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[发明专利]基于7T1C结构的存储单元及其操作方法、存储器-CN202010957666.1有效
发明人：杨建国;刘超;吕杭炳;刘明 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C11/411 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于7T1C结构的存储单元及其操作方法、存储器。其中，该存储单元包括：6T结构和1T1C结构，6T结构用于数据1或0的输入和存储；1T1C结构与6T结构的第一存储节点连接，用于在6T结构断电时，存储数据1或0，并在6T结构通电时将数据1或0恢复至6T结构。通过本发明的1T1C结构，在不改变现有技术中的SRAM的读写电路的情况下，以简单的电路设计，保持了良好的结构兼容性，防止了漏电流的出现，同时避免了存储单元面积尺寸的增加，操作速度更快，静态功耗更低。
基于 t1c 结构存储单元及其操作方法存储器

[发明专利]一种压力传感器及其制作方法-CN202010347092.6有效
发明人：李婷;尚海平;王玮冰 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种压力传感器及其制作方法，该压力传感器包括具有相对的第一面及第二面的衬底、设置在衬底的第一面上的感压膜、设置在衬底的第二面上的压力腔、设置在衬底的第二面上的盖板。感压膜上设置有由四个压敏电阻组成的惠斯通电桥。四个压敏电阻包括两个纵向电阻和两个横向电阻；两个纵向电阻的电阻阻值相等，两个横向电阻的电阻阻值相等。纵向电阻的电阻阻值大于横向电阻的电阻阻值。通过设置两个纵向电阻的电阻阻值大于两个横向电阻的电阻阻值，利用惠斯通电桥上两个纵向桥臂与两个横向桥臂的电阻阻值的不对称设计，以引入与原有非线性趋势相反的非线性在电路层面补偿压力传感器的整体非线性，从而减小压力传感器的非线性误差。
一种压力传感器及其制作方法

[发明专利]集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备-CN202010840234.2有效
发明人：朱慧珑;朱正勇 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了一种集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备。根据实施例，集成电路单元可以包括：依次叠置在衬底上的用于第一器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及用于第二器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，在第一器件中，沟道层包括彼此分离的第一部分和第二部分，第一源/漏层和第二源/漏层分别一体延伸且与沟道层的第一部分和第二部分二者交迭；绕第一器件的沟道层的第一部分和第二部分的外周形成的第一栅堆叠；以及绕第二器件的沟道层的外周形成的第二栅堆叠，其中，各源/漏层和沟道层中至少一对相邻的层的上下的半导体材料不同。
集成电路单元包括电子设备

[发明专利]一种谐振式光学陀螺仪及角速度测量方法-CN202310416306.4在审
发明人：韩哲;亓岩;王宇;王延伟;颜博霞;周密;范元媛 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01C19/66 文献下载
摘要：本公开提供一种谐振式光学陀螺仪及角速度测量方法，陀螺仪包括：光学谐振单元、可调谐激光器、光电探测器和信号处理与控制系统，光学谐振单元包括总线波导和至少两个波导环；信号处理与控制系统分别与光电探测器和可调谐激光器信号连接；光学谐振单元中，总线波导与第一波导环相邻，第一波导环和第二波导环相邻，第一波导环与总线波导和第二波导环邻近部位均存在光耦合，信号处理与控制系统根据双环谐振谱线得到双环的自由光谱范围，当存在外界角速度时，根据双环的自由光谱范围的变化量计算外界角速度的大小，相较于现有技术，本公开的谐振式光学陀螺仪结构简单，可以极大地提升陀螺仪的角速度敏感度。
一种谐振光学陀螺仪角速度测量方法

