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[发明专利]磁畴壁移动元件和磁阵列-CN202111515848.4在审
发明人：米村祥吾;佐佐木智生;柴田龙雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁畴壁移动元件和磁阵列。该磁畴壁移动元件包括：层叠体，其位于基板的上方，具有从靠近所述基板的一侧起依次层叠的铁磁性层、非磁性层和磁畴壁移动层；第1导电层；和第1表面层，所述非磁性层被夹在所述铁磁性层与所述磁畴壁移动层之间，所述第1导电层连接于所述磁畴壁移动层的上表面，所述第1表面层与所述磁畴壁移动层的上表面的至少一部分接触，所述第1表面层的电阻率比所述磁畴壁移动层的电阻率高。
磁畴壁移动元件阵列

[发明专利]磁隧道结叠层结构、存储器及神经网络计算装置-CN202011468695.8在审
发明人：李州;孟皓;迟克群;石以诺;张文彪 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结叠层结构，包括：由下向上依次层叠的自旋轨道矩提供层、第一自由层、耦合层、第二自由层、势垒层和参考层；其中，所述第一自由层和所述第二自由层的其中一个为面内磁化方式，另一个为垂直磁化方式；所述参考层的磁化方式与第二自由层的磁化方式相同。将第一自由层和第二自由层的磁化方式设置为不同的磁化方式，利用两者的组合，能够适应多种应用。
隧道结叠层结构存储器神经网络计算装置

[发明专利]磁性隧道结器件-CN202011431586.9在审
发明人：韩谷昌;哀立波;张恺烨;刘波 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结器件，包括：层叠设置的参考层、势垒层、自由层和盖层，参考层具有与参考层的平面大致垂直的固定磁化，自由层具有与自由层的平面大致垂直并且能够在与参考层的磁化方向平行或者反平行之间进行转换的磁化，自由层包括叠置的第一铁磁层和第二铁磁层，第一铁磁层与势垒层相邻设置并具有高饱和磁化强度。本发明能够降低磁性隧道结器件的翻转电流。
磁性隧道器件

[发明专利]磁性隧道结器件及其制造方法-CN202011431617.0在审
发明人：韩谷昌;杨晓蕾;哀立波;张恺烨;刘波 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结器件，包括：层叠设置的参考层、势垒层、自由层和盖层，参考层具有与参考层的平面大致垂直的固定磁化，自由层具有与自由层的平面大致垂直并且能够在与参考层的磁化方向平行或者反平行之间进行转换的磁化，自由层的磁阻尼系数小于0.003。本发明能够降低磁性隧道结器件的临界翻转电流。
磁性隧道器件及其制造方法

[发明专利]磁性隧道结器件-CN202011431856.6在审
发明人：韩谷昌;哀立波;张恺烨;刘波 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结器件，包括：依次层叠设置的参考层、势垒层、自由层和盖层，参考层具有与参考层的平面大致垂直的固定磁化，自由层包括：第一铁磁层、第二铁磁层以及位于第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合层，第一铁磁层与势垒层相邻设置，第一铁磁层具有垂直于薄膜表面并且可翻转的磁化，第二铁磁层具有与第一铁磁层磁化方向相反的磁化。且自由层的两个铁磁层与反铁磁耦合层之间或者在两个铁磁层层间设置间隔层，提高自由层的饱和磁化强度。本发明的磁性隧道结器件在具有高垂直各向异性能的同时，具有较低的翻转电流。
磁性隧道器件

[发明专利]适于BEOL集成的修改的双磁隧道结结构-CN202080072785.7在审
发明人：孙赞红 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了修改的双磁隧道结(mDMTJ)结构(100)，其包括夹在磁性自由层(108)和第一隧道势垒层之间的非磁性自旋导电金属层(106)；所述第一隧道势垒层(104)接触第一磁性参考层(102)。第二隧道势垒层(110)位于磁性自由层(108)上，并且第二磁性参考层(112)位于第二隧道势垒层(110)上。所述mDMTJ结构展现有效切换和快速读出。
适于 beol 集成修改隧道结构

