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[实用新型]一种用于实时校正两路光功率差的自校准光分束器-CN202320017215.9有效
发明人：亓岩;孙晨曦;颜博霞;韩哲;周密;王延伟;范元媛;王宇 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02B6/28 文献下载
摘要：本申请提供一种用于实时校正两路光功率差的自校准光分束器，包括：两个可调光纤分束器、两个光功率探测器和一个光功率比较控制模块，第一光功率探测器探测输出第一可调光纤分束器的第一光束的光功率；第二光功率探测器探测输出第二可调光纤分束器的第二光束的光功率；光功率比较控制模块比较第一光束的光功率和第二光束的光功率的大小，并计算出使第一光束和第二光束光功率相同时光功率较高的一路光束所需衰减量，以使该可调光纤分束器根据衰减量调节分光比例。本方案可实时调节可调光纤分束器主光路输出光功率的大小，使两路主光路光功率保持实时一致，且本自校准光分束器具有精度高、衰减量连续可调、体积小、便于携带、使用简单方便的特点。
一种用于实时校正两路光功率校准光分束器

[发明专利]射频功率源系统-CN202310348360.X在审
发明人：杨景华;贾少霞;金婷;蔡建;刘芳芳;张振华;张兴华;李龙 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频功率源系统，包括：信号源模块，第一级放大电路、离子束流测量电路8、直流电压产生电路7、第二级放大电路3和负载谐振匹配电路4通过集成控制模块和负载匹配电路解决现有技术中存在的射频功率源系统体积大和负载适应范围较窄的问题。
射频功率系统

[发明专利]芯片形貌预测方法、装置、设备及存储介质-CN202310423025.1在审
发明人：季瑞安;陈岚;陈容 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片形貌预测方法、装置、设备及存储介质，首先利用预先配置的形貌预测模型，对待预测芯片的版图参数进行处理，得到所述待预测芯片的形貌参数，而后根据所述待预测芯片的形貌参数，确定所述待预测芯片的形貌信息。由于在相同的CMP工艺参数下，所述测试版图的化学机械抛光效果和所述待预测芯片的化学机械抛光效果一致，因此，利用所述测试版图的版图参数和所述测试版图的形貌参数，可以配置出能够表征所述待预测芯片的版图参数和对应的形貌参数之间映射关系的形貌预测模型，利用所述形貌预测模型可以确定出所述待预测芯片的化学机械抛光处理之后的形貌参数，从而实现预测化学机械抛光处理之后的芯片形貌的任务。
芯片形貌预测方法装置设备存储介质

[发明专利]一种低密度奇偶校验码的编码方法及装置-CN202310483864.2在审
发明人：原青;彭杰;刘海洋 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：本申请公开一种低密度奇偶校验码的编码方法及装置，应用于信号处理技术领域。获取低密度奇偶校验码的校验矩阵和待编码目标信号序列，根据校验矩阵确定第一校验码集合，基于第一校验码集合、校验矩阵和待编码目标信号序列计算第二校验码集合；从第一校验码集合中确定第一校验码目标值以及从第二校验码集合中确定第二校验码目标值；根据待编码目标信号序列、第一校验码目标值和第二校验码目标值获取低密度奇偶校验码的编码结果。本申请从第一校验码集合中确定出第一校验码目标值以及从第二校验码集合中确定出第二校验码目标值，而后进行编码，能够有效降低编码运算复杂度，节省时钟周期和延迟，提升低密度奇偶校验码编码器的整体性能。
一种密度奇偶校验码编码方法装置

[发明专利]一种数模转换器的温度计译码电路和数模转换器-CN202310271094.5在审
发明人：张亚融;贾涵博;吴旦昱;王丹丹;刘新宇 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03M1/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种数模转换器的温度计译码电路和数模转换器，该电路包括：第一温度计译码加扰电路和第二温度计译码加扰电路，第一温度计译码加扰电路、第二温度计译码加扰电路均与数模转换器的电流源阵列连接；数模转换器为2n位单位加权的数模转换器，n为正整数；第一温度计译码加扰电路用于对低n位二进制码数据分别进行温度计译码和随机加扰，输出第一组目标温度计码；第二温度计译码加扰电路用于对高n位二进制码数据分别进行温度计译码和随机加扰，输出第二组目标温度计码；第一组目标温度计码和第二组目标温度计码均输入至电流源阵列，以实现电流源阵列的开关时序的控制。本申请降低了电路规模，能够达到功能和电路复杂度的良好折中。
一种数模转换器温度计译码电路

