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[发明专利]一种基于磁性隧道结的互联自旋多数门器件-CN202210506107.8在审
发明人：何亮;曾前进 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种基于磁性隧道结的互联自旋多数门器件，从表面到衬底依次堆叠的上电极层、磁性钉扎层、绝缘隧穿层、第一磁性磁化自由层FL1、隔离耦合层、第二磁性磁化自由层FL2、重金属层和底电极层；所述磁性固定层由磁性层和耦合的反铁磁层组成，所述第一、第二磁性磁化自由层中间设有将磁性磁化自由层隔开的隔离耦合层；所述磁性钉扎层、所述绝缘隧穿层和所述磁性磁化自由层构成磁性隧道结，利用电流产生的自旋转移力矩效应控制所述磁性磁化自由层的磁化方向，利用互联磁性磁化自由层交换耦合作用实现逻辑；器件包括四个共用磁性磁化自由层的双磁化自由层磁性隧道结，依次记为第一、第二、第三输入MTJ和输出；器件为十字形共四个分支，其中三个分支为输入分支，第四个分支为输出分支。
一种基于磁性隧道自旋多数器件

[发明专利]自旋门逻辑器件及扩展自旋多数门逻辑器件-CN202210528129.4在审
发明人：游龙;沈愉捷;张帅 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋门逻辑器件及扩展自旋多数门逻辑器件，属于自旋逻辑器件领域，包括：呈“一”字型排列的三个扩展磁隧道结，分别作为输入MTJ1、输入MTJ2和输出MTJ；扩展磁隧道结自下往上依次包括底部重金属层、自由层、氧化层、固定层、反铁磁层和顶部重金属层，各扩展磁隧道结的底部重金属层彼此连接以及自由层彼此连接；当底部重金属层中注入有平行于膜面的电流、输入MTJ1和输入MTJ2的顶部重金属层中均注入有垂直于膜面的电流时，在自由层中产生STT效应和SOT效应以改变自由层的磁化方向，使得自旋门逻辑器件实现“与”逻辑功能或者实现“或”逻辑功能。利用STT效应和SOT效应构建自旋门逻辑器件，可降低器件复杂度和功耗。
自旋逻辑器件扩展多数

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210121760.2在审
发明人：萧琮介;尹煜峰;王良玮;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：在半导体装置的制造方法中，形成单元结构。单元结构包括底部电极、设置在底部电极上的磁穿隧接面(MTJ)堆叠、以及设置在MTJ堆叠上的硬罩幕层。在MTJ堆叠的侧壁上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层和硬罩幕层上方形成第二绝缘覆盖层。形成第一层间介电(ILD)层。通过蚀刻第一ILD层和第二绝缘覆盖层来暴露硬罩幕层。形成第二ILD层。通过图案化第二ILD层并移除硬罩幕层，在第二ILD层中形成接点开口。在接点开口中形成导电层，使得导电层接触MTJ堆叠。
半导体装置制造方法

[发明专利]自旋流磁化反转元件及自旋轨道转矩型磁阻效应元件-CN201810993796.3有效
发明人：大田实;佐佐木智生;高桥宏和 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种有效地使纯自旋流发生并且使反转电流密度降低为可能的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件、磁存储器以及高频磁元件。本发明所涉及的自旋流磁化反转元件具备在第一方向上延伸的自旋轨道转矩配线、在与第一方向相交叉的第二方向上层叠的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含Ar、Kr、Xe当中至少1种稀有气体元素。
自旋磁化反转元件轨道转矩磁阻效应

[发明专利]一种基于CVD和ALD配合使用制备磁性隧道结器件的方法和应用-CN202210496393.4在审
发明人：罗锋;高战胜;吴金雄 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CVD和ALD配合使用制备磁性隧道结器件的方法和应用。本发明首次利用CVD和ALD配合使用制备磁性隧道结器件，其操作简单，隧穿层厚度可控性强，器件空气稳定性好。首先用CVD法生长高质量的底部二维铁磁材料，接着用ALD沉积隧穿层，再精准转移顶部铁磁电极制备三明治结构磁性隧道结器件，器件稳定性好且表现出高隧穿磁阻效应，这种CVD和ALD配合使用制备磁性隧道结器件为二维铁磁材料的开发和应用提供了一个新方法和新路径。
一种基于 cvd ald 配合使用制备磁性隧道器件方法应用