[发明专利]无外场自旋轨道矩驱动磁翻转磁矩的器件及制备方法-CN202110222880.7有效
发明人：吴东阳;毕冲;卢年端;李泠;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种无外场自旋轨道矩驱动磁翻转磁矩的器件及制备方法，器件自下而上依次包括：基片；功能层，包括CoFe2O4层，CoFe2O4层利用磁致伸缩的逆效应提供平面内磁各向异性场；自旋轨道转矩层，用于在磁各向异性场的作用下翻转磁遂道结内自由层的磁化方向；磁遂道结，包括自由层和参考层，自由层和参考层之间设置有势垒隧穿层，磁遂道结通过自由层的磁化方向记录信息；保护层，用于防止磁遂道结被氧化或被腐蚀；CoFe2O4层用于减少自旋轨道转矩层在写入过程中的电流分流效应，通过在CoFe2O4上施加荷载，利用磁致伸缩的逆效应提供平面内磁各向异性场，用以给自由层提供磁翻转所需要的外磁场，实现无外场自旋轨道矩驱动磁翻转磁矩，减小了翻转电流，降低功耗。
外场自旋轨道驱动翻转器件制备方法

[发明专利]一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法-CN202210171412.6在审
发明人：卢世阳;宁小白;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，涉及电子领域，该自旋轨道矩磁存储器包括：复合式重金属层以及设置于复合式重金属层之上的磁隧道结，其中，所述复合式金属层包括至少两层薄膜结构：第一重金属层结构以及第二重金属层结构，至少两层薄膜结构中的任一一层由β相结构材料得到。可见，将原重金属层的材料选取为β相结构材料，由于β相结构材料自身属性是具有较大的自旋霍尔角，可以使SOT‑MRAM具有较大的翻转效率，同时β相结构材料与具有相同自旋电导率的其它材料相比，具有更小的电阻率，可以减小器件运行过程中因电阻率造成的损耗。
一种自旋轨道磁存储器及其制备方法

[发明专利]一种磁性随机存储器底电极接触及其形成方法-CN201710244620.3有效
发明人：张云森;肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器底电极接触及其形成方法，采用在通孔Vx(x＝1)上制作底电极接触。同时，由于底电极接触的顶部的截面积要比后续的超薄势垒层的截面积稍大，那么，在底电极接触周围的表面不平整将不会转移到后续的势垒层之上，非常有利于制作平整的超薄势垒层，有利于磁性隧道结磁性，电学和良率的提高，减少了工艺复杂程度和节约了制造成本。
一种磁性随机存储器电极接触及其形成方法

[发明专利]磁存储装置-CN201710845287.1有效
发明人：及川忠昭;永濑俊彦;李永珉;渡边大辅;泽田和也;吉野健一;大鸟博之;金亮坤;郑求烈;林钟久;李哉衡;徐秀万;郑星雄;李泰荣 -专利权人：铠侠股份有限公司;SK 海力士公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：根据一个实施例，磁存储装置包括磁阻元件，该磁阻元件包括具有可变磁化方向的第一磁性层(20)、具有固定磁化方向的第二磁性层(40)、以及设置在第一磁性层(20)和第二磁性层(40)之间的非磁性层(30)。第一磁性层(20)包括第一子磁性层和第二子磁性层(21，22)，每个至少包含铁(Fe)和硼(B)，以及在第一子磁性层(21)中包含的硼(B)的浓度与在第二子磁性层(22)中包含的硼(B)的浓度不同。
存储装置

