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[发明专利]于高温退火后保持高矫顽力的具有垂直磁各向异性的磁性组件-CN201680063801.X有效
发明人：刘焕龙;李元仁;朱健;诺真·杰;童露丝;路克·汤马斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性穿隧接面(MTJ)，其中自由层具有与穿隧阻障层所形成的一个界面和与金属氧化物层所形成的第二界面，以促进其垂直磁各向异性(PMA)。一扩散阻障层形成在金属氧化物层与第二界面相对的一侧上，以防止硬罩幕或电极中的非磁性金属迁移到第二界面，并降低自由层的PMA。另一扩散阻障层可以形成在第二电极和参考层之间。扩散阻障层可以是SiN、TiN、TaN、Mo或CoFeX的单层，其中X是Zr、P、B或Ta，或者是如CoFeX/Mo的多层，其中CoFeX接触金属氧化物层，且Mo邻接硬罩幕。因此，在400℃30分钟的退火后，可以保持或增加MTJ中的矫顽力。
高温退火保持矫顽力具有垂直各向异性磁性组件

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110868449.X在审
发明人：萧琮介;吕勃陞;温伟志;王良玮;王郁仁;陈殿豪;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：半导体器件包括：底部电极；位于底部电极上方的磁隧道结(MTJ)元件；位于MTJ元件上方的顶部电极；以及邻接MTJ元件的侧壁间隔件，其中底部电极、顶部电极和侧壁间隔件中的至少一个包括磁性材料。本发明的实施例还涉及半导体器件的形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]具有带弯曲的非平坦表面的自由铁磁材料层的存储器基元和制造这种存储器基元的方法-CN202110924251.9在审
发明人： H·迪克西特;V·B·奈克;山根一阳 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有带弯曲的非平坦表面的自由铁磁材料层的存储器基元和制造这种存储器基元的方法。本文公开的示例性存储器基元包括：底部电极；位于底部电极上方的顶部电极；以及位于底部电极上方且位于顶部电极下方的MTJ(磁隧道结)结构。在该示例中，MTJ结构包括：位于底部电极上方的第一铁磁材料层；位于第一铁磁材料层上方的非磁性绝缘层；以及位于非磁性绝缘层上的第二铁磁材料层，其中非磁性绝缘层和铁磁材料层之间存在弯曲的非平坦界面。
具有弯曲平坦表面自由材料存储器制造这种方法

[发明专利]一种多态磁性存储器件及制备方法-CN202111355394.9在审
发明人：陆亚林;吴清梅;傅正平;崔璋璋;王建林;黄浩亮;黄秋萍 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种多态磁性存储器件及制备方法，该多态磁性存储器件是基于范德瓦尔斯异质结的自旋阀器件，主要由第一磁性层、非磁性层、第二磁性层以及绝缘层叠加构成范德瓦尔斯异质结。该范德瓦尔斯异质结中，在第一磁性层与非磁性层界面处和第二磁性层与非磁性层界面处，引入相反极化方向的自旋积累能够打破原先简并的电子输运状态，从而在电学探测时完整地呈现出四个电阻态。由于四个磁性状态对应四个不同的电阻态，所以可以进一步实现对两个磁性层的四种磁性状态的电学探测，并且通过外电场能够调控四个态的大小和窗口，最终实现在一个存储单元中的多态存储。
一种磁性存储器件制备方法

[发明专利]一种基于二维磁性材料的突触器件及其应用-CN202111337684.0在审
发明人：曾中明;张宝顺;王启丽泰;涂华垚;陈倩 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维磁性材料的突触器件及其应用。所述突触器件包括：第一电极、第二电极和磁性功能层；所述磁性功能层设置于第一电极和第二电极之间；并且，所述磁性功能层包含两个以上铁磁层，两个以上所述铁磁层沿所述磁性功能层的厚度方向层叠设置，所述铁磁层由二维磁性材料形成；所述第一电极、第二电极还与电压源电连接，所述电压源用于调控所述磁性功能层中的至少一个铁磁层的磁矩翻转，并使所述磁性功能层生成多态信号。本发明中的基于二维磁性材料的突触器件，器件整体尺寸小，具有较高的集成度和集成自由，且功耗低。
一种基于二维磁性材料突触器件及其应用

[发明专利]一种具有强垂直磁各向异性和高翻转效率的磁隧道结-CN202111321331.1在审
发明人：张文彪;孟皓;迟克群;李州;石以诺;冯向 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有强垂直磁各向异性和高翻转效率的磁隧道结，包括依次叠加的自旋轨道耦合层、自由层、势垒层和参考层，自旋轨道耦合层包括第一重金属层和第二重金属层，第二重金属层位于第一重金属层和自由层之间，且第一重金属层和第二重金属层选用材料不同并用于配合提高电子轨道间耦合作用项对垂直磁各向异性的贡献。该磁隧道结在自旋轨道耦合层中采用双层不同材料的重金属层，能够提高电子轨道间耦合作用项对垂直磁各向异性的贡献，实现对垂直磁各向异性和翻转效率的提高，有助于提高磁存储器在小型化过程中的热稳定性，并降低功耗，结构简单，便于加工制造。
一种具有垂直各向异性翻转效率隧道

[发明专利]自旋电子器件、存储单元、存储阵列和读写电路-CN202111195175.9在审
发明人：邢国忠;王迪;刘龙;林淮;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种自旋电子器件，应用于集成技术领域，包括：底电极，自旋轨道耦合层，设置在所述底电极上，至少一对磁性隧道结，设置在所述自旋轨道耦合层上，每个所述磁性隧道结包括由下而上依次设置的自由层、隧穿层和参考层，每对所述磁性隧道结的两个磁性隧道结的参考层磁化方向相反，顶电极，设置在每个所述磁性隧道结的参考层上。本公开还公开了一种存储单元、存储阵列和读写电路。
自旋电子器件存储单元阵列读写电路

