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[发明专利]MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法-CN202011433575.4有效
发明人：李梦华;罗军;许静 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOS晶体管及利用离子注入提高源漏掺杂浓度的方法，该MOS晶体管包括具有栅极的衬底；源漏区，位于所述栅极的两侧；所述源漏区包括第一区域以及位于其上方的第二区域，所述第一区域为采用离子注入方式形成；所述第二区域为在所述第一区域上采用预非晶化注入(PAI)以及离子注入形成。该MOS晶体管中在源漏区的表层区域形成第二区域，并且该第二区域为在第一区域上进行预非晶化注入(PAI)以及离子注入形成，可提高源漏掺杂浓度。
mos 晶体管利用离子注入提高掺杂浓度方法

[实用新型]一种双折射激光晶体偏振轴向的判断装置-CN202223448500.0有效
发明人：周密;亓岩;颜博霞;王延伟;韩哲;王宇;范元媛 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本申请提供一种双折射激光晶体偏振轴向的判断装置，该判断装置包括：沿光路依次设置的泵浦部件、泵浦光偏振部件、激光晶体载体、荧光偏振部件、荧光处理部件、荧光检测部件及显示判断部件；泵浦部件提供泵浦光；泵浦光偏振部件将泵浦光调整为偏振泵浦光；双折射激光晶体产生荧光；荧光偏振部件通过目标偏振方向的荧光；荧光处理部件将荧光处理成预设尺寸和光强的光束；荧光检测部件通过光电转换将检测到的荧光转换为荧光信息；显示判断部件显示所述荧光信息，并根据所述荧光信息判断双折射激光晶体的偏振方向。本申请中，利用双折射激光晶体的偏振吸收特性可以判断激光晶体的偏振轴向，从而快速有效地调整激光晶体的偏振轴向。
一种双折射激光晶体偏振轴向判断装置

[实用新型]激光测距数据采集装置-CN202320743304.1有效
发明人：刘汝卿;朱精果;李锋;蒋衍;姜成昊;孟柘 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种激光测距数据采集装置，可应用于激光测距技术领域。该装置包括：信号采集处理模块和人机交互模块。其中，信号采集处理模块包括放大器、高速比较器、FPGA SOC芯片、ADC芯片、SD卡、晶振芯片、电平转换接口和以太网数据传输接口。FPGA SOC芯片包括可编程逻辑单元和处理单元，可编程逻辑单元包括时间窗口模块、时间间隔测量模块、多脉冲累加算法处理模块、数据处理模块，数据传输模块。本实用新型提供的激光测距数据采集装置，能够在两种不同模式下对探测目标进行实时动态测距，且实时传回距离值，具有电路简单、成本低、实时性高、远距离探测、噪声干扰小的优势，有效提高了测距准确性和目标监测的可靠性。
激光测距数据采集装置

[发明专利]流水线模数转换器校准方法-CN202210213870.1在审
发明人：余江锋;贾涵博;郭轩;吴旦昱;周磊;武锦;刘新宇 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种流水线模数转换器校准方法，包括：采用流水线模数转换器对测试信号进行转换，记录流水线模数转换器各级输出的二进制码以及随机数控制码；设计对应于多级流水线的注入电容修正参数、采样电容修正参数以及注入噪声修正参数；依据二进制码、随机数控制码、注入电容修正参数、采样电容修正参数以及注入噪声修正参数，构建输出模型；对输出模型中的注入电容修正参数、采样电容修正参数以及注入噪声修正参数进行初始化，获得遗传算法的染色体种群；对多级流水线逐级进行染色体种群进化，确定注入电容修正参数、采样电容修正参数以及注入噪声修正参数。本发明在前台校准过程中将随机噪声的注入一并进行校准，可实现良好的谐波打散效果，并能衔接后台校准。
流水线转换器校准方法

[发明专利]一种晶体管及其制造方法-CN202310423480.1在审
发明人：李永亮;赵飞 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以在降低树型晶体管包括的源区和栅极之间、以及漏区与栅极之间的寄生电容的同时，提升自身的驱动性能。所述晶体管包括：半导体基底、有源结构、栅堆叠结构和隔离结构。有源结构中沟道区包括材料不同的第一纳米结构和第二纳米结构。第一纳米结构和第二纳米结构均分别与源区和漏区接触。每层第一纳米结构与半导体基底之间具有空隙。每层第二纳米结构位于相应空隙内。沿沟道区的宽度方向，每层第二纳米结构的至少一个侧壁相对于相应第一纳米结构的侧壁向内凹入，形成第一凹口。栅堆叠结构形成在沟道区的外周。隔离结构位于第一凹口内，且设置在栅堆叠结构与源区、以及栅堆叠结构与漏区之间。
一种晶体管及其制造方法

