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[发明专利]一种提高多层膜结构自旋轨道矩翻转效率的方法及多层膜结构、磁隧道结与磁随机存储器-CN202110985984.3在审
发明人：聂天晓;王海宇;殷加亮 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高多层膜结构自旋轨道矩翻转效率的方法及多层膜结构、磁隧道结与磁随机存储器。上述方法是在多层膜结构的铁磁层和氧化物层之间设置第一金属插入层，增强界面自旋轨道耦合强度。本发明还提供了一种多层膜结构，包括非铁磁层、铁磁层、第一金属插入层和氧化物层。本发明还提供了一种磁隧道结，包括非铁磁层、第一铁磁层、第一金属插入层、势垒层、第二铁磁层；或者非铁磁层、第二金属层、第一铁磁层、第一金属插入层、势垒层、第二铁磁层。本发明还提供了含有上述多层膜结构或磁隧道结的磁随机存储器。本发明通过插入超薄金属的方式，利用氧化工程效应改变非铁磁层和铁磁层的界面，以增强界面自旋轨道耦合效应，提高翻转效率。
一种提高多层膜结构自旋轨道翻转效率方法隧道随机存储器

[发明专利]自旋过滤磁隧道结、制备方法及设备-CN202111103707.1在审
发明人：王开友;刘鹏飞;邓永城 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种自旋过滤磁隧道结，包括：第一磁性层、隧穿层和第二磁性层；第一磁性层，与外接电极连接，用于产生自旋电流；隧穿层，设置在第一磁性层和第二磁性层之间，用于隔绝第一磁性层和第二磁性层；第二磁性层，具有反铁磁性，以对自旋电流进行过滤。本发明通过设置具有反铁磁性的第二磁性层，能对自旋电流进行过滤，实现巨大的隧穿磁电阻率。本公开还提供了一种自旋过滤磁隧道结的制备方法及设备。
自旋过滤隧道制备方法设备

[发明专利]用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法-CN202111107385.8在审
发明人：薛林;安在洙;M·帕卡拉;程志康;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。
用于形成 mram 应用使用具有期望结晶度结构方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202010597695.1在审
发明人：杨成成 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种半导体结构和半导体结构的形成方法，其中，半导体结构包括：基底；位于基底表面的下电极层；位于下电极层表面的磁隧道结；位于磁隧道结表面的上电极层；位于磁隧道结与上电极层之间或磁隧道结与下电极层之间的翻转增强层；用于控制翻转增强层的磁矩方向的压电层，当翻转增强层位于磁隧道结与上电极层之间时，所述压电层位于翻转增强层与上电极层之间，当翻转增强层位于磁隧道结与下电极层之间时，所述压电层位于翻转增强层与下电极层之间，并且，在未向压电层施加外加电压时，所述翻转增强层的磁矩方向与所述磁隧道结的磁矩方向平行。通过所述压电层，能够在减小磁性随机存储器的写入功耗的同时，提高磁性随机存储器的可靠性和稳定性。
半导体结构形成方法

[发明专利]具有自旋轨道转矩效应的异或逻辑装置-CN201580079363.1有效
发明人： S.马尼帕鲁尼;D.尼科诺夫;I.A.扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：描述了一种设备，其包含：第一层，由展示自旋轨道转矩效应的材料所形成；第二层，由展示自旋轨道转矩效应的材料所形成；以及磁隧穿结（MTJ），包括第一自由磁层和第二自由磁层，其中第一自由磁层被耦合到第一层并且其中第二自由磁层被耦合到第二层。
具有自旋轨道转矩效应逻辑装置

[实用新型]巨型磁阻元件和磁性多匝传感器-CN202121137772.1有效
发明人： J·施密特;C·P·欧达赖;M·塔雷克萨曼;O·N·乌尔;J·库比克;E·拉格 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开涉及巨型磁阻元件和磁性多匝传感器。巨型磁阻元件用于磁性多匝传感器，该巨型磁阻元件包括：参考层；与所述参考层相邻的非磁性层；和铁磁性材料的自由层，其中该自由层包括与所述非磁性层相邻的铁磁性材料的第一层、和至少包括多个第一材料层和多个第二材料层的多层布置，所述第一材料是铁磁性的。
巨型磁阻元件磁性传感器

[发明专利]具有缓冲层的磁性隧道结存储器单元及其形成方法-CN202110088853.5在审
发明人：徐晨佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种存储器单元结构，包括设置在衬底之上的介电顶盖层及设置在介电顶盖层之上的第一介电层。存储器单元结构可还包括设置在第一介电层之上的缓冲层、嵌置在缓冲层、第一介电层及介电顶盖层中的连接通孔结构。存储器单元结构可还包括底部电极及磁性隧道结(MTJ)存储器单元，所述底部电极设置在连接通孔结构及缓冲层上，所述磁性隧道结(MTJ)存储器单元包括设置在底部电极上的一个或多个磁性隧道结层。
具有缓冲磁性隧道结存单元及其形成方法