[发明专利]一种温湿度监测器-CN202310305832.3在审
发明人：周娜;杨华彬;毛海央;李俊峰;罗军 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种温湿度监测器，涉及传感器技术领域，以解决现有温湿度监测器信号传播距离短，且无法直接读取温湿度数据的问题。包括：衬底和外壳，外壳盖设在衬底上形成腔体；腔体内设置有NFC芯片、微控制器、温度传感器、湿度传感器以及信号处理电路；NFC芯片用于收集电流，并为微控制器供电，微控制器用于错开时间驱动温度传感器以及湿度传感器采集信号；信号为模拟信号，信号处理电路对模拟信号进行处理后发送至所述NFC芯片，NFC芯片将温度传感器采集的温度模拟信号和湿度传感器采集的湿度模拟信号转换为数字信号，并将数字信号发送至具有NFC功能的移动设备中。本发明提供的温湿度监测器用于提升采集的温湿度信号的传输距离。
一种温湿度监测器

[发明专利]热电联合仿真方法及装置-CN202210003374.3在审
发明人：汤益丹;刘新宇;白云;田晓丽;杨成樾;陈宏;郝继龙 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开提供一种热电联合仿真方法及装置，方法包括：构建散热模型和热电仿真模型；获取用于表示器件热容随热阻变化规律的实际结构函数；对所述散热模型和热电仿真模型进行校准，以使得根据所述散热模型和热电仿真模型得到的仿真结构函数与所述实际结构函数对应的变化规律一致。该方法及装置可以大幅度提高热电仿真的准确性和精确性，提高了器件的设计和测试的效率，并且，极大地减少浪涌、短路等破坏性试验的次数，降低测试及研发成本。
热电联合仿真方法装置

[发明专利]一种应用于5G通信的宽带高增益毫米波天线-CN202310574324.5在审
发明人：胡广;郭瑞;邱昕 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本说明书实施例提供了一种应用于5G通信的宽带高增益毫米波天线，包括：倒L型微带枝节、微带馈线、对称寄生单元、天线接地板和介质基板，其中，所述微带馈线和所述倒L型微带枝节之间通过渐变微带线连接，所述微带馈线和所述倒L型微带枝节、与所述天线接地板相对应的分别设置于所述介质基板的正面和反面下方，所述每一对的对称寄生单元分别对称设置于所述介质基板的正反面的上方，所述天线接地板的上方中间设置有L型枝节。
一种应用于通信宽带增益毫米波天线

[发明专利]小信号模型及小信号模型的参数提取方法-CN202310196083.5在审
发明人：孙兵;黄志;常虎东;张真;李金玮;常亚款 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本公开提供一种小信号模型及小信号模型的参数提取方法，该小信号模型包括寄生单元和本征单元。本征单元包括第一连接结构和第二连接结构，第一连接结构与第二连接结构并联。第一连接结构包括：结电阻、结电容和串联电阻，结电阻与结电容并联连接，结电阻与结电容形成的并联连接结构与串联电阻串联；第二连接结构包括：耦合电阻以及耦合电容，耦合电阻与耦合电容串联连接。本公开通过在本征单元增加耦合电阻和耦合电容来表征阵列碳纳米管之间的耦合效应，更精确的反应器件的频率特性，提高器件模型的准确率。且通过本公开提供的参数提取方法提取得到的仿真结果与器件测试得到的实际结果，也具有良好的拟合精度。
信号模型参数提取方法

[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管-CN202310215729.X在审
发明人：杨冠华;卢年端;王桂磊;赵超;李泠 -专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，涉及半导体器件技术领域，以解决目前的薄膜晶体管的制备方法会在设置源极和漏极的过程中对有源层造成损害和污染，导致有源层表面的粗糙度提高，进而会导致载流子受到有源层表面的粗糙度的影响，载流子迁移率降低的问题。该薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底的一侧设置有源层；在所述有源层远离所述衬底的一侧设置保护层；依次刻蚀所述保护层和所述有源层，得到第一保护层结构和有源层结构，其中，所述第一保护层结构在所述衬底层上的正投影覆盖所述有源层结构在所述衬底层上的正投影。
一种薄膜晶体管制备方法

