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[发明专利]FDSOI器件输出电流改变量提取方法-CN202210320429.3在审
发明人：赵姗姗;罗家俊;赵发展;韩郑生;曾传滨;高林春;倪涛;李晓静;王娟娟;钱频 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了FDSOI器件输出电流改变量提取方法，涉及半导体器件仿真技术领域。本发明在仿真平台中进行FDSOI器件的仿真，得到FDSOI器件在多个温度点下的输出电流‑栅极电压曲线，根据输出电流‑栅极电压曲线获取FDSOI器件在特定栅极电压下的输出电流改变量，可精确提取FDSOI器件在高温条件下的输出电流改变量。
fdsoi 器件输出电流变量提取方法

[发明专利]芯片检测方法及装置-CN202210323227.4在审
发明人：马子仪;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N27/72 文献下载
摘要：本发明公开了芯片检测方法及装置，涉及芯片检测技术领域。本发明在待测芯片上电后，向待测芯片的多个输入端口依次输入测试信号，同时向待测芯片输入测试指令，待测芯片执行某个输入端口对应的某种测试指令时，测试信号会有特定的信号流路径，信号流路径上由于有信号流过，测试信号会影响信号流路径的磁场，这样对待测芯片进行扫描后可以感知待测芯片表面的磁场强度变化，通过获取的待测芯片磁场图像可以绘制出待测芯片的电路结构，若待测芯片的电路结构与原始芯片的电路结构不同，则确定待测芯片被篡改或为伪造，可以识别出被篡改或伪造的芯片。
芯片检测方法装置

[发明专利]一种具有ESD防护结构的芯片及制备方法-CN202311055388.0在审
发明人：段亚驰;李晓静;李博;王磊;陆芃;朱慧平;高林春;张学文;周虹珊;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有ESD防护结构的芯片及制备方法，该芯片是由ESD防护结构和半导体电路结构集成得到，其中ESD防护结构中的第一金属结构与第二金属结构之间设置了材料为OTS材料、IMT材料或MIEC材料且阵列排布的防护结构介质层，这三种材料具有相变或者阻变特性，在ESD脉冲来临前类似于绝缘体，漏电流较低，而当ESD脉冲来临后能迅速从高阻态变为低阻态，泄放掉ESD电流；此外，由于单个防护结构介质层的面积较小，所以阵列排布的防护结构介质层的面积也相对较小，进而ESD防护结构的寄生电容也较小，通过合理设计，使这三种材料具有很大的开关电阻比，从而可以得到具有较好的ESD防护能力的ESD防护结构。
一种具有 esd 防护结构芯片制备方法

[发明专利]功率器件的封装结构及封装方法-CN202210156727.3在审
发明人：王可;高见头;曾传滨;孙澎;周净男;蔡小五;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的封装结构及封装方法，包括功率器件的芯片、底座、至少一个高阻外接引脚、至少一个低阻外接引脚和多根键合丝；所述底座用于支撑所述芯片，所述芯片具有至少一个大功率焊盘和至少一个小功率焊盘，每个所述大功率焊盘通过一根所述键合丝与一个所述低阻外接引脚电连接，每个所述小功率焊盘通过一根所述键合丝与一个所述高阻外接引脚连接。该封装结构可以有效降低封装引入的导通电阻的阻值，防止因封装引入的导通电阻的阻值过大，造成的功率器件芯片发热损坏等问题。
功率器件封装结构方法

[发明专利]一种微显示驱动芯片检测方法、装置、系统及电子设备-CN202310281354.7在审
发明人：马子仪;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01R33/10 文献下载
摘要：本发明公开一种微显示驱动芯片检测方法、装置、系统及电子设备，涉及驱动芯片检测技术领域，应用于包括磁场传感器的微显示驱动芯片检测系统中，所述方法包括：在将所述磁场传感器放置至待测未封装微显示驱动芯片表面后，通过扫描确定所述待测未封装微显示驱动芯片对应的磁场图像；在所述磁场图像与原始设计磁场图像匹配的情况下，确定所述待测未封装微显示驱动芯片对应的驱动电路检测合格；在所述磁场图像与所述原始设计磁场图像不匹配的情况下，确定所述待测未封装微显示驱动芯片对应的所述驱动电路检测不合格，可以实现在微显示驱动芯片进行封装之前，实现对驱动电路性能的检测，提高驱动芯片测试的稳定性和可靠性。
一种显示驱动芯片检测方法装置系统电子设备

[发明专利]一种功率器件的辐照测试电路及系统-CN202210103350.5在审
发明人：王春林;高见头;张刚;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请公开一种功率器件的辐照测试电路及系统，涉及电子器件测试技术领域，能够实现功率器件的原位测试，可以提高测试精度。功率器件的辐照测试电路，包括：功率器件；测试源表，用于向处于辐照环境中的所述功率器件提供电压激励，以及测试所述功率器件在所述电压激励下的电流值；电性测试电路，用于测试所述功率器件在辐照环境中的电学性能。
一种功率器件辐照测试电路系统

[发明专利]一种efuse存储电路-CN202310233286.7在审
发明人：赵晨阳;刘海南;李多力;王锦任;赵发展;马全刚;李博 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开一种efuse存储电路，涉及集成电路技术领域。efuse存储电路包括：每一行包括至少两个存储单元的efuse存储阵列、多个位线控制单元、编程控制单元、读取控制单元和数据读出单元；其中，多个位线控制单元的个数与efuse存储阵列的行数一致，每个位线控制单元与efuse存储阵列中的每一行的所有存储单元连接；编程控制单元和读取控制单元分别与位线控制单元连接；数据读出单元分别与编程控制单元和读取控制单元连接；每一列的存储单元和对应的字线连接，多个位线控制单元均和共享位线连接；多个存储单元和多个位线控制单元共用同一个编程控制单元和读取控制单元，以在编程和读取完成后最终通过数据读出单元存储对应的数据。
一种 efuse 存储电路