[发明专利]TSV阵列的热机械可靠性布局优化方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310803493.1在审
发明人：刘建云;徐勤志;曹鹤;李志强 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种TSV阵列的热机械可靠性布局优化方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：根据TSV阵列排布，求解结构的热应力分布结果，基于热应力分布结果，利用预设算法对TSV阵列的热机械可靠性进行寻优，得到热机械可靠性最优的TSV阵列布局，能够在设计阶段发现结构中可能存在的应力热点，进行阵列排布改进，提高工艺良率；此外，还可以预测TSV阵列的热机械可靠性结果，进行分析从而优化工艺流程，得到更为可靠的结构布局，降低对后段工艺造成的影响，缩短设计到制造的周期。
tsv 阵列机械可靠性布局优化方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种异质键合结构的制备方法及异质键合结构-CN202310909467.7在审
发明人：周虹珊;王磊;李博;陆芃;李晓静;朱慧平;高林春;张学文;杨灿 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质键合结构的制备方法及异质键合结构，通过在第一晶圆的键合面刻蚀形成微流道结构，且微流道结构包括呈蜂巢状排布的多个正六边形微流道，从而形成优良的热、气输运网络，以在第二晶圆的键合面和第一晶圆的键合面键合时，使得正六边形微流道所包围的非流道区在键合过程中产生的气体可以非常容易地排放到周围的微流道中，继而排出，减少或防止异质晶圆键合过程中气泡的残留，并且，在后续对第一晶圆和第二晶圆键合后的复合结构进行退火处理时，微流道结构还可以为释放退火处理过程中产生的热应力提供空间余量，减小复合结构在退火过程中产生的热应力而带来的不良影响，整体上提高异质键合结构的质量。
一种异质键合结构制备方法

[发明专利]一种基于暗场成像过焦扫描的层叠缺陷分离方法及装置-CN202311055134.9在审
发明人：王娜 -专利权人：合肥工业大学;中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于暗场成像过焦扫描的层叠缺陷分离方法及装置。该方法包括：利用过焦扫描光学显微技术对标准样品的干扰缺陷进行扫描，得到基于暗场成像的干扰缺陷的弥散斑图像，并利用图像映射模型处理干扰缺陷的弥散斑图像，得到图像映射关系数据库；利用过焦扫描光学显微技术从光轴方向上对待测样品进行扫描，得到待测样品的灰度图；基于图像映射关系数据库，通过差分操作对待测样品的灰度图进行分离，得到亚表面缺陷的灰度变化图；对亚表面缺陷的灰度变化图像进行特征截取并将截取所得到的特征进行矩阵运算，得到待测样品的亚表面缺陷的过焦扫描光学显微图像；基于亚表面缺陷的过焦扫描光学显微图像得到待测样品的亚表面缺陷的属性信息。
一种基于暗场成像扫描层叠缺陷分离方法装置

[发明专利]NOR型存储器件及其制备方法与电子设备-CN202310659374.3在审
发明人：朱慧珑;颜紫金 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B43/40 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种NOR型存储器件及其制备方法与电子设备。本申请的存储器件包括衬底，位于衬底上方的存储单元层，存储单元层包括依次叠置的源/漏层和沟道层，以及在存储单元层内形成的相对于衬底竖直延伸以穿过存储单元层的栅堆叠，栅堆叠包含第一栅导体层及设于第一栅导体层外周的存储功能层，在栅堆叠下方设有外延晶体管，第二栅导体层作为外延晶体管的栅极且绕外延晶体管周向设置；外延晶体管用于控制并提供非工作状态下的第一栅导体层的电流加载，在该大电流下，第一栅导体层导电放热，器件的局部温度得到提高，达到给存储功能层退火的技术效果，最终修复了存储功能层损伤并延长了数据保持时间，提高了器件的可靠性。
nor 存储器件及其制备方法电子设备

[发明专利]一种功率放大器的设计方法及功率放大器、电子设备-CN202310822460.1在审
发明人：胡爱珍;冷永清;邱昕;武凯 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开一种功率放大器的设计方法及功率放大器、电子设备，涉及集成电路技术领域，以解决在实现功率放大器的带宽扩展的同时，会增加匹配电路的设计难度的问题。所述设计方法包括：基于预设的功率增益与功率放大器的拓扑结构之间的对应关系，结合目标功率增益，确定功率放大器中至少包括两级放大电路以及三级匹配电路。基于预设的输出功率与放大电路的电路结构之间的对应关系，结合目标输出功率，分别确定每一级放大电路的电路结构。分别获取每一级放大电路的电路结构对应的目标源阻抗以及对应的目标负载阻抗。利用简化实频匹配，根据工作带宽、对应的目标源阻抗以及对应的目标负载阻抗，分别确定每一级匹配电路的电路结构。
一种功率放大器设计方法电子设备

