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[发明专利]一种SOT-MRAM器件及其形成方法-CN202210085736.8在审
发明人：张丛;刘宏喜;陈文静;王嘉毅;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOT‑MRAM器件的形成方法，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上沉积SOT层；图形化磁隧道结图案到SOT层上方的光刻胶；对光刻胶表面进行固化处理，在SOT层上沉积MTJ堆叠层；采用剥离工艺去除SOT层上的光刻胶；在SOT层和MTJ堆叠层上沉积介质层，对介质层进行图形化处理，刻蚀介质层，将所需图案转移到介质层；在图形化处理后的介质层上沉积电极层，对电极层进行图形化处理，刻蚀后形成SOT‑MRAM器件。本发明通过图形化光刻胶后沉积膜堆的方式，避免了对SOT层蚀刻而引起的器件开路，优化MTJ隧道结的侧壁形貌，消除了刻蚀引起的侧壁损伤及缺陷，提高了SOT‑MRAM器件的稳定性。
一种 sot mram 器件及其形成方法

[发明专利]磁性隧道结器件-CN202011257149.X在审
发明人：孟皓;石以诺;李州;迟克群 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结器件、存储器和集成电路，磁性隧道结器件包括：重金属层、在重金属层上方叠置的自由层、势垒层和参考层，设置于重金属层与自由层之间并与重金属层相邻设置的垂直强化层，垂直强化层的材料具有高垂直磁各向异性；以及设置于垂直强化层与自由层之间的第一耦合层。本发明的磁性隧道结器件，在较小尺寸下自由层依然具有高热稳定性。
磁性隧道器件

[发明专利]基于应力调控铁磁/重金属薄膜体系中各向异性阻尼的方法-CN202011261925.3在审
发明人：刘二;张想;张志;徐锋;张玉晶 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于应力调控铁磁/重金属薄膜体系中各向异性阻尼的方法。所述方法通过将铁磁/重金属薄膜体系生长在柔性可弯曲衬底上，利用柔性基底可弯曲特性在铁磁/重金属薄膜生长过程中施加预应力的方法来调控铁磁/重金属薄膜体系中的各向异性磁阻尼。本发明方法实施难度低，易于实现铁磁/重金属薄膜体系的各向异性阻尼的调控，适用于自旋轨道耦合的电子器件领域。
基于应力调控重金属薄膜体系各向异性阻尼方法

[发明专利]一种自旋轨道矩磁性随机存储器及其制备方法-CN202210072138.7在审
发明人：刘金营 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种自旋轨道矩磁性随机存储器及其制备方法，自旋轨道矩磁性随机存储器包括衬底、第一导电结构、拓朴结构、磁性隧道结、第二导电结构及第三导电结构；通过与第一导电结构垂直设置，且第一端与第一导电结构电连接、第二端与第三导电结构电连接的拓朴结构，及在拓朴结构外围设置电连接的磁性隧道结，以及在磁性隧道结的外围设置电连接的第二导电结构，可提高自旋轨道矩磁性随机存储器的存储能力，降低自旋轨道矩磁性随机存储器的功耗，以扩大自旋轨道矩磁性随机存储器的应用。
一种自旋轨道磁性随机存储器及其制备方法

[发明专利]一种自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法-CN202210073781.1在审
发明人：刘金营 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法，自旋转移矩磁性随机存储器包括第一金属连接结构、底部电极、磁性隧道结、顶部电极及第二金属连接结构，底部电极呈U型形貌，位于第一金属连接结构上，且与第一金属连接结构电连接；磁性隧道结呈U型形貌覆盖底部电极的表面与底部电极电连接；顶部电极呈U型形貌覆盖磁性隧道结的表面与磁性隧道结电连接；第二金属连接结构位于顶部电极上与顶部电极电连接。本发明通过呈U型形貌的底部电极、磁性隧道结及顶部电极，可使得自旋转移矩磁性随机存储器在增强存储器件的记忆能力的同时，减小占地面积，以利于自旋转移矩磁性随机存储器的微缩。
一种自旋转移磁性随机存储器及其制备方法

[发明专利]一种具有电阻开关效应的BEFMO/ZnO复合异质结及其制备方法-CN201811089163.6有效
发明人：谈国强;刘云;郭美佑;薛敏涛;任慧君;夏傲 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电阻开关效应的BEFMO/ZnO复合异质结及其制备方法，包括复合在一起的下层膜和上层膜；下层膜化学式为ZnO，六角纤锌矿结构；上层膜化学式为Bi0.9Er0.1Fe0.99Mn0.01O3，扭曲的菱方钙钛矿结构，空间群R3c。制备方法包括以下步骤：制备ZnO前驱液；在FTO/Glass基板上旋涂ZnO前驱液，烘烤，退火得到晶态ZnO薄膜；制备BEFMO前驱液，在晶态ZnO薄膜上旋涂BEFMO前驱液，烘烤，退火，即得到BEFMO/ZnO复合异质结。本发明所述的BEFMO/ZnO复合异质结表现出很好的电阻开关效应。
一种具有电阻开关效应 befmo zno 复合异质结及其制备方法

[发明专利]自旋轨道转矩驱动器件-CN201811135828.2有效
发明人：王素梅;罗军;赵超;王文武;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种自旋轨道转矩驱动器件，包括顺序堆叠的第一磁性层、重金属层和第二磁性层的堆叠结构，其中，所述第一磁性层具有面内各向异性，所述第二磁性层具有垂直各向异性。
自旋轨道转矩驱动器件