[发明专利]一种肖特基薄膜晶体管及其制备方法、应用-CN202310270954.3在审
发明人：杨冠华;刘孟淦;陈楷飞;卢文栋;廖福锡;吴子竞;卢年端;李泠 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种肖特基薄膜晶体管及其制备方法、应用。一种肖特基薄膜晶体管，其包括衬底；所述衬底上表面设置依次层叠的背栅层、背栅介质层和沟道层；所述沟道层上表面左右两侧分别设置源极层和漏极层，并且在所述源极层和所述漏极层之间由顶栅介质层分隔开，且所述顶栅介质层覆盖所述沟道层的上表面；所述源极层还覆盖所述顶栅介质层的部分表面。本发明解决了高本征增益和低功耗不能兼顾的问题。
一种肖特基薄膜晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种对检测到的信号进行处理的方法及电路-CN202010656891.1有效
发明人：卢年端;李泠;吴全潭;王嘉玮;耿玓;刘明 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种对检测到的信号进行处理的方法及电路，该电路包括：阻变存储器、负载电阻、电容器、外加电源，阻变存储器与电容器并联，阻变存储器与负载电阻串联，该外加电源施加外加电压于阻变存储器和负载电阻串联形成的电路两端，将检测到的信号作为外加电压，经过该电路的处理后，输出振荡信号，在该外加电压超出第一阈值电压时，该阻变存储器从高阻态转变为低阻态，且电容器开始放电；外加电压降至第二阈值电压以下时，阻态存储器从低阻态转变为高阻态，且该电容器开始放电；基于该电容器的充电时长、放电时长、以及经过充电和放电得到的振荡频率，获得振荡信号的波形，进而用于模拟神经元系统中对采集到的信号进行处理的过程。
一种检测信号进行处理方法电路

[发明专利]激光退火设备的光束检测装置及方法-CN202011643342.7有效
发明人：王瑜;侯煜;岳嵩;王然;张紫辰 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01J1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种激光退火设备的光束检测装置，包括：激光发生器，用于产生能沿退火加工路径进行移动的激光束；光斑形貌检测仪，设置在所述激光束的光路上，所述激光束照射在所述光斑形貌检测仪上形成光斑，以使所述光斑形貌检测仪对所述光斑进行检测；三维运动平台，设置在工件台下方，所述三维运动平台与所述光斑形貌检测仪连接；所述三维运动平台能带动所述光斑形貌检测仪上升至晶圆加工时所处的第一平面，并带动所述光斑形貌检测仪在所述第一平面内沿所述退火加工路径与所述激光束同步运动。本发明能够准确的测量激光退火加工过程，从而准确的获得光斑参数。
激光退火设备光束检测装置方法

[发明专利]一种环形图案的光学邻近效应校正方法-CN202110034006.0有效
发明人：杨尚;韦亚一;张利斌 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种环形图案的光学邻近效应校正方法，方法包括：将设计版图源文件转化为数字图像；判断数字图像中是否有封闭的环形图案；若有，则获取环形图案的外轮廓对应的外轮廓图案以及环形图案的内轮廓对应的内轮廓图案；对外轮廓图案和内轮廓图案进行光学邻近效应校正；将校正后的外轮廓图案和校正后的内轮廓图案写入版图文件并进行组合。通过分离出环形图案的外轮廓图案和内轮廓图案进行校正，由于外轮廓图案和内轮廓图案均为非环形图案，因此在将校正后的外轮廓图案和内轮廓图案写入gds格式的版图文件中时，不会由于坐标顺序的问题出现写入错误的问题，最后在版图文件中，通过对外轮廓图案和内轮廓图案进行组合，以得到校正后的环形图案。
一种环形图案光学邻近效应校正方法

[发明专利]C形沟道部半导体装置及包括其的电子设备-CN202010072949.8有效
发明人：朱慧珑 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：公开了一种C形沟道部半导体装置及包括这种半导体装置的电子设备。根据实施例，半导体装置可以包括在第一方向上相邻的第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件和第二半导体器件各自可以包括：衬底上的沟道部，沟道部包括截面呈C形的弯曲纳米片或纳米线；相对于衬底分别处于沟道部的上下两端的源/漏部；以及围绕沟道部的外周的栅堆叠。第一半导体器件的沟道部与第二半导体器件的沟道部可以实质上共面。
沟道半导体装置包括电子设备

[发明专利]一种微显示驱动芯片检测方法、装置、系统及电子设备-CN202310281354.7在审
发明人：马子仪;赵发展 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01R33/10 文献下载
摘要：本发明公开一种微显示驱动芯片检测方法、装置、系统及电子设备，涉及驱动芯片检测技术领域，应用于包括磁场传感器的微显示驱动芯片检测系统中，所述方法包括：在将所述磁场传感器放置至待测未封装微显示驱动芯片表面后，通过扫描确定所述待测未封装微显示驱动芯片对应的磁场图像；在所述磁场图像与原始设计磁场图像匹配的情况下，确定所述待测未封装微显示驱动芯片对应的驱动电路检测合格；在所述磁场图像与所述原始设计磁场图像不匹配的情况下，确定所述待测未封装微显示驱动芯片对应的所述驱动电路检测不合格，可以实现在微显示驱动芯片进行封装之前，实现对驱动电路性能的检测，提高驱动芯片测试的稳定性和可靠性。
一种显示驱动芯片检测方法装置系统电子设备

