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[发明专利]TSV阵列的热机械可靠性布局优化方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310803493.1在审
发明人：刘建云;徐勤志;曹鹤;李志强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种TSV阵列的热机械可靠性布局优化方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：根据TSV阵列排布，求解结构的热应力分布结果，基于热应力分布结果，利用预设算法对TSV阵列的热机械可靠性进行寻优，得到热机械可靠性最优的TSV阵列布局，能够在设计阶段发现结构中可能存在的应力热点，进行阵列排布改进，提高工艺良率；此外，还可以预测TSV阵列的热机械可靠性结果，进行分析从而优化工艺流程，得到更为可靠的结构布局，降低对后段工艺造成的影响，缩短设计到制造的周期。
tsv 阵列机械可靠性布局优化方法装置电子设备存储介质

[发明专利]等效物性参数确定方法及装置-CN202310661480.5在审
发明人： 徐勤志;王成晗;聂川俊;曹鹤;刘建云;李志强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种等效物性参数确定方法及装置，可以对目标集成电路版图进行解析，得到各层图像结构的多边形对应的图形信息，其中，所述目标集成电路版图包括多层所述图像结构，每层所述图像结构包括多个所述多边形；针对任一层所述图像结构，对所述图像结构进行分格，得到多个网格；针对任一所述网格，确定与所述网格有交集的各所述多边形；针对任一所述网格，根据与所述网格有交集的各所述多边形的图形信息，确定所述网格的等效物性参数。由此可以看出，本发明可以基于网格，对目标集成电路版图的物性参数进行等效计算，无需对具体电路元件进行计算，不仅满足了精度的要求，还提高了计算效率。
等效物性参数确定方法装置

[发明专利]一种CMP离散数据曲面重构方法及装置-CN201810959807.6有效
发明人： 徐勤志;杨飞;陈岚;曹鹤 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06T17/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMP离散数据曲面重构方法及装置，包括根据获得的初始CMP离散数据，生成离散数据重构的初始计算网格，并确定坐标平面；对坐标平面确定的构造点的邻域和外围区域进行初始赋值，获得构造点的初始函数值；依据离散数据的基准点的坐标位置和构造点的初始函数值，对离散数据进行连续延拓和修正处理，获得离散数据对应的初始重构二维曲面；对初始重构二维曲面进行光滑处理，获得光滑重构曲面；对光滑重构曲面进行插值处理，获得初始目标曲面；采用直角坐标表示初始目标曲面，获得离散数据对应的目标重构曲面。本发明可实现缩短CMP建模周期及提高建模效率的目的。
一种 cmp 离散数据曲面方法装置

[发明专利]一种CMP仿真模型的建立方法及系统-CN201710606884.9有效
发明人： 徐勤志;陈岚;郭叶 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种CMP仿真模型的建立方法，包括：根据研磨液中化学组分的化学反应以及研磨颗粒的机械去除机理，建立化学动力去除模型，所述化学动力去除模型的去除速率至少与化学组分的浓度以及机械研磨速率相关；根据晶圆表面和研磨颗粒的受力分析以及研磨垫的形变分析，建立晶圆与研磨颗粒及研磨垫的接触力学模型；建立研磨液化学组分在晶圆表面不同区域的浓度分布模型；根据所述接触力学模型和所述浓度分布模型，通过所述化学动力去除模型建立多物理去除模型。该模型可以深刻阐释晶圆表面材质的多物理去除机制，进而实现晶圆表面形貌以及工艺偏差的动态模拟，为CMP工艺中参数设置以及设计优化提供指导。
一种 cmp 仿真模型建立方法系统

[发明专利]一种CMP工艺仿真方法和系统-CN201810290687.5有效
发明人： 徐勤志;陈岚;杨飞;刘建云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种CMP工艺仿真方法和系统，该方法根据研磨材质表面受到的接触应力、研磨垫与研磨材质间的流体动压、研磨液各组分在研磨材质表面的浓度分布以及研磨去除率计算模型，获取研磨去除率。其中，研磨去除率计算模型是综合研磨液与研磨材质间化学反应、界面接触作用、研磨液流动润滑作用和传质的多体协同耦合去除作用构建得到的，因此，该CMP工艺仿真方法充分考虑了CMP过程中研磨垫与研磨材质之间的多物理耦合作用对研磨材质表面平坦性的影响，因此，该CMP工艺方法能够真实模拟CMP工艺过程，进而能够指导CMP工艺参数和可制造性设计优化。
一种 cmp 工艺仿真方法系统

