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[发明专利]半导体装置-CN202210637377.2在审
发明人：李珍雨;吴润世;金柄成;金秀泰;崔胜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一有源图案，第一有源图案被沟槽分成一对第一有源图案；器件隔离层，填充沟槽；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案上；第一沟道图案，连接到第一源极/漏极图案并包括半导体图案；第一虚设栅电极，在与沟槽的第一侧壁相邻的同时延伸；栅电极，在第一方向上与第一虚设栅电极间隔开并且在穿过第一沟道图案的同时延伸；栅极覆盖图案，位于栅电极上；栅极接触件，结合到栅电极；以及分离图案，在栅电极与第一虚设栅电极之间延伸。分离图案的顶表面与栅极覆盖图案的顶表面处于同一水平。
半导体装置

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202210722726.0在审
发明人：金景洙;朴珍荣;李槿熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：有源图案，在基底上；源极/漏极图案，在有源图案上；栅电极，在连接到源极/漏极图案的沟道图案上；有源接触件，在源极/漏极图案上；第一下互连线，在有源接触件上；第二下互连线，在栅电极上；第一间隔件，在栅电极与有源接触件之间；以及第二间隔件，与第一间隔件分隔开，并且栅电极或有源接触件置于其间。栅电极包括电极主体部和从其顶表面突出且接触第二下互连线的电极突出部。有源接触件包括接触件主体部和从其顶表面突出且接触第一下互连线的接触件突出部。第一间隔件的顶表面比第二间隔件的顶表面高。
半导体装置制造方法

[发明专利]选择性减薄的环栅（GAA）结构-CN202210966911.4在审
发明人： M·哈桑;T·加尼;P·A·帕特尔;L·P·古勒;M·K·哈兰;C·L·王 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开涉及选择性减薄的环栅（GAA）结构。在本文中提供用于形成半导体器件的技术，所述半导体器件具有与在相同衬底上且在相当的高度处（例如，在相同层或相邻层内）的其它半导体器件相比减薄的半导体区（例如，更薄的纳米带）。在示例中，给定存储器单元的邻近的半导体器件包括p沟道器件和n沟道器件。p沟道器件可以是具有半导体纳米带的GAA晶体管，该半导体纳米带具有第一宽度；而n沟道器件可以是具有半导体纳米带的GAA晶体管，该半导体纳米带具有大于第一宽度的第二宽度（例如，第一宽度是第二宽度的一半）。p沟道器件可以具有比对应的n沟道器件更薄的宽度，以便通过降低有源半导体沟道的宽度来在结构上降低通过p沟道器件的操作电流。
选择性 gaa 结构

[发明专利]对栅极全环绕半导体器件的选择性数量缩减-CN202210968674.5在审
发明人： M·哈桑;T·加尼;P·A·帕特尔;M·K·哈兰;L·P·古勒尔;C·L·翁 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本文提供的技术用以形成与同一衬底上的其他半导体器件相比具有不同数量的半导体纳米带的半导体器件。在一个示例中，给定存储器单元(例如，随机存取存储器(RAM)单元)的两个不同半导体器件包括p沟道器件和n沟道器件。更具体地，p沟道器件可以是具有第一数量的半导体纳米带的GAA晶体管，而n沟道器件可以是具有大于第一数量的第二数量的半导体纳米带的GAA晶体管。在一些情况下，(多个)n沟道器件与(多个)p沟道器件相比具有一个额外的半导体纳米带。取决于在制作工艺期间何时去除纳米带，将出现能够在最终器件中检测到的不同结构结果。
栅极环绕半导体器件选择性数量缩减