[发明专利]一种磁性异质结结构及调控实现逻辑与多态存储功能的方法-CN202111327449.5在审
发明人：颜世申;田玉峰;柏利慧;范轶博;韩翔 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性异质结结构及调控实现逻辑与多态存储功能的方法，由下自上依次包括衬底、面内反铁磁层、面内铁磁层、非磁性层、垂直铁磁层、垂直反铁磁层；所述面内铁磁层和所述垂直铁磁层通过中间的所述非磁性层耦合在一起；面内铁磁层与垂直反铁磁层存在面内方向的交换偏置即面内交换偏置，面内反铁磁层与垂直反铁磁层存在面外方向的交换偏置即面外交换偏置。在单个磁性异质结中同时实现对面内交换偏置和面外交换偏置效应的有效调控，不仅极大的拓展了新型自旋电子器件设计的自由度，而且有望促进三维多功能自旋电子器件的研发。
一种磁性异质结结构调控实现逻辑存储功能方法

[发明专利]具有对称固定层的垂直磁性存储器-CN201580080402.X有效
发明人： C.C.郭;J.S.布罗克曼;J.G.阿尔扎特维纳斯科;K.奥古茨;K.P.奥布里恩;B.S.多伊勒;M.L.多茨;S.苏里;R.S.周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，包括：衬底；衬底上的垂直磁性隧道结（pMTJ），包括第一固定层、第二固定层、和第一与第二固定层之间的自由层；第一固定层与自由层之间的第一电介质层；以及第二固定层与自由层之间的第二层。本文中描述了其他实施例。
具有对称固定垂直磁性存储器

[发明专利]磁阻效应元件、磁存储器、磁化反转方法及自旋流磁化反转元件-CN201680068515.2有效
发明人：佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻效应元件，在该磁阻效应元件中，具备：磁阻效应元件，其具有固定了磁化方向的第一铁磁性金属层、和磁化方向可变的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层和第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于该磁阻效应元件的层叠方向交叉的方向延伸，并与上述第二铁磁性金属层接合，在上述磁阻效应元件和上述自旋轨道转矩配线接合的部分，流通于上述磁阻效应元件的电流和流通于上述自旋轨道转矩配线的电流合流或被分配。
磁阻效应元件磁存储器磁化反转方法自旋

[发明专利]一种半导体结构的形成方法-CN202010708962.8在审
发明人：张建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和辅助区；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层表面形成缓冲层；在所述器件区形成贯穿所述缓冲层和所述介质层的连接结构；在所述辅助区形成贯穿所述缓冲层和所述介质层并延伸至所述衬底中的辅助沟槽；在所述辅助沟槽侧壁和底部以及所述缓冲层和所述连接结构表面形成磁隧道结材料层，所述磁隧道材料层不填满所述辅助沟槽；刻蚀所述磁隧道结材料层和所述缓冲层在所述连接结构表面形成磁隧道结。所述缓冲层可以提高辅助沟槽的质量，进而提高磁隧道结的位置精度，此外所述缓冲层还可以提高化学机械研磨所述连接结构时的均匀性。
一种半导体结构形成方法

[发明专利]可变电阻存储器件-CN201611139451.9有效
发明人：郑锡宇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种可变电阻存储器件包括：第一电极层；可变电阻图案结构，位于第一电极层上并包括可变电阻层；覆盖层，形成在可变电阻图案结构的相反的侧壁上并包括具有不同的杂质浓度的区域；以及第二电极层，形成在覆盖层上。
可变电阻存储器件

[发明专利]自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器-CN201680068794.2有效
发明人：佐佐木智生;及川亨 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的自旋流磁化反转元件中，具备：磁化方向可变的第二铁磁性金属层(1)；向相对于上述第二铁磁性金属层(1)的垂直于平面的方向交叉的方向延伸，且接合于上述第二铁磁性金属层(1)的自旋轨道力矩配线(2)，上述自旋轨道力矩配线层(2)的、接合于上述第二铁磁性金属层(1)的接合部分的自旋电阻比上述第二铁磁性金属层(1)的自旋电阻大。
自旋磁化反转元件磁阻效应磁存储器

[发明专利]磁存储器件和用于制造磁存储器件的方法-CN202110740750.2在审
发明人：申喜珠;朴相奂;吴世忠;金基雄;徐铉雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁存储器件包括：钉扎层；自由层；钉扎层和自由层之间的隧道势垒层；第一氧化物层，与隧道势垒层间隔开，其中自由层在第一氧化物层和隧道势垒层之间；以及第二氧化物层，与自由层间隔开，其中第一氧化物层在第二氧化物层和自由层之间。第一氧化物层包括第一材料的氧化物，并且第一氧化物层的厚度可以在从至的范围内。第二氧化物层可以包括第二材料的氧化物，并且第二氧化物层的厚度可以在从至的范围内。第一材料的第一氧亲和性可以大于第二材料的第二氧亲和性。
磁存储器用于制造方法

[发明专利]磁存储装置及其制造方法-CN201710659406.4有效
发明人：都甲大;细谷启司;相川尚德;岸达也 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供可信性能够提高的磁存储装置及其制造方法。实施方式的磁存储装置包括：具有可变的磁化方向的第1磁性层(11)；设置于第1磁性层(11)上的第1非磁性层(12)；和设置于第1非磁性层(12)上、具有固定磁化方向的第2磁性层(13至16)。第2磁性层(13至16)包含：包含Mo(钼)、Ta(钽)、W(钨)、Hf(铪)、Nb(铌)以及Ti(钛)中的至少1种的非磁性金属。
存储装置及其制造方法