制作工艺流程复杂等问题。其材料结构，自下而上包括衬底、ScN成核层、氮极性面GaN外延层。其制作步骤为：在衬底基片上，利用分子束外延方法生长厚度为10nm‑100nm的ScN成核层；用分子束外延方法，在ScN成核层上生长GaN外延层，完成材料制备。本发明材料结晶质量高，表面形貌光滑，背景载流子浓度低，生长工艺简单，工艺重复性和一致性高，可用于制作高电子迁移率晶体管和微波毫米波单片集成电路。
极性 gan 材料及其制作方法

[发明专利]一种GaN异质结材料及其制作方法-CN202011506533.9在审
发明人：薛军帅;刘芳;张进成;郝跃;张赫朋;孙志鹏;李蓝星;姚佳佳;杨雪妍 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN异质结材料同质外延生长方法，主要解决现有氮化物异质结材料同质外延界面漏电及载流子输运特性差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、GaN缓冲层(3)、沟道层(4)、AlN插入层(5)、AlGaN帽层(6)、InAlGaN势垒层(7)和势垒保护层(8)。其中成核层、GaN缓冲层、沟道层、AlN插入层和AlGaN帽层均采用MOCVD工艺生长；InAlGaN势垒层和势垒保护层均采用采用MBE工艺生长。本发明避免了同质外延界面寄生漏电，减小了异质结材料的位错密度，提高了材料结构设计的自由度，且载流子输运特性好，生长工艺简单，可用于制备高电子迁移率晶体管和肖特基二极管。
一种 gan 异质结材料及其制作方法

[实用新型]一种辅助行走装置-CN201922493671.7有效
发明人：李春波;李蓝星 -专利权人：重庆云店街科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： A61H3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种辅助行走装置，包括用于支撑身体的骨架和固定连接于骨架下方驱动辅助的行走机构，所述骨架包括腰箍，所述腰箍由前半箍和后半箍一端铰接，另一端扣合而成，所述腰箍上设置有控制器及控制面板，所述控制面板的输出端连接控制器的输入端，所述控制器的输出端连接行走机构，通过利用行走机构的行走腿和行走轮以及活动关节来控制人的移动，解决了老年人行动不便，不能行走活动的问题。
一种辅助行走装置

[实用新型]助浴机器人-CN201922488989.6有效
发明人：李春波;李蓝星 -专利权人：重庆云店街科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： B25J11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种助浴机器人，包括浴桶，浴桶内顶部及下部设置若干个用于淋浴的喷头，喷头由安装在浴桶外部的水泵驱动，水泵与浴桶外壁上的控制器连接，浴桶由第一半圆桶与第二半圆桶拼合而成，浴桶顶部设置悬挂支架，悬挂支架上周向等间距设置三个拉环，拉环通过拉索接于用于支撑人体的套环，浴桶底部设置出水口。本实用新型的助浴机器人，适用于行动不便的人的淋浴，设置悬挂支架，将洗浴的人通过拉索和套环固定至悬挂支架上，解决了行动不便的人不能自行洗浴的问题，无需多人陪同，只需一人帮助需要洗浴的人固定至悬挂支架上，以及进行后续的洗浴过程，减少了人力和物力，使行动不便的人也有了良好的洗浴环境。
机器人

[实用新型]一种扫雷锚锤-CN201921203331.X有效
发明人：王辛;牛腾冉;张南;曹禹;丁海斌;何西常;王礼军;李蓝星;谭欣 -专利权人：中国人民解放军陆军工程大学
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： F41H11/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种扫雷锚锤，包括底座，所述底座的一侧内表面设置有螺钉,所述底座的上端外表面设置有钩叶，所述钩叶的上端外表面设置有顶帽，所述顶帽的上端外表面设置有固定环，所述固定环的上端外表面设置有牵引绳。本实用新型所述的一种扫雷锚锤，通过设置的底座、螺钉、钩叶、与顶帽，整体设计不影响稳定性，采用8钩叶设计，叶夹角45°，对比6钩叶的设计，能够保证绊线与扫雷锚锤任意横切面位置接触时，总会挂到一个钩叶，具备携带方便，操作简单，安全可靠等优点，可以有效解决当前部队缺乏制式搜排绊发雷的装备，为部队在战场上节约排雷时间和提高部队行进速度以及保障维和官兵生命安全提供了可能。
一种扫雷

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