[发明专利]一种高k金属栅的化学机械研磨工艺建模方法和装置-CN201710325974.0有效
发明人： 徐勤志;陈岚;孙旭 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种高k金属栅的化学机械研磨工艺建模方法和装置。该建模方法和装置包括：将所述层间介质层研磨后的终止表面形貌融入金属栅建模过程，建立金属栅的化学机械研磨工艺仿真模型。如此，该建模方法考虑了高k金属栅器件的下层结构(即层间介质层)的表面形貌对上层结构(即金属栅)表面形貌的影响，从而更加准确可靠地模拟高k金属栅的化学机械研磨工艺，因此，该建模方法考虑考了高k金属栅的表面形貌的叠层效应，由该建模方法得出的高k金属栅的化学机械研磨工艺的仿真模型能够更为准确地反映高k金属栅化学机械研磨的真实过程，能够更为准确地模拟芯片表面形貌的实时变化以及图形依赖的表面缺陷。
一种金属化学机械研磨工艺建模方法装置

[发明专利]一种FinFET器件浅沟道隔离的平坦化仿真方法及系统-CN201710339900.2有效
发明人： 徐勤志;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET器件浅沟道隔离的平坦化仿真方法，包括：将芯片版图进行网格划分，分别提取网格内的版图特征参数；获得氧化物淀积后的芯片淀积表面高度模型，以提供芯片的初始表面形貌高度，所述芯片淀积表面高度模型与版图特征参数相关；获得氧化物淀积后网格内的图形密度；根据淀积后网格内的图形密度和特征相关长度，获得网格内的图形有效密度；获得芯片表面网格内的接触压力分布；根据网格内的图形有效密度和接触压力分布，建立芯片的研磨去除速率模型；以芯片的初始表面形貌高度为初始值，根据芯片的形貌高度与研磨去除率方程之间的关系，进行芯片表面形貌仿真。本发明可满足FinFET器件浅沟道隔离平坦化仿真的需求。
一种 finfet 器件沟道隔离平坦仿真方法系统

[发明专利]一种确定CMP工艺蝶形缺陷位置的方法及装置-CN202110818227.7在审
发明人：曹鹤;陈岚;徐勤志;孙艳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本申请提供了一种确定CMP工艺蝶形缺陷位置的方法和装置，将芯片版图的空白区域划分为若干个矩形和/或三角形区域，由于金属线之间距离大于或等于第一预设值出现蝶形缺陷的可能性较大，因此，将金属线之间距离大于或等于第一预设值对应的空白区域作为敏感区域，根据敏感区域建立一级网格和二级网格，一级网格和二级网格的长度等于敏感区域的长度，根据一级网格和二级网格的结构信息进行等效参数提取，根据等效参数对芯片版图进行CMP模拟，从模拟结果中确定产生蝶形缺陷的位置和结构信息。由于一级网格和二级网格是根据敏感区域来建立的，能更准确确定CMP工艺蝶形缺陷的具体位置，从而可以有效规避芯片表面的局部区域的缺陷，实现CMP研磨工艺的平坦化。
一种确定 cmp 工艺蝶形缺陷位置方法装置

[发明专利]一种CMP工艺仿真方法和系统-CN201610865739.8有效
发明人： 徐勤志;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMP工艺仿真方法和系统，包括：提取网格化的待研磨芯片中任一网格区域内的图形特征参数；根据图形特征参数和膜层淀积速率方程，仿真获得网格区域沉积膜层后的初始表面高度；根据初始表面高度计算网格区域与研磨垫之间的接触压力，并根据接触压力计算网格区域的研磨去除速率；根据网格区域的初始表面高度和研磨去除速率对待研磨芯片表面进行形貌仿真，以获得待研磨芯片表面膜层的实时表面高度，从而可以实现鳍式场效应晶体管多晶硅栅CMP工艺的快速仿真，对芯片表面形貌及工艺偏差进行动态模拟，为鳍式场效应晶体管多晶硅栅的CMP工艺参数的优化和可制造性设计优化提供指导性建议。
一种 cmp 工艺仿真方法系统

