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[发明专利]光刻热点图形的数据增强及检测、检测模型的训练方法-CN202310520329.X在审
发明人：马铂杰;粟雅娟;韦亚一 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06V10/774 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻热点图形的数据增强及检测、检测模型的训练方法，光刻热点图形的数据增强方法包括：获取多个光刻热点图形，并确定所述多个光刻热点图形中每个光刻热点图形的类别；基于每一类光刻热点图形，确定每一类光刻热点图形对应的预训练好的生成对抗网络；基于所述预训练好的生成对抗网络，确定所述每一类光刻热点图形的增强样本。基于此，实现得到大量且有效的光刻热点图形数据。
光刻热点图形数据增强检测模型训练方法

[发明专利]一种功率放大器及通信装置-CN202310679097.2在审
发明人：武凯;冷永清;邱昕;荆有波;胡爱珍 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开一种功率放大器及通信装置，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有功率放大器的相对工作带宽与带内平均PAE较低，无法兼顾功率放大器的超宽带和高效率的问题。所述功率放大器包括依次电连接的输入电路、第一放大电路、级间匹配电路、第二放大电路以及输出电路。输入电路向第一放大电路输出经过输入匹配处理的第一匹配射频信号，第一放大电路向级间匹配电路输出经过第一次放大处理的第一放大信号，级间匹配电路向第二放大电路输出经过级间匹配处理的第二匹配射频信号，第二放大电路向输出电路输出经过第二次放大处理以及功率合成后的第二放大信号，输出电路对第二放大信号依次基波阻抗匹配处理和谐波抑制处理后输出目标功率放大信号。
一种功率放大器通信装置

[发明专利]一种基于光电器件的存储池运算方法和电子设备-CN202310263706.6在审
发明人：尚大山;江南佳;李熠;张握瑜;方仁瑞 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本申请公开一种基于光电器件的存储池运算方法和电子设备，涉及机器学习及人工智能领域，应用于光学器件中所搭载的自适应延时存储网络中，自适应延时存储网络包括神经网络单元和水平调制网络单元；水平调制网络单元包括依次连接的光电流输入层模块、第一全连接层模块、第二全连接层模块和调制栅压输出层模块，光电流输入层模块接收存储池层模块以响应电流形式输出的虚拟节点状态；第一全连接层模块和第二全连接层模块对多个响应电流进行数据处理，确定多个响应电流对应的电流特征向量信息；调制栅压输出层模块将多个响应电流信息由映射函数转换为调制栅压值，并将调制栅压值传输至存储池层模块，在对应的调制栅压值下得到目标光电响应输出信息。
一种基于光电器件存储运算方法电子设备

[发明专利]多光谱视觉显著性的弱小舰船目标跟踪方法、设备及介质-CN202310270255.9在审
发明人：孟樊;赵国灿;张国军 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06T7/277 文献下载
摘要：本发明提供了一种多光谱视觉显著性的弱小舰船目标跟踪方法、设备及介质，方法包括：通过利用多视觉显著特征融合的策略分割候选舰船斑块，在单帧影像每个波段上进行海域舰船检测，以获得疑似舰船目标的质心位置、大小和相应波段的灰度特征；对于多个谱段影像所检测的目标位置进行了全局最近邻关联，以获取最终的可靠舰船目标；通过多模态数据之间的多目标关联匹配，对每帧影像的舰船位置进行精确的几何校正；设计了一种改进的基于多光谱辐射和尺寸特征的多假设跟踪算法，用于跟踪舰船轨迹并估计其运动状态。通过本申请能够以非常高的精确度和召回率有效地检测和跟踪GF‑4遥感影像序列中的弱小舰船目标，产生当前最先进的性能。
光谱视觉显著弱小舰船目标跟踪方法设备介质

