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- [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202110174705.5有效
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李永亮;赵飞;程晓红;王文武
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中国科学院微电子研究所
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2021-02-08
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2023-02-28
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H01L27/092
- 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在确保第一晶体管和第二晶体管具有的阈值电压不同的情况下，简化半导体器件的制造过程，提高半导体器件的良率和性能。所述半导体器件包括：衬底、第一晶体管和第二晶体管。衬底包括第一阱区和第二阱区。第一晶体管形成在第一阱区上。第一晶体管包括的沟道区具有第一材料部。第二晶体管形成在第二阱区上。第二晶体管和第一晶体管的导电类型不同。第二晶体管包括的沟道区具有第一材料部、以及形成在第一材料部外周的第二材料部。第二材料部的材质与第一材料部的材质不同。第二晶体管和/或第一晶体管为堆叠纳米线或片环栅晶体管。所述半导体器件的制造方法用于制造上述半导体器件。
- 一种半导体器件及其制造方法
- [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202110174750.0有效
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李永亮;赵飞;程晓红;王文武
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中国科学院微电子研究所
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2021-02-08
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2023-02-28
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H01L27/092
- 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在确保第一晶体管和第二晶体管具有的阈值电压不同的情况下，简化半导体器件的制造过程，提高半导体器件的良率和性能。所述半导体器件包括：衬底、第一晶体管和第二晶体管。衬底包括第一阱区和第二阱区。第一晶体管形成在第一阱区上。第一晶体管所包括的沟道区具有第一材料部。第二晶体管形成在第二阱区上。第二晶体管和第一晶体管的导电类型不同。第二晶体管所包括的沟道区具有第一材料部、以及形成在第一材料部外周的第二材料部。第二材料部的材质与第一材料部的材质不同。第二晶体管和第一晶体管均为鳍式场效应晶体管。所述半导体器件的制造方法用于制造上述半导体器件。
- 一种半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件-CN202210470252.5在审
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金哲;朴钟撤
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三星电子株式会社
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2022-04-28
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2023-02-03
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H01L27/092
- 一种半导体器件包括：衬底，包括第一有源图案和第二有源图案；栅电极，包括位于所述第一有源图案上的第一栅电极和位于所述第二有源图案上的第二栅电极；栅极切割图案，位于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；栅极间隔物，位于所述栅电极的相对的侧表面上；以及栅极覆盖图案，位于所述栅电极的顶表面、所述栅极切割图案的顶表面和所述栅极间隔物的顶表面上并且在所述第一方向上延伸。所述栅极切割图案包括在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面。所述第一侧表面和所述第二侧表面与所述栅极间隔物中的相应的栅极间隔物接触，并且所述栅极切割图案的所述顶表面比成对的所述栅极间隔物的所述顶表面更靠近所述衬底。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110864522.6在审
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汪涵
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北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
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2021-07-29
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2023-02-03
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H01L27/092
- 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括衬底，衬底，衬底包括相邻的第一区和第二区；分别位于第一区和第二区上的若干沟道层；位于相邻沟道层之间的侧墙；位于堆叠的若干沟道层两侧的源漏掺杂层；位于衬底上的栅极结构，栅极结构包围若干沟道层，且栅极结构横跨第一区和第二区；位于衬底上的介质层，介质层覆盖栅极结构的侧壁，且介质层的顶部表面高于栅极结构的顶部表面，以使得在介质层内具有导电开口，导电开口暴露出栅极结构的顶部表面；位于导电开口内的导电层，导电层连接位于第一区和第二区上的栅极结构。通过该半导体结构能够简化位于第一区上的栅极结构和位于第二区上的栅极结构之间的电连接结构，进而简化工艺步骤，降低工艺难度。
- 半导体结构及其形成方法
- [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202211375981.9在审
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王文武;刘昊炎;李永亮
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中国科学院微电子研究所
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2022-11-04
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2023-01-31
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H01L27/092
- 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以提高第一晶体管和第二晶体管对沟道电流的控制能力。所述半导体器件包括：半导体基底、第一隔离介质墙、第一晶体管和第二晶体管。第一隔离介质墙形成在半导体基底包括的第一介质层上。第一晶体管形成在第一介质层上、且位于第一隔离介质墙沿宽度方向的一侧。第一晶体管包括的第一沟道区与第一隔离介质墙间隔设置、且具有至少两个第一沟道部。沿平行于第一隔离介质墙的宽度方向，至少两个第一沟道部间隔分布。第二晶体管形成在第一介质层上、且位于第一隔离介质墙背离第一晶体管的一侧。第二晶体管包括的第二沟道区与第一隔离介质墙间隔设置。第二晶体管与第一晶体管的导电类型相反。
- 一种半导体器件及其制造方法
- [发明专利]反相器及其制备方法-CN202211220031.9有效
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郭伟
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2022-10-08
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2023-01-31
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H01L27/092
- 本申请涉及一种反相器及其制备方法，所述结构包括：衬底；第一掺杂结构，包括依次层叠在所述衬底的第一表面上的第一漏极、第一沟道和第一源极；第二掺杂结构，包括依次层叠在所述衬底的第一表面上的第二漏极、第二沟道和第二源极；栅极结构，设置在所述衬底的第一表面上，且位于所述第一掺杂结构和所述第二掺杂结构之间；其中，所述第二漏极与所述第一漏极掺杂类型相反，所述第二沟道与所述第一沟道掺杂类型相反，所述第二源极与所述第一源极掺杂类型相反。采用本结构可以节省晶圆面积，提高器件空间利用率。
- 反相器及其制备方法
- [发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202211290258.0有效
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刘洋;吴建兴
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2022-10-21
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2023-01-31
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H01L27/092
- 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构至少包括：衬底；浅槽隔离结构，设置在衬底上，且浅槽隔离结构包括凸部，且凸部超出衬底的表面；堆叠结构，设置在衬底上和浅槽隔离结构上；沉积通道，穿过堆叠结构与衬底和/或凸部的表面接触，沉积通道设置在衬底的高压器件区上；台阶结构，设置在凸部上，且台阶结构位于沉积通道内，台阶结构的表面高于衬底的表面，且台阶结构的高度小于凸部的高度；栅氧化层，设置在衬底上，栅氧化层位于沉积通道内，且栅氧化层和台阶结构之间具有间隙；以及多晶硅层，覆盖在栅氧化层和台阶结构上。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够提升半导体器件的电学性能。
- 一种半导体结构及其制造方法
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