[发明专利]一种FinFET器件的CMP工艺建模方法-CN201611193180.5有效
发明人： 徐勤志;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET器件的CMP工艺建模方法，包括：基于CMP工艺对FinFET器件进行机理分析，其中，所述机理分析包括：CVD沟槽填充机理分析和CMP工艺研磨机理分析；根据所述机理分析的结果，对所述FinFET器件进行CMP工艺建模，其中，CMP工艺建模包括：浅沟道隔离CMP工艺建模、多晶硅CMP工艺建模、第零层间绝缘CMP工艺建模和金属栅CMP工艺建模。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在于通过开发FinFET器件的CMP工艺建模技术，建立兼顾机理和效率的FinFET器件CMP仿真模型，以优化设计实现和工艺参数配置。
一种 finfet 器件 cmp 工艺建模方法

[发明专利]CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法及仿真系统-CN202010983030.4在审
发明人： 徐勤志;陈岚;曹鹤;刘建云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法及仿真系统，该方法包括：建立研磨液、研磨粒子、研磨垫与芯片表面间相互作用的动力学模型；根据动力学模型，获取研磨垫与芯片表面间的接触应力、研磨液在芯片表面的第一浓度分布、研磨粒子在芯片表面的第二浓度分布和研磨垫与芯片表面间的温度分布；根据接触应力、第一浓度分布、第二浓度分布和温度分布，计算芯片表面的研磨率；根据研磨率与芯片表面形貌的函数关系，建立CMP芯片表面形貌仿真模型。本发明提出的CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法及基于其的仿真系统，可以实现芯片表面形貌的跨尺度精确仿真。
cmp 芯片表面形貌仿真模型实现方法系统

[发明专利]一种高k金属栅表面形貌仿真的方法及系统-CN201610116482.6有效
发明人： 徐勤志;陈岚;刘宏伟;方晶晶 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高k金属栅表面形貌仿真的方法及系统，包括：根据工艺制程将高k金属栅CMP工艺流程依序划分成多个子流程，得到子流程序列；根据各子流程中的工艺构建对应各子流程的工艺模型；依序利用所述子流程序列中子流程的工艺模型仿真所述子流程，得到仿真后的表面形貌。由于该方法能考虑工艺流程中各工艺和初始表面形貌对最终研磨表面形貌的影响，可以对高k金属栅的表面形貌进行精确仿真。
一种金属表面形貌仿真方法系统

[发明专利]一种W CMP多物理工艺仿真方法及系统-CN201910086996.5有效
发明人： 徐勤志;陈岚;曹鹤;刘建云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本申请提供一种W CMP多物理工艺仿真方法及系统，通过考虑钨金属与研磨液之间的化学反应，以及钨金属和研磨垫间的机械去除反应，建立W CMP化学反应动力学模型和流体动力学模型，然后求解力平衡方程，最终建立一种W CMP多物理工艺仿真方法。本发明主要揭示了W CMP过程中的多种物理化学关系，从而更加真实地模拟CMP的去除过程，相比于现有CMP技术，模型更加合理和精确，物理意义更加明确。
一种 cmp 物理工艺仿真方法系统

[发明专利]基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法-CN202010369784.0在审
发明人：曹鹤;陈岚;徐勤志;孙艳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法，包括：步骤A.版图读入；步骤B.CMP模拟，初步确定CMP局部缺陷产生条件；步骤C.根据步骤B进行CMP敏感区域的提取，并将多边形敏感区域分割；步骤D.在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域外，建立一级网格；步骤E.在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域和步骤D建立的一级网格间，建立二级网格；步骤F.等效参数提取。本公开能够准确地检测并处理CMP工艺中的局部不平坦性问题，能够更加准确的检测CMP工艺中的局部缺陷问题，并对检测到的缺陷进行处理，有效规避芯片表面的局部区域的缺陷。
基于多重自由网格化学机械研磨工艺缺陷处理方法

[发明专利]一种计算CMP研磨去除率的方法及装置-CN201910240996.6有效
发明人： 徐勤志;陈岚;刘建云;曹鹤 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算CMP研磨去除率的方法及装置。该方法包括：依据晶圆表面与研磨液之间的化学反应机理，建立晶圆表面CMP化学反应方程式；基于CMP化学反应方程，建立晶圆表面化学反应的动力学去除模型；依据动力学去除模型，计算晶圆表面的研磨去除率。通过本发明，解决了不能快速精确地获取化学机械研磨技术中研磨去除率的问题。
一种计算 cmp 研磨去除方法装置

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