[发明专利]一种磁阻式随机存取存储器及其制造方法-CN202011225599.0在审
发明人：郭宗夏;殷加亮;曹凯华;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻式随机存取存储器及其制造方法，一些实施方式涉及包括磁阻式随机存取存储器单元的集成电路及其制造方法，所述集成电路包括：衬底；磁性隧道结，其包括第一端和第二端，所述第一端靠近所述衬底，所述第二端与所述第一端相对设置；导体层，位于所述磁性隧道结的所述第一端和所述衬底之间，可导入电流；以及刻蚀停止层，位于所述磁性隧道结的第二端端面上；其中，形成刻蚀停止层的材料为金属，本发明扩大了磁性隧道结顶部通孔互联的工艺窗口，使得纳米尺度的磁性隧道结与底电极配线层更易于进行后道金属互联相关工艺。
一种磁阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]磁性隧道结-CN202011219593.2在审
发明人：孙一慧 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结，包括：层叠设置的自由层、势垒层和参考层，其中所述自由层包括依次叠置的第一磁性层、第一耦合层、第二磁性层、第二耦合层和第三磁性层，第一磁性层、第二磁性层和第三磁性层各自具有可翻转的磁矩。本发明能够提高磁性隧道结的热稳定性。
磁性隧道

[发明专利]一种FinFET高密度新型存储器及其制备方法-CN202111460073.5在审
发明人：卢世阳;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET高密度新型存储器及其制备方法，所述存储器由衬底层上的多个存储单元组成，其中每一个存储单元包括：电流写入层和两个结构相同的磁性隧道结；所述磁性隧道结分别包括按顺序排列的自由层、势垒层、人工反铁磁耦合层、覆盖层，且所述两个磁性隧道结分别位于电流写入层的两侧形成对称结构；所述人工反铁磁耦合层包括固定层、反铁磁耦合层、钉扎层。通过本发明制备的存储器，利用两个对称的磁性隧道结自旋霍尔角相反实现差分存储，在一条电流写入层上可以形成多个结存储单元，提高了存储密度；存储单元为差分结构，减少源线、字线、位线的使用，提高集成度；本发明的制备方法只需要一次沉积刻蚀工艺，方法简单易行。
一种 finfet 高密度新型存储器及其制备方法

[发明专利]磁性器件-CN202111202262.2在审
发明人：金英铉;吴世忠;直基长谷;申喜珠;朴正桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性器件包括包含固定图案的固定层、自由层以及在固定层和自由层之间的隧道势垒。固定图案包括第一磁性图案、第二磁性图案以及在第一磁性图案和第二磁性图案之间的包括非磁性材料层的混合间隔物，非磁性材料包括分散在其中的多个磁性纳米粒子。
磁性器件

[发明专利]一种二维磁性半金属材料及其理论计算方法-CN202111448490.8在审
发明人：田晓庆;玛丽亚姆·基亚尼;王向荣;鲍里斯·雅克布森 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了二维磁性材料性能调控技术领域的一种二维磁性半金属材料及其理论计算方法。该二维磁性半金属材料，具有单层二硒化钒固有的第一硒原子层、钒原子层、第二硒原子层构成的三明治层状结构，以及在第一硒原子层和/或第二硒原子层吸附氧原子形成的氧原子层。通过软件包VASP计算，该二维材料具有半金属特性，自旋极化率达到100％。本发明为二维磁性半金属材料的制备提供依据，在自旋电子学器件小型化应用中具有广阔的前景，对后摩尔时代器件研发具有重要意义。
一种二维磁性金属材料及其理论计算方法

[发明专利]一种石墨烯太赫兹波探测器-CN202210031621.0在审
发明人：于孟今 -专利权人：于孟今
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及太赫兹波探测领域，具体提供了一种石墨烯太赫兹波探测器，反铁磁层的材料为硬磁反铁磁材料，钉扎层置于反铁磁层上，钉扎层的材料为自旋性极化率高的金属或半金属，石墨烯层置于钉扎层上，自由层置于石墨烯层上，自由层的材料为磁各向异性弱的软磁材料。应用时，应用固定磁场作用于本发明，以产生巨磁阻效应；同时，应用待测太赫兹波照射石墨烯层。通过测量太赫兹波照射时和无太赫兹波照射时，钉扎层和自由层之间电阻的差异，确定待测太赫兹波的强度或波长。本发明具有太赫兹波探测灵敏度高的优点。
一种石墨赫兹探测器

[发明专利]电子装置-CN201810251234.1有效
发明人：金亮坤;郑求烈;林钟久;李哉衡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：电子装置可以包括半导体存储器，所述半导体存储器可以包括：磁隧道结MTJ结构，其包括具有可变磁化方向的自由层、具有固定磁化方向的钉扎层以及介于自由层和钉扎层之间的隧道阻挡层；底层，其设置在MTJ结构下；以及垂直磁各向异性增加层，其设置在底层之下，并且包括具有与底层不同的晶体结构的材料。
电子装置

[发明专利]磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件-CN202111680187.0在审
发明人：赵旭鹏;韩荣坤;赵建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件，该薄膜包括：基片；平滑层，设置在基片上；钴基铁磁层，设置在平滑层上，具有体心立方结构，用于与平滑层晶格匹配；锰基反铁磁层，设置在钴基铁磁层上，用于诱导钴基铁磁层的垂直磁各向异性；覆盖层，设置在锰基反铁磁层上，用于保护磁性薄膜。
磁性薄膜及其制备方法隧道器件