[发明专利]涡旋光激光雷达及目标对象测量方法-CN202310498437.1在审
发明人：朱精果;袁野;姜成昊;姜玉华;刘忠鹤;刘汝卿 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本发明提供了一种涡旋光激光雷达及目标对象测量方法，涉及激光雷达领域。该涡旋光激光雷达包括激光光源，用于发射激光信号；第一分光棱镜，用于将激光信号分束为方向不同的参考光和信号光；螺旋相位板，为由同心圆环组成的螺旋阶梯状结构，用于将信号光转换为旋涡光探测目标对象；第二分光棱镜，用于合束参考光与目标对象反射回来的信号光，得到目标信号；信号处理模块，用于处理目标信号，得到处理数据。本发明提供的涡旋光激光雷达通过使用螺旋相位板将用于探测目标对象的信号光转换为旋涡光，解决了现有技术中的激光雷达无法探测垂直于波束传播方向运动的问题。
涡旋激光雷达目标对象测量方法

[发明专利]一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备-CN202010147555.4有效
发明人：周娜;李俊杰;高建峰;刘耀东;李永亮;罗军;赵超;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备，涉及纳米结构制作技术领域，以有效地解决常规图案化工艺不适用于金属纳米结构制作的问题。金属纳米结构的制作方法包括，提供衬底；在衬底上形成图案化纳米结构；在图案化纳米结构背离衬底的表面形成金属纳米结构。所述金属纳米结构采用本发明提供的制作方法制成，本发明提供的金属纳米结构应用于电子器件和电子设备中。
一种金属纳米结构及其制作方法电子器件电子设备

[发明专利]一种鳍状半导体器件及其制作方法、电子设备-CN202010398868.7有效
发明人：李永亮;李俊杰;王文武 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种鳍状半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，通过选择性氧化处理在源漏区与衬底之间形成隔离层，以抑制源漏区漏电，具有成本低，制作工艺简单的优点。所述鳍状半导体器件包括：衬底以及形成在衬底上的鳍式场效应晶体管；鳍式场效应晶体管包括源漏区以及与源漏区连接的沟道层；鳍式场效应晶体管还包括形成在衬底与源漏区之间的隔离层；其中，隔离层采用选择性氧化处理形成。鳍状半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提供的鳍状半导体器件。本发明提供的鳍状半导体器件应用于电子设备中。
一种半导体器件及其制作方法电子设备

[发明专利]一种环栅半导体器件及制作方法、电子设备-CN202010399411.8有效
发明人：李永亮;李俊杰;王文武 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种环栅半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，通过在衬底与源漏区之间形成隔离层，以抑制源漏漏电，无须使用成本较高的绝缘体上硅衬底，降低了半导体器件的制作成本。环栅半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的堆叠结构；堆叠结构包括源漏区以及与源漏区连接的至少一层纳米线或片；环栅半导体器件还包括形成在衬底和源漏区之间的隔离层；隔离层采用选择性氧化处理形成。环栅半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提供的环栅半导体器件。本发明提供的环栅半导体器件应用于电子设备中。
一种半导体器件制作方法电子设备

[发明专利]室内定位方法及装置-CN202111646931.5在审
发明人：郑佳瑶;邹一凡;李佳;王玮冰 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01C21/20 文献下载
摘要：本公开提供一种室内定位方法及装置，方法包括：采集运动目标足部的加速度、角速度、高度以及所述运动目标所处环境的磁场信息；对所述加速度、角速度以及高度所述运动目标所处环境的磁场信息进行融合，以估计所述运动目标的姿态信息、速度信息和位置信息；对所述姿态信息、速度信息和位置信息进行误差修正，得到定位信息；根据所述定位信息复现所述运动目标的运动轨迹。该室内定位方法及装置定位方式简单、定位精度高，定位速度快。
室内定位方法装置