[发明专利]适用于柔性衬底的传感单元及其制备方法、多点传感阵列-CN202310628971.X在审
发明人：李伟伟;耿玓;卢年端;李泠 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了适用于柔性衬底的传感单元及其制备方法、多点传感阵列，涉及触感传感器技术领域，以提供一种在传感矩阵的像素内实现像素内信号的放大并降低像素之间的信号串扰的技术方案，包括纳米线结构，第一双栅晶体管和第二双栅晶体管；纳米线结构的第一端与偏置电压提供端电连接，纳米线结构的第二端与第一双栅晶体管的源极和第一栅极电连接，第一双栅晶体管的第二栅极与第一控制端电连接，第一双栅晶体管的漏极接地；第二双栅晶体管的源极与偏置电压电连接，第二双栅晶体管的第一栅极连接于纳米线结构的第二端和第一双栅晶体管的源极之间，第二双栅晶体管的第二栅极与第二控制端电连接，第二双栅晶体管的漏极用于向外部提供输出信号。
适用于柔性衬底传感单元及其制备方法多点阵列

[发明专利]一种压电式压力传感器-CN202210161818.6在审
发明人：周凯月;李佳;王玮冰;陈大鹏 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电式压力传感器，涉及传感器技术领域。用于解决现有的压电式压力传感器测试或校准复杂、成本高、效率低的技术问题。方案包括：敏感结构，敏感结构包括压电薄膜，压电式压力传感器还包括驱动结构和处理器；驱动结构在接收激励信号时驱动压电薄膜发生形变，以使敏感结构输出压电响应信号；处理器基于压电响应信号对压电式压力传感器进行评测和/或校准。本发明可以不采用ATE设备，进行自测试，可以降低测试成本，提高测试效率，提高产品良率。
一种压电压力传感器

[发明专利]碳化硅基板及其制作方法、功率模块-CN202210163509.2在审
发明人：张小宾;廖安谋;王云 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅基板及其制作方法以及一种功率模块，与现有功率模块封装中采用热导率较低的覆铜陶瓷基板粘接内嵌有微通道的铜散热基板，使得功率器件的热量需经过两层铜金属层、陶瓷衬底及导热胶后才能到达内嵌有流通冷却液的微通道的铜散热基板相比，该碳化硅基板舍弃了热导率较低的陶瓷衬底，采用热导率更高的碳化硅衬底，并直接在碳化硅衬底内设置微通道，使得功率器件产生的热量只需经一层金属层就可以到达内嵌有流通冷却介质的微通道的碳化硅衬底，从而大大缩短了功率器件到达碳化硅衬底内嵌的微通道中流通的冷却介质的热传递路径，减小了热阻，提高了功率模块封装基板的散热效率，实现了快速降低功率器件结温的目的。
碳化硅及其制作方法功率模块

[发明专利]载片系统及物料传递方法-CN202010930845.6有效
发明人：王魁波;吴晓斌;谢婉露;罗艳;沙鹏飞;韩晓泉 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种载片系统及物料传递方法，载片系统包括腔室、充气装置、抽气装置和温度调节装置，腔室包括依次连通的大气腔、载片腔和工艺腔，大气腔与载片腔之间设置有第一物料阀，载片腔与工艺腔之间设置有第二物料阀；大气腔的内部设置为大气压环境，工艺腔的内部设置为真空环境；充气装置与载片腔连通，充气装置用于对载片腔充气以使载片腔的内部形成大气压环境；抽气装置与载片腔连通，抽气装置用于对载片腔抽气以使载片腔的内部形成真空环境；温度调节装置与载片腔连通以调节载片腔内的温度。本申请通过控制载片腔的气压环境和温度，以载片腔作为过渡腔，实现了物料在大气腔与工艺腔之间的传递，保证了工艺腔的清洁度和物料温度的稳定性。
系统物料传递方法

[实用新型]多通道复用光耦合芯片-CN202320620466.6有效
发明人：胡涛;姜成昊;朱精果;刘思远;韩春蕊;袁野;李锋 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅光芯片的异质集成技术领域，提供了一种多通道复用光耦合芯片，包括硅光单元和光敏探测器。硅光单元包括第一衬底；传输组件，设置在第一衬底上，传输组件包括：至少一个光栅天线，依次设置在第一衬底上，分别适用于接收外部输入的光信号；光敏探测器，设置在光栅天线上，适用于将接收的由光栅天线传输的光信号进行光电转换得到电信号。将多个波导光栅天线复用到一个光敏探测器，进行光信号的耦合，实现了多对一的耦合复用结构。
通道用光耦合芯片