[发明专利]一种多层同心圆柱体状单元结构的自旋轨道扭矩磁性存储器-CN202110129813.0在审
发明人：钟鑫;林殷茵 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明属于自旋轨道扭矩磁性随机存取存储器技术领域，涉及一种具有多层同心圆柱体状单元结构的新型自旋轨道扭矩磁性随机存储装置(SOT‑MRAM)，本发明包括以永磁体材料制成的圆柱状磁芯，由内到外依次环形包覆非铁磁隔离层、非铁磁重金属层、第一铁磁金属层(自由层)、隧穿势垒层、第二铁磁金属层(参考层)、顶电极层。通过沿伸所述存储单元的永磁体柱芯和非铁磁重金属层，可以将多个存储单元连接成一条存储单元链，再通过合适的导线连接和传感器布局，将这些存储单元链组成高密度的三维阵列结构。
一种多层同心圆柱体单元结构自旋轨道扭矩磁性存储器

[发明专利]具有有机磁阻效应的分子电子器件的制备方法-CN201911204051.5有效
发明人：王冬;丁帅帅;于曦;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有有机磁阻效应的分子电子器件的制备方法，包括以下步骤：将光刻胶溶液旋涂在硅片上，在硅片上获得光刻胶薄膜，曝光，显影，于800～1200℃保持60～100min，得到第一碳层；在硝基苯四氟硼酸重氮盐溶液中加入四氟硼四丁基铵作为电解质，得到第二溶液，将第一碳层作为工作电极，将工作电极放入第二溶液中采用循环伏安法进行电化学沉积，在第一碳层上形成有机分子层；在有机分子层上贴上第二掩膜版，蒸镀碳，形成第二碳层；在第二碳层蒸镀金，在第二碳层上形成金层，得到分子电子器件。本发明分子电子器件的碳分子结具有有机磁阻现象，在施加磁场后，分子电子器件具有相对于正负磁场高度对称的正磁电阻特性。
具有有机磁阻效应分子电子器件制备方法

[发明专利]磁性随机存储器、装置及读写控制方法-CN202010759873.6有效
发明人：赵巍胜;李智;曹凯华;张昆 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器、装置及读写控制方法，所述磁性随机存储器包括：铁电层；介电层，设于所述铁电层上；以及磁隧道结，至少部分设于所述介电层上，本发明显著提高介电层和磁隧道结的界面效应，从而大幅度提高为磁隧道结提供的VCMA效应，进而优化磁性随机存储器的功耗、写入速度和热稳定性等性能。
磁性随机存储器装置读写控制方法

[发明专利]一种非挥发性只读存储器及其制备方法-CN202011078540.3有效
发明人：李慕禅;田仲政;于学敏;于达程;任黎明;傅云义 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明专利公开了一种非挥发性只读存储器及其制备方法。本发明利用磁性金属薄膜不同各向异性的调控，存储的信息通过磁性金属薄膜的不同磁性各向异性进行存储，该种存储器类似于掩膜式只读存储器，存储的信息在制备过程中就已经确定。本发明中所用到的制备方法完全为常用半导体加工工艺，因此该种磁性存储器件能够与目前的半导体加工工艺相相兼容，具备可集成的特点，并且该种制备方案只受制于光刻尺寸的限制，在尺寸缩小上具有很大潜力。
一种挥发性只读存储器及其制备方法

[发明专利]一种MTJ器件和MTJ器件的制备方法-CN202010403425.2有效
发明人：罗飞龙;何世坤;杨晓蕾 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种MTJ器件，包括：钉扎层、参考层、势垒层以及自由层；其中，钉扎层和参考层为当MTJ器件在最高工作温度状态下，在自由层产生的净磁场差值不大于最大Hoffset值对应的磁性层；最大Hoffset值为在最高工作温度状态下，MTJ器件对数据保存时长不小于预设时长时，对应的MTJ器件最大的Hoffset值。本申请中的MTJ器件在最高工作温度下的Hoffset值接近为0，使得MTJ器件在工作发热等状态下也能保持较好的工作性能，进而提高MTJ器件高温工作状态下对数据的保存时长，保证MTJ器件的工作性能，有利于MTJ器件的广泛应用。本申请还提供了一种MTJ器件的制备方法，具有上述有益效果。
一种 mtj 器件制备方法