[发明专利]一种负电容围栅纳米片结构CMOS反相器及其制造方法-CN202310046535.1在审
发明人：姚佳飞;张鑫鹏;刘宇遨;韩雪;郭宇锋;蔡志匡;王子轩;张珺;张茂林 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种负电容围栅纳米片晶体管结构CMOS反相器及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。负电容围栅纳米片结构CMOS反相器包括一个P型负电容围栅纳米片晶体管和一个N型负电容围栅纳米片晶体管。每个负电容围栅纳米片晶体管包括：衬底、有源区和环绕式栅极；有源区包括源漏和多层纳米片结构，纳米片由侧墙和内侧墙共同支撑。环绕式栅极由依次包围覆盖在纳米片外围的氧化层、铁电材料层和金属栅组成，从而产生负电容效应，该铁电材料层具有电压放大功能，可降低器件的亚阈值摆幅到60mV/decade以下。有效改善CMOS反相器的电压转移特性，进一步微缩CMOS反相器特征尺寸，提高器件集成度。
一种电容纳米结构 cmos 反相器及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管及其制备方法-CN202211482707.1在审
发明人：唐建石;安然;李怡均;高滨;钱鹤;吴华强 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括衬底和设置在衬底上的第一半导体层和第一源漏电极层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、第二半导体层和第二源漏电极层；第一源漏电极层包括间隔的第一源极和第一漏极，第一绝缘层包括暴露第一漏极的第一过孔，栅极设置在第一绝缘层的远离衬底的一侧，第二绝缘层包括暴露第一过孔的第二过孔，第二半导体层和第二源漏电极层设置在第二绝缘层的远离衬底的一侧，第二源漏电极层包括间隔的第二源极和第二漏极，第二漏极通过第一过孔和第二过孔与第一漏极电连接；以上结构形成共用栅极的第一晶体管和第二晶体管，且其中的一个为P型晶体管，另一个为N型晶体管，由此形成垂直互补型场效应晶体管。
场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202210920453.0在审
发明人：崔雅朗;尹灿植;韩正勳;吉奎炫;金元洪;白头山 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：发明构思涉及一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括NMOS区域和PMOS区域；第一栅极图案，设置在基底的NMOS区域上；以及第二栅极图案，设置在基底的PMOS区域上。第一栅极图案包括顺序地堆叠在基底上的第一高k层、扩散减轻图案、N型逸出功图案和第一栅电极，第二栅极图案包括顺序地堆叠在基底上的第二高k层和第二栅电极，扩散减轻图案与第一高k层接触，第一栅电极的堆叠结构与第二栅电极的堆叠结构相同，并且第二栅极图案不包括N型逸出功图案。
半导体存储器装置

[发明专利]一种提供增强型过压保护的MOSFET及MOSFET的制造方法-CN202211629998.2在审
发明人：胡光亮;廖艳珍;黄志诚 -专利权人：上海雷卯电子科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种提供增强型过压保护的MOSFET及MOSFET的制造方法，应用于半导体领域；解决的技术问题是半导体器件过压损坏，采用的技术方案是一种提供增强型过压保护的MOSFET，在内部半导体器件的输入端和输出端之间放置了一个保护电路，当施加两个极性的过电压时，该保护电路可以保持有效性；MOSFET的制造使用牺牲栅极结构来形成轻掺杂漏区，添加侧壁间隔物来形成源极和漏极区域，在硅衬底上生成牺牲氧化物，并通过氧化物注入杂质离子以调节阈值电压，然后去除牺牲氧化物并用高质量栅极绝缘膜代替，然后在栅极绝缘膜上方的凹槽中形成金属栅电极，从而形成具有金属栅极的MOSFET器件，本发明保障半导体器件的安全性，大大提高了半导体器件的使用寿命。
一种提供增强保护 mosfet 制造方法

[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法-CN202210592304.6在审
发明人：郑鲁永;金兑谦;郑贤容;李尚和;郑柄济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了半导体装置和制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：位于基底上的逻辑单元和位于逻辑单元上的第一金属层。第一金属层包括第一电力线和第二电力线以及在第一电力线与第二电力线之间的第一布线轨道至第三布线轨道上的第一下线至第三下线。第一布线轨道至第三布线轨道在第一方向上平行延伸。第一下线包括在第一方向上彼此间隔开第一距离的第一线和第二线。第三下线包括在第一方向上间隔开第二距离的第三线和第四线。第一线具有面对第二线的第一端。第三线具有面对第四线的第二端。第一端处的曲率与第二端处的曲率基本上相同。
半导体装置制造方法