[发明专利]一种具有高介电常数的反铁电电容及其制备方法-CN202310361687.0在审
发明人：罗庆;王博平;刘明 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高介电常数的反铁电电容及其制备方法。一种反铁电电容，包括依次堆叠的底电极、反铁电层、顶电极；其中，反铁电层采用HZO，厚度为6～10nm。本发明可以提供一种具有超高介电常数的反铁电电容，其很大的应用前景。
一种具有介电常数反铁电电容及其制备方法

[发明专利]一种功率器件的辐照测试电路及系统-CN202210103350.5在审
发明人：王春林;高见头;张刚;赵发展 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请公开一种功率器件的辐照测试电路及系统，涉及电子器件测试技术领域，能够实现功率器件的原位测试，可以提高测试精度。功率器件的辐照测试电路，包括：功率器件；测试源表，用于向处于辐照环境中的所述功率器件提供电压激励，以及测试所述功率器件在所述电压激励下的电流值；电性测试电路，用于测试所述功率器件在辐照环境中的电学性能。
一种功率器件辐照测试电路系统

[发明专利]一种环栅晶体管及其制造方法-CN202310622741.2在审
发明人：李永亮;赵飞 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以使得位于沟道部中不同层的纳米结构两侧的轻掺杂外延部内的杂质掺杂浓度均同时达到目标范围，有效抑制环栅晶体管的热载流子效应，利于提升环栅晶体管的工作性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构和栅堆叠结构。有源结构包括源外延部、漏外延部、沟道部和轻掺杂外延部。沟道部和轻掺杂外延部均位于源外延部和漏外延部之间，沟道部沿长度方向的两端通过轻掺杂外延部分别与源外延部和漏外延部连接。轻掺杂外延部的导电类型分别与源外延部和漏外延部的导电类型相同。轻掺杂外延部内的杂质掺杂浓度大于等于5×e17cm‑3、且小于等于5×e19cm‑3。上述栅堆叠结构环绕在沟道部的外周。
一种晶体管及其制造方法

[发明专利]一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法-CN202110195016.2有效
发明人：李博;苏泽鑫;宿晓慧;刘凡宇;黄杨;罗家俊;韩郑生 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明公开一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法，属于半导体领域。以使SRAM存储单元中的存储数据在两个节点之间不断交换，均衡老化问题，消除阈值失配。SRAM存储单元包括主电路和从属电路。主电路包括交叉耦合的第一反相器和第二反相器，第一反相器的输入端和第二反相器的输出端串接有第一选通管。从属电路包括依次连接的第二选通管、第三反向器和第三选通管。第二选通管和第三选通管通过第一反相器的输入端，与主电路电连接。在一个周期内，第一选通管、第二选通管以及第三选通管上施加的控制信号由第一控制信号转变为第二控制信号，SRAM存储单元的存储节点的存储数据发生翻转。
一种 sram 存储单元存储器以及数据方法

[发明专利]获取存储器中目标数据的方法、装置和电路-CN202010342988.5有效
发明人：谢元禄;刘璟;张君宇;霍长兴;呼红阳;张坤;刘明 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种获取存储器中目标数据的方法、装置和电路。方法包括：若目标数据的数据类型为第一类数据，则只有当返回数据中包括至少(N+1)/2个相同的数据时，才将此相同的数据对应的数据作为目标数据返回存储器控制器；若目标数据的数据类型为第二类数据，则只有当N个返回数据均为0时，才将0作为目标数据返回存储器控制器，否则将1作为目标数据返回存储器控制器；若目标数据的数据类型为第三类数据，则只有当N个返回数据均为1时，才将1作为目标数据返回存储器控制器，否则将0作为目标数据返回存储器控制器。本发明结合目标数据的种类采用不同机制判断目标数据的可靠性，提高了获取存储器中的目标数据的可靠性。
获取存储器目标数据方法装置电路