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[发明专利]用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法-CN200410035089.1无效
发明人：李俊峰;杨荣;李力南;扈焕章;蒋浩杰;白国斌;钱鹤 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：淀积二氧化硅/氮化硅/二氧化硅三层复合介质；步骤2：光刻胶保护螺旋电感区域，暴露螺旋电感平面以外的区域；步骤3：湿法腐蚀顶层二氧化硅，干法刻蚀氮化硅及底层二氧化硅；步骤4：去胶清洗。
用于提高集成电感品质因数局部介质方法

[发明专利]用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法-CN200410035088.7无效
发明人：杨荣;李俊峰;海潮和;徐秋霞;韩郑生;柴淑敏;赵玉印;周锁京;钱鹤 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法，包括如下步骤：在硅片上，多晶栅刻蚀成形后进行无掩膜的漂移区注入；用正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层二氧化硅；以光刻胶保护漂移区，回刻二氧化硅，在栅极靠近源测形成二氧化硅侧墙；源漏自对准注入并去胶；快速热退火，以消除注入损伤和激活杂质；分别以正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层衬垫二氧化硅和低压化学气相淀积法淀积一层氮化硅；依次回刻氮化硅、二氧化硅，在二氧化硅一次侧墙基础上形成氮化硅二次侧墙；溅射一薄层钛；快速热退火，让钛与硅反应形成钛硅化物；选择性湿法腐蚀去除未反应的钛；快速热退火，让高阻态的钛硅化物转化为低阻态的钛硅化物。
用于射频横向扩散场效应晶体管对准硅化物方法

[发明专利]电镀起镀层的制作方法-CN200410039695.0无效
发明人：刘新宇;孙海峰;和致经;邵刚 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-03-16 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：一种电镀起镀层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：a)在半导体衬底上制作第一层钛金属；b)在第一层钛金属上制作一层金属金；c)在金属金上制作第二层钛属金，完成起镀层的制作。
电镀镀层制作方法

[发明专利]异步加－选择—比较器电路-CN200410002012.4无效
发明人：赵冰;黑勇;仇玉林 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-01-09 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H03M13/41 文献下载
摘要：一种异步加－选择—比较器电路，包括第一异步加法器、第二异步加法器、C单元、异步比较器和异步选择器，其中包括：第一信号输入和第二信号输入接到第一异步加法器上，第三信号输入和第四信号输入接到第二异步加法器上，进行加法运算；一异步比较器，该异步比较器接收加法运算的结果进行比较；一异步选择器，该异步选择器根据比较的结果有选择的输出最终结果；一C单元，该C单元根据第一异步加法器和第二异步加法器的完成信号来产生异步比较器的启动信号，异步比较器的完成信号用来启动异步选择器，最终异步选择器的完成信号作为整个异步加－选择—比较器的完成信号。
异步选择比较电路

[发明专利]一种异步数据通路平均性能分析方法-CN200410002011.X无效
发明人：赵冰;黑勇;仇玉林 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-01-09 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种异步数据通路平均性能分析方法，包括如下步骤：首先根据数据通路单元的输入数据集分析不同输入数据对异步集成电路产生的影响，进行分类，要求每种类型拥有相似的延迟；对于每种类型，结合数据通路单元的电路网表和工艺模型，使用SPICE进行仿真，得到这种数据类型下的典型延迟；根据输入数据的分类和每种类型的典型延迟，构建多延迟模型；对数据通路的输入数据集进行统计分析，得到典型的数据结构，并用VHDL描述子系统及其激励；利用多延迟模型和用VHDL描述的子系统及其激励共同输入VHDL仿真器对整个数据通路进行仿真，从而得到整个数据通路的典型响应时间，最后得到异步数据通路的平均性能。
一种异步数据通路平均性能分析方法

[发明专利]复合胶电镀制作空气桥的方法-CN200410001433.5无效
发明人：邵刚;刘新宇;和致经;刘键;吴德馨 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-01-08 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：一种复合胶电镀制作空气桥的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在基片上涂复合胶，光刻桥墩；2)高温烘烤，使复合胶边角圆滑；3)在复合胶上溅射起镀层；4)在起镀层上涂二次光刻胶，光刻桥面；5)光刻桥面后在起镀层上电镀金属；6)剥离去除光刻胶以下的起镀层，使之露出两侧的基片，形成空气桥。
复合电镀制作空气方法

[发明专利]新结构肖特基毫米波混频二极管-CN200310122345.6无效
发明人：张海英 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2003-12-16 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明一种新结构肖特基毫米波混频二极管，其芯片的外延结构为：在砷化镓衬底上生长一层重掺杂砷化镓第一外延层，在第一外延层的上面生长一层轻掺杂砷化镓第二外延层。本发明优化设计了外延层结构。
结构肖特基毫米波混频二极管

[发明专利]X射线光刻对准标记-CN200310120546.2无效
发明人：王德强;谢常青;叶甜春 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及X射线光刻对准技术领域，特别是涉及一种新的应用于X射线光刻对准的标记。本发明的对准标记，由掩模和硅片上的两部分标记组成，其在掩模上由三个正方框组成，在硅片上由六根正交线条构成，其中，三个正方框由小到大依次相套，且共一中心点，标记做在SiN_X薄膜上；六根正交线条，三根为水平方向等距排列，三根为垂直方向等距排列，标记做在硅片衬底上。本发明的对准标记，对于掩模和硅片的形变都有一定的冗余度，其均值作用能够使对准系统更加准确地获得掩模和硅片标记的位置信息，提高光刻对准系统的对准精度。这种标记可以广泛应用在亚微米与深亚微米工艺当中，例如pHEMT，MMIC等器件和电路的制作。
射线光刻对准标记

[实用新型]均匀大面积常压射频冷等离子体发生器-CN200420003865.5无效
发明人：王守国 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-02-26 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：一种均匀大面积常压射频冷等离子体发生器，包括一个射频电源、供气源和等离子体发生器，温度控制系统和支架等，等离子体发生器设有两个相对的表面彼此平行的电极，一个与射频电源连接叫射频电极，另一个与地连接叫地电极，该射频电极固定在可以上下移动的支架上，通过移动支架，使该射频电极与该地电极之间的间距可以调节，在该射频电极与该地电极之间形成放电区间，在该射频电极的中间部位开有多个进气小孔，该多个进气小孔与进气导管相通，该进气导管与供气源连通，该地电极可由电机带动自转，在该地电极下面设有加热器，该地电极表面的温度可以通过控制加热器来控制。
均匀大面积常压射频等离子体发生器

[实用新型]常压射频低温冷等离子体放电通道装置-CN200420004986.1无效
发明人：王守国 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-03-18 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开一种常压射频低温冷等离子体放电通道装置，包括供气源，放电通道主体和射频电源，放电通道主体包括倒U形的外壳，其内部顶表面上设置有顶面绝缘体，两个内部侧表面上分别设置有侧面绝缘体；设置在顶面绝缘体的下表面上，位于两个侧面绝缘体之间并与射频电源相连的第一平板电极；及第二平板电极，其与外壳的开口端相连，与第一平板电极相对且平行，第二平板电极与第一电极相互绝缘，第二电极的中部设置有通孔，第一和第二平板电极及两个侧面绝缘体围成一个四周封闭、两端开口、横截面为长方形的长方体状的放电通道，供气源通过导管和通孔与放电通道连通。本实用新型等离子体放电装置，能够以较低击穿电压产生均匀大面积的等离子体。
常压射频低温等离子体放电通道装置