[发明专利]功率器件的封装结构及封装方法-CN202210156727.3在审
发明人：王可;高见头;曾传滨;孙澎;周净男;蔡小五;赵发展 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的封装结构及封装方法，包括功率器件的芯片、底座、至少一个高阻外接引脚、至少一个低阻外接引脚和多根键合丝；所述底座用于支撑所述芯片，所述芯片具有至少一个大功率焊盘和至少一个小功率焊盘，每个所述大功率焊盘通过一根所述键合丝与一个所述低阻外接引脚电连接，每个所述小功率焊盘通过一根所述键合丝与一个所述高阻外接引脚连接。该封装结构可以有效降低封装引入的导通电阻的阻值，防止因封装引入的导通电阻的阻值过大，造成的功率器件芯片发热损坏等问题。
功率器件封装结构方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210146264.2在审
发明人：卞成洙;项金娟;贺晓彬;李亭亭;杨帅 -专利权人： 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，通过在基底所包括的隔离结构内开设沟槽图形，以消除基底翘曲，从而防止电路结构的形状变形，使得半导体器件具有稳定的工作性能。所述半导体器件包括基底。基底包括隔离结构以及至少两个电路结构。隔离结构覆盖在至少两个电路结构上。隔离结构内开设有沟槽图形。至少两个电路结构位于沟槽图形围成的区域内。沟槽图形用于消除基底翘曲。所述半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案提供的半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种研磨装置、抛光设备和抛光方法-CN202210146241.1在审
发明人：具滋贤;张月;杨涛;卢一泓;田光辉 -专利权人： 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种研磨装置、抛光设备和抛光方法，涉及半导体技术领域，以解决对晶圆的正面和背面同时进行抛光表面处理效率低的问题。所述研磨装置包括：外部磨头和内部磨头。当研磨装置处于组装状态时，外部磨头套设在内部磨头上。本发明提供的一种研磨装置、抛光设备和抛光方法用于半导体器件、半导体芯片制造。
一种研磨装置抛光设备方法

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202210146243.0在审
发明人：尹洪权;杨涛;胡艳鹏;李俊峰;王文武 -专利权人： 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件的制作方法，涉及半导体技术领域，采用湿法刻蚀和干法刻蚀两种方式去除牺牲层，降低支撑结构的厚度，增大下电极与介电层的接触面积，使得电容器具有的电容量变大，从而提升半导体器件的存储性能。所述半导体器件的制作方法包括：提供一基底。在基底上形成至少一个叠层结构。每个叠层结构包括牺牲层、以及位于牺牲层上的支撑结构，牺牲层和支撑结构内开设有过孔。在过孔的孔壁和孔底形成下电极。采用湿法刻蚀方式去除预定高度的牺牲层。采用干法刻蚀方式去除剩余牺牲层。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]光刻胶去除装置和光刻胶去除方法-CN202210148380.8在审
发明人：申弘植;卢一泓;李琳;杨涛;胡艳鹏;张月 -专利权人： 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶去除装置和光刻胶去除方法，其中，光刻胶去除装置包括：清洗腔、卡盘和喷头；所述卡盘和所述喷头均位于所述清洗腔内；所述卡盘用于支撑晶圆；所述喷头用于喷洒去胶液；所述卡盘内固定设置有加热件；所述加热件用于对所述卡盘所支撑的晶圆进行加热。本发明能够提高去除光刻胶的效率，减少去胶液的用量，减少工艺时间，降低去除光刻胶的工艺成本。
光刻去除装置方法

[发明专利]一种输送设备、滤罐更换方法和成膜系统-CN202210148637.X在审
发明人：徐官基;白国斌;高建峰;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人： 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： F17D3/01 文献下载
摘要：本发明公开一种输送设备、滤罐更换方法和成膜系统，涉及半导体制造技术领域，以利用密封接头降低排放成本的同时，缩短滤罐更换时间。所述输送设备包括第一可控导流管、第二可控导流管以及套设在所述第一可控导流管和所述第二可控导流管上的密封套；所述密封接头具有导通状态和关闭状态。第一可控导流管和第二可控导流管均用于在导通状态导通，在关闭状态下关闭。第一可控导流管和第二可控导流管在导通状态下具有第一缝隙。密封套用于在导通状态密封第一缝隙。本发明提供的输送设备用于成膜系统中。
一种输送设备更换方法系统