[发明专利]封盖的磁性存储器-CN201580080103.6有效
发明人： D·R·兰伯恩;O·戈隆茨卡;C·J·维甘德;P·E·海尔;M·T·拉赫曼;R·J·卡斯特利亚诺;T·班萨尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，该装置包括：位于第一电极与第二电极之间的磁性隧道结(MTJ)，磁性隧道结(MTJ)包括固定层与自由层之间的电介质层；直接接触第一电极的侧壁的电介质膜；以及经由所述电介质膜耦合到所述侧壁的金属层；其中(a)竖直轴与第一电极和第二电极以及MTJ相交，但不与金属层相交，(b)第一水平轴与金属层、电介质膜以及第一电极相交；并且(c)位于第一水平轴与MTJ之间的第二水平轴与电介质膜和第一电极相交，但不与封盖层相交。本文描述了其它实施例。
磁性存储器

[发明专利]磁存储单元及SOT-MRAM存储器-CN201811604713.3有效
发明人：何世坤 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁存储单元及SOT‑MRAM存储器，所述磁存储单元包括：自旋轨道矩提供线和两个磁性隧道结，每个所述磁性隧道结包括依次堆叠的自由层、隧道层和参考层，两个所述磁性隧道结位于所述自旋轨道矩提供线的同一侧且各自的自由层靠近所述自旋轨道矩提供线，两个所述磁性隧道结的参考层外侧分别有一层偏置磁场提供层，所述偏置磁场提供层通过分离层与所述磁性隧道结隔开，两个所述偏置磁场提供层具有不同的几何尺寸，同时两个所述偏置磁场提供层的磁化方向相反且分别垂直于各自对应的磁性隧道结的自由层的磁化方向。本发明能够提高SOT‑MRAM存储器的读写速度。
存储单元 sot mram 存储器

[实用新型]磁性存储单元及磁性存储器-CN202121682823.9有效
发明人：申力杰;张栋山;杨丹丹 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种磁性存储单元，包括基底、底部通孔、底电极连接层和磁性隧道结，基底上设有底层金属线，底部通孔位于底层金属线上方，内部充满导电金属，底电极连接层采用多层金属膜的层叠结构，包括最顶层金属膜以及位于最顶层金属膜下方的与最顶层金属膜相邻的次顶层金属膜，其中最顶层金属膜相对于次顶层金属膜具有大的刻蚀选择比，次顶层金属膜用于调整最顶层金属膜的刻蚀形貌；磁性隧道结位于底电极连接层上方。本实用新型的磁性存储单元能够制备形貌较好的顶层金属膜的柱体结构。
磁性存储单元存储器

[发明专利]铌酸锂半导体结构及其制备方法-CN202011438154.0有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层、第二铌酸锂材料层和第三铌酸锂材料层。所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第二铌酸锂材料层与所述第一铌酸锂材料层间隔设置。所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第三铌酸锂材料层夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间。所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第二方向。所述第一方向与所述第二方向相反。
铌酸锂半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201980096069.X在审
发明人：成濑峰信 -专利权人：株式会社爱信
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：半导体存储装置(20)具有由作为一个逻辑部(40)的对象逻辑部(41)访问的两种磁阻存储器即第一磁阻存储器(21)和第二磁阻存储器(22)。对象逻辑部(41)、第一磁阻存储器(21)以及第二磁阻存储器(22)形成于一个半导体芯片，第一磁阻存储器(21)的矫顽力大于第二磁阻存储器(22)的矫顽力。
半导体存储装置

[发明专利]磁畴壁移动元件及磁存储阵列-CN202110565671.2在审
发明人：芦田拓也;柴田龙雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种可靠性高的磁畴壁移动元件及磁存储阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件从靠近基板的一侧起依次层叠有第一铁磁性层、非磁性层、第二铁磁性层，从层叠方向俯视，在沿着与所述第一铁磁性层延伸的第一方向正交的第二方向切断的切断面上，所述第一铁磁性层的所述第二方向的最短宽度比所述非磁性层的所述第二方向的宽度短。
磁畴壁移动元件存储阵列

[发明专利]磁隧道结的制备方法及单元结构-CN202011538843.9在审
发明人：陈文静;殷加亮;郭宗夏;曹凯华;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁隧道结的制备方法及单元结构，所述制备方法包括：在衬底上形成底电极层；在所述底电极层上形成磁隧道结；在所述磁隧道结和所述底电极层组成的表面上形成第一介质层，并根据底电极图案对所述底电极层进行图案化；在图案化后的底电极层和第一介质层组成的表面上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层直至所述底电极层和所述磁隧道结分别得到底电极通孔和顶电极通孔并金属化，本发明可降低或避免刻蚀副产物再沉积带来的影响。
隧道制备方法单元结构

[发明专利]竖直选择器STT-MRAM架构-CN202080031754.7在审
发明人： A·E·昂吉;A·J·沃克;D·比里 -专利权人：芯成半导体（开曼）有限公司
申请日： 2020-06-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性存储器阵列，其具有在两个维度上与沟道选择器阵列电连接的源极平面。所述沟道选择器阵列可布置成行及列，其中所述行及所述列两者与源极平面电连接。例如磁性隧道结元件等的磁性存储器元件可与所述沟道选择器中的每一者电连接。所述源极平面可包含形成于半导体衬底的表面中的掺杂区并且也可包含形成于所述掺杂区上的导电层。通过消除为沟道选择器的个别行形成单独源极线源极线的需要，此种平面化二维源极平面的使用允许数据密度大幅增加。
竖直选择器 stt mram 架构