[发明专利]一种摄像头外参标定场的构建方法及标定场-CN202111673777.0在审
发明人： 赵发展;王清云;徐慧明;宋健雄 -专利权人：驭势科技（浙江）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06T7/80 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种摄像头外参标定场的构建方法及标定场。该方法包括驱动不同类型的无人车移动到标定场中对应的目标区域；移动所述标定场中设置有标定板的标定架，以使各个无人车上的每个摄像头拍摄到至少设定数量的标定板，且拍摄到的所述标定板互不遮挡；将所述目标区域采用标识线进行标识。本发明实施例的技术方案使摄像头外参的标定更加准确，适配多种车型，省时省力。
一种摄像头标定构建方法

[发明专利]基于VS的CNTFET模型参数方法及相关方法和设备-CN202111654016.0在审
发明人：杨晨;卜建辉;刘艺璇;刘海南;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于VS的CNTFET模型参数和模型确定方法及相关设备。该方法包括：获取CNTFET的工艺参数、物理参数和器件实测数据；根据工艺参数、物理参数和器件实测数据获取模型参数，其中，模型参数包括修正载流子迁移率，修正载流子迁移率是根据低场载流子迁移率和修正系数确定的。本申请实施例提供的方法是对基于VS的CNTFET模型的低场载流子迁移率利用修正系数对其进行修正得到修正低场载流子迁移率。以此修正低场载流子迁移率和其他模型参数利用原VS‑CNTFET进行仿真得出的结果与实际试验结果的吻合度有很大提升，提高了模型精度，使得仿真结果更为可信，为CNTFET的开发和研究提供了很好的数据支撑。
基于 vs cntfet 模型参数方法相关设备

[发明专利]一种功率器件的电流保护装置电路及功率驱动器件-CN202111572365.8在审
发明人：丁利强;蔡小五;夏瑞瑞;高马利;高悦欣;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的电流保护装置电路及功率驱动器件，所述电路包括：功率器件芯片，包括功率器件；驱动芯片，包括误差放大器；功率器件芯片，设置有控制引脚以及第一电流检测引脚，控制引脚与功率器件的控制端连接，第一电流检测引脚通过目标走线与功率器件的源端连接，其中，目标走线产生目标寄生电阻；驱动芯片，设置有输出引脚以及第二电流检测引脚，误差放大器的正相输入端接入参考电压，误差放大器的反相输入端与第二电流检测引脚连接，误差放大器的输出端与输出引脚连接；其中，第一电流检测引脚与第二电流检测引脚连接，控制引脚与输出引脚连接。本方案能够有效提高功率器件的电流检测精度。
一种功率器件电流保护装置电路驱动

[发明专利]CNTFET器件模型构建方法、装置、终端设备及介质-CN202111523706.2在审
发明人：刘艺璇;卜建辉;杨晨;刘海南;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种CNTFET器件模型构建方法、装置、终端设备及介质，其中所述方法包括：获取初始CNTFET器件模型；在所述初始CNTFET器件模型中新增预配的器件修正参数，得到新的CNTFET器件模型；根据所述CNTFET器件的实际测试数据，对所述新的CNTFET器件模型进行训练及更新。采用本发明，能解决现有技术中CNTFET器件模型的预测精度较低的技术问题。
cntfet 器件模型构建方法装置终端设备介质

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111490309.X在审
发明人：金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开一种双极型晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高双极型晶体管的抗辐照性能。双极型晶体管包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域；薄栅氧层，所述薄栅氧层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧，且所述薄栅氧层覆盖所述掺杂区域。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111490307.0在审
发明人：金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开一种双极型晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高双极型晶体管的抗辐照性能。双极型晶体管，包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域；隔离绝缘氧化层，所述隔离绝缘氧化层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧，且所述隔离绝缘氧化层覆盖所述掺杂区域；遮挡层，所述遮挡层设置在所述隔离绝缘氧化层远离所述衬底片的一侧。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111516210.2在审
发明人：金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开一种双极型晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高双极型晶体管的抗辐照性能。双极型晶体管，包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域，至少一个所述掺杂区域作为双极型晶体管的负电极，所述负电极用于接入负电位；器件保护层，所述器件保护层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧；导电层，所述导电层设置在所述器件保护层远离所述衬底片的一侧，所述导电层与所述负电极电连接。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种模拟开关电路-CN202111333670.1在审
发明人：王士平;蔡小五;韩添;赵发展;刘海南;郝乐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请公开一种模拟开关电路，涉及电路技术领域，能够在传输信号超过模拟开关电路的电源电压时，正常实现关断功能，避免模拟开关电路的失效问题。模拟开关电路，包括：传输模块，所述传输模块包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极用于接入待传输信号；第一电平移位模块，所述第一电平移位模块的第一输入端用于接入控制信号，所述第一电平移位模块的第二输入端用于接入所述待传输信号，所述第一电平移位模块的输出端与所述第一PMOS管的栅极电连接；所述第一电平移位模块用于在所述控制信号为控制所述第一PMOS管关闭的高电平信号，且所述待传输信号大于所述控制信号时，保持所述第一PMOS管的源极与栅极的电位相同。
一种模拟开关电路

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