[发明专利]钙钛矿型碱土矾酸盐薄膜铁电异质结构及其制备方法-CN202210124482.6在审
发明人：郑明;关朋飞 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了钙钛矿型碱土矾酸盐薄膜铁电异质结构及其制备方法，异质结构包含铁电单晶衬底和在衬底上外延生长的钙钛矿型碱土矾酸盐薄膜；制备方法，包括以下步骤：步骤1：选取钙钛矿型碱土矾酸盐陶瓷块体为靶材；步骤2：采用脉冲激光沉积技术，在铁电单晶衬底上沉积一层外延的钙钛矿型碱土矾酸盐薄膜。本发明将碱土钒酸盐薄膜外延生长在铁电单晶衬底上，通过控制纵向施加的直流电场强度，使铁电单晶衬底产生逆压电效应，引入面内压应变，从而实现对碱土矾酸盐薄膜电阻的调控，呈现出电致电阻效应，这对于关联金属材料在新一代电场可调的低功耗非易失性电子器件中的应用具有重要的指导意义。
钙钛矿型碱土矾酸盐薄膜铁电异质结构及其制备方法

[发明专利]磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构-CN202011349124.2在审
发明人：简红;宫俊录;孙一慧;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性隧道结自由层及具有其的磁性隧道结结构。该磁性隧道结自由层包括沿第一方向顺序层叠的第一磁性复合层、反铁磁间隔结构和第二磁性复合层，在反铁磁间隔结构的作用下第一磁性复合层与第二磁性复合层呈反铁磁耦合，磁化方向相反。由于上述结构采用多层磁性复合层，在控制磁化方向垂直于薄膜界面的同时，增加磁性层的总体厚度，从而增大器件的数据保持能力。并且，为降低写入电流，上述结构使得不同的磁性复合层磁化方向相反，降低整体结构的总磁矩，从而降低写入电流，实现高的器件耐擦写能力。此外，该结构可获得较高的TMR，提高了数据读取速度。
磁性隧道自由具有结构

[发明专利]磁性隧道结-CN201780028934.8有效
发明人：陈伟;维托尔德·库拉;曼札拉·西迪克;苏瑞许·拉玛罗杰;强纳森·D·哈玛斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性隧道结，其包括：导电第一磁性电极，其包括磁性记录材料；导电第二磁性电极，其与所述第一电极隔开且包括磁性参考材料；及非磁性隧道绝缘体材料，其在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二电极的所述磁性参考材料包括合成反铁磁性构造，所述合成反铁磁性构造包括两个隔开的磁性区域，所述磁性区域中的一者比另一者更靠近所述隧道绝缘体材料。一个磁性区域包括极化器区域，所述极化器区域包括CoxFeyBz，其中“x”为0到90，“y”为10到90且“z”为10到50。所述CoxFeyBz直接抵靠所述隧道绝缘体。包括含Os材料的非磁性区域在所述两个隔开的磁性区域之间。所述另一磁性区域包括磁性含Co材料。本发明揭示其它实施例。
磁性隧道

[发明专利]具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件-CN202010583152.4有效
发明人：王开友;张楠;曹易 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件；其中，具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元包括：磁性自由层，所述磁性自由层包括：垂直磁化的铁磁性区域和功能性区域；其中，所述铁磁性区域和功能性区域形成水平不对称结构；当电流流经磁性自由层，功能性区域及功能性区域与铁磁性区域的界面处产生作用于铁磁性区域的一自旋轨道矩，使铁磁性区域发生定向翻转。本发明可以实现无外磁场下的磁矩定向翻转，可以简化器件结构和工艺难度，降低器件制造成本，降低能耗，实现器件的小型化、提高器件的集成度。
具有水平不对称结构磁性自由存储单元逻辑器件

[发明专利]磁存储器件-CN202111318157.5在审
发明人：朴相奂;金哉勋;朴容星;徐铉雨;吴世忠;赵显 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了一种包括磁隧道结的磁存储器件。磁隧道结包括固定层、在固定层上的极化增强结构、在极化增强结构上的隧道势垒层以及在隧道势垒层上的自由层，其中极化增强结构包括多个极化增强层以及将多个极化增强层彼此分开的至少一个间隔物层。多个极化增强层中的每个的厚度为从约至约且至少一个间隔物层的厚度为从约至约
磁存储器