[发明专利]一种低磁滞隧道结磁敏感体的制备方法-CN202010457311.6有效
发明人：胡佳飞;李裴森;冀敏慧;潘孟春;彭俊平;邱伟成;陈棣湘;姚馨平 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了低磁滞隧道结磁敏感体的制备方法，包括磁性隧道结的制备，两次退火，磁聚集器的制备，第三次退火，其中两次退火时施加磁场的方向互相垂直，第三次退火时，施加磁场的方向与第二次退火的方向相同，本发明有效抑制了隧道结磁电阻敏感体输出响应的磁滞。
一种低磁滞隧道敏感制备方法

[发明专利]基于Fe3-CN201910171051.3有效
发明人：方贺男;李影;彭祥;陶志阔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：基于Fe3N/GaN异质结构的磁性隧道结的设计和制备方法，磁性隧道结的设计，包括衬底，和依次设置在衬底上的铁磁电极、势垒层、铁磁电极、钉扎层、保护层；制备方法包括如下步骤：步骤1，将单晶蓝宝石薄膜作为衬底，并用酒精在超声清洗仪内对其进行5分钟的清洗；步骤2，在步骤1中的蓝宝石衬底上利用磁控溅射方法溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤3，将步骤2中所得的样品表面溅射一层GaN薄膜，作为势垒层；步骤4，将步骤3中所得的样品表面溅射一层Fe3N薄膜，作为铁磁电极；步骤5，将步骤4中所得的样品表面利用标准技术依次IrMn钉扎层和Ru保护层。本发明通过对于材料的选择，使得铁磁电极与隧穿层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。
基于 fe base sub

[发明专利]一种磁性随机存储器及电子设备-CN202080085444.3在审
发明人：叶力;李文静 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性随机存储器及电子设备，用以提高磁性随机存储器的存储密度。磁性随机存储器包括多个结构单元以及多个电压控制线；多个电压控制线平行；多个结构单元所在的平面平行，且多个结构单元中每个结构单元所在的平面与多个电压控制线垂直。其中，每个结构单元包括依次堆叠的多层存储结构，多层存储结构中的每层存储结构包括电极线以及设置于电极线上的多个存储单元，多个存储单元中的每个存储单元包括一个磁性隧道结，每个存储单元的一端与电极线连接，另一端与多个电压控制线中的一个电压控制线连接。
一种磁性随机存储器电子设备

[发明专利]磁性结构、包括其的磁性器件以及用于提供其的方法-CN202111564093.7在审
发明人：德米特罗·阿帕科夫;伊克提亚;郑在佑;奇拉格·加格;马赫什·萨曼特;帕纳约蒂斯·夏利劳斯·菲利波;雅里·费兰特 -专利权人：三星电子株式会社;国际商业机器公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：描述了磁性结构、包含所述磁性结构的磁性器件以及用于提供所述磁性结构的方法。所述磁性结构包括磁性层、模板结构和电阻插入层。磁性层包括赫斯勒化合物并具有超过平面外退磁能的垂直磁各向异性能。模板结构具有被构造为对赫斯勒化合物和电阻插入层中的至少一者进行模板化的晶体结构。磁性层在模板结构上。电阻插入层被构造为减小赫斯勒化合物的磁阻尼并允许对赫斯勒化合物的模板化。
磁性结构包括器件以及用于提供方法

[发明专利]自旋流磁化反转元件、磁存储器-CN201810997206.4有效
发明人：盐川阳平;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的所涉及的自旋流磁化反转元件(100)具备：第1铁磁性金属层(101)，其能够改变磁化的方向；自旋轨道转矩配线层(102)，其接合于第1铁磁性金属层(101)并且在相对于第1铁磁性金属层(101)的法线方向交叉的方向上延伸，自旋轨道转矩配线层(102)包含B、C、Si、P中的至少一种轻元素L、以及Ar、Kr、Xe中的至少一种稀有气体元素。
自旋磁化反转元件磁存储器