[发明专利]一种真空管线清洁系统及方法-CN202110018476.8有效
发明人：金暻台;高建峰;李琳;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人： 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B08B9/027 文献下载
摘要：本发明公开一种真空管线清洁系统及方法，涉及半导体制造技术领域，以在减少维护成本的同时，降低等离子清洁真空管线对工艺腔正常工作的干扰。所述该真空管线清洁系统包括：至少一台远程等离子清洗设备、至少一个真空管线和至少一个工艺腔。每条真空管线与相应工艺腔连通，每台远程等离子清洗设备位于相应工艺腔的外部，每台远程等离子清洗设备与相应真空管线连通。所述真空管线清洁方法应用上述真空管线清洁系统。本发明提供的真空管线清洁方法用于清洁真空管线。
一种真空管线清洁系统方法

[发明专利]一种存储电路以及存储阵列-CN202210225369.7有效
发明人：吴旦昱;张育镇;刘新宇;栾舰;王丹丹 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开一种存储电路以及存储阵列，涉及半导体技术领域，以在用户向存储电路写入数据时，在一定程度上避免误写入的情况，从而提升存储电路的可靠性。所述存储电路，包括存取单元电路以及第一控制电路。第一控制电路的输入端与m个比特信号输入端对应电连接，输出端与存取单元电路的电源端电连接，电源端与熔丝信号端电连接。第一控制电路用于在m个比特信号满足第一预设条件，以及熔丝信号满足第二预设条件的情况下，向存取单元电路供电。其中，m为正整数。存取单元电路的数据存储端与熔丝信号端电连接，当熔丝信号满足第二预设条件时，存取单元电路用于对写入数据端写入的数据进行存储。所述存储阵列包括上述技术方案所提的存储电路。
一种存储电路以及阵列

[发明专利]一种光纤拉远处理器模组结构-CN202110362792.7有效
发明人：薛海韵 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光纤拉远处理器模组结构，解决了高频信号传输过程中带宽以及传输效率受限的问题。该结构包括多个光互连结构、开关组件、第一/第二印刷电路板以及处理器芯片；光互连结构和开关组件平行设置于第一印刷电路板上表面，光互连结构用于实现低速电信号与载波光学信号之间的转换，开关组件用于控制光互连结构与处理器芯片之间的导通或关断；第二印刷电路板平行设置于第一印刷电路板下表面，并通过电连接器与第一印刷电路板电连接；处理器芯片，用于产生或接收低速电信号，位于第二印刷电路板下表面，并通过第二印刷电路板、电连接器以及第一印刷电路板与光互连结构电连接。减小了电信号的传输距离，以更低功耗实现更大带宽的信号传输。
一种光纤远处模组结构

[实用新型]激光探测环境感知装置-CN202320271261.1有效
发明人：朱精果;姜成昊;乔治;姜玉华;胡志宏;袁野;刘汝卿;孟柘;叶征宇 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01S17/931 文献下载
摘要：本实用新型提供一种激光探测环境感知装置，涉及激光探测设备领域，其包括机体；激光探测机构，设于所述机体上，所述激光探测机构包括：激光器和光电探测组件，所述激光器设有两个，两个所述激光器相对设置于所述机体上，不同的所述激光器发射激光的波段不同，所述光电探测组件设于所述机体上且设有两组，两组所述光电探测组件与两个激光器一一对应，所述光电探测组件用于将激光的光信号转化为电信号；控制机构，与所述光电探测组件电连接，所述控制机构用于将电信号进行分析后得到环境感知信息。本实用新型具有能够实现高效率多光谱主动探测和提高探测效率的效果。
激光探测环境感知装置

[发明专利]一种新型铪基铁电存储器及其制备方法-CN202310802656.4在审
发明人：王艳;陈美文;罗庆;吕舒贤;王博平;陈远翔 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本说明书实施例提供了一种新型铪基铁电存储器及其制备方法，存储器包括：顶电极、底电极、两层铁电层和一层中间层；所述中间层设置在所述两层铁电层之间；所述中间层的原子层沉积循环比率与所述铁电层不同，且所述中间层的材料与所述铁电层相同并具备铁电性；所述两层铁电层和所述中间层设置在所述顶电极和所述底电极之间。本申请提供的技术方案用以解决现有技术中多次重复读写过程会使得存储器出现不可避免的耐久性的问题。
一种新型铪基铁电存储器及其制备方法