[发明专利]包含在分接头的有源区域下方的阱边界的方法及设备-CN201980072311.X有效
发明人： M·史密斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-04 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开设备及方法。一种此设备包含形成于具有第二导电类型的半导体主体内的具有第一导电类型的阱。所述阱在延伸到所述半导体主体中的沟槽的拐角处或其上方形成p‑n结。所述阱的边界具有可基本上在到所述阱的分接头的有源区域的边缘下方的边缘。
包含接头有源区域下方边界方法设备

[发明专利]一种基于超高迁移率场效应晶体管的低功耗CMOS电路-CN202211294670.X在审
发明人：刘欢;玉虓;丑录录;于飞;韩根全;刘艳 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超高迁移率场效应晶体管的低功耗CMOS电路，所述低功耗CMOS电路由超高空穴迁移率场效应晶体管和超高电子迁移率场效应晶体管串联组成；所述超高空穴迁移率场效应晶体管的衬底采用n型高迁移率沟道材料；所述超高电子迁移率场效应晶体管的衬底采用p型高迁移率沟道材料。超高迁移率场效应晶体管由其迁移率调制实现，所述迁移率调制是基于可移动带正电氧空位受电场调控形成的偶极子作用，本发明基于超高电子和空位迁移率的场效应晶体管，极大提升器件性能，减小操作电压，实现低功耗的CMOS电路，这可用于数字电路集成芯片。
一种基于超高迁移率场效应晶体管功耗 cmos 电路

[发明专利]主动元件基板-CN202211471373.8在审
发明人：吴尚霖 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种主动元件基板，包括基板、缓冲层、第一金属氧化物图案、第一栅绝缘结构、第二半导体层、第二栅绝缘结构、第一栅极、第二栅极、第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极。第一金属氧化物图案位于缓冲层上，且包括第一半导体层以及第一阻氧层。第一栅绝缘结构位于第一金属氧化物图案上。第二半导体层位于第一栅绝缘结构上。第一阻氧层至少部分重叠于第二半导体层。第二栅绝缘结构位于第二半导体层以及第一栅绝缘结构上。第一栅极以及第二栅极位于第二栅绝缘结构之上，且分别重叠于第一半导体层以及第二半导体层。
主动元件

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202111033067.1在审
发明人：杨桂芬 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包括第一导电类型阱区，第一导电类型阱区包括：第一器件区，第一器件区内形成有第一有源区，第一有源区形成有第一器件单元，第一器件单元用于提供第一类驱动电流；第二器件区，与第一器件区在第一导电类型阱区的长度方向上相连，第二器件区内形成有第二有源区，第二有源区形成有第二器件单元，第二器件单元用于提供第二类驱动电流，第二类驱动电流的电流值高于第一类驱动电流的电流值；第一器件区与第二器件区的阱区宽度相同。本申请能够有效提高半导体产品性能以及良率。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体器件-CN202210740758.3在审
发明人：朴俊模;朴鍊皓;林旺燮;崔圭峰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括包含第一有源区和第二有源区的衬底、位于第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案、以及与第一有源图案和第二有源图案交叉的栅电极。栅电极可以包括位于第一有源区和第二有源区上的第一电极部分和第二电极部分。第一电极部分可以包括第一金属图案以及位于该第一金属图案上的第二金属图案。第二电极部分可以包括第三金属图案以及位于该第三金属图案上的第四金属图案。第一金属图案可以包括第一线路部以及从该第一线路部延伸的第一竖直部，而第三金属图案可以包括第二线路部以及从该第二线路部延伸的第二竖直部。第一竖直部和第二竖直部可以彼此接触。
半导体器件

[发明专利]纳米带半导体器件上的双金属栅极结构-CN202210876715.8在审
发明人： A·C-H·韦;Y-C·程;D·M·克鲁姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本文提供了在不同器件上方形成具有不同功函数金属的半导体器件的技术。该技术可以用于任何数量的集成电路应用中，并且特别地适用于全环栅(GAA)晶体管。在示例中，邻近半导体器件各自包括不同的功函数以用作每个半导体器件的器件栅极电极。更具体地，第一半导体器件可以是p沟道GAA晶体管，其在晶体管的各个纳米带周围具有第一功函数金属，而第二邻近半导体器件可以是n沟道GAA晶体管，其在晶体管的各个纳米带周围具有第二功函数金属。在第二半导体器件的纳米带周围不存在第一功函数金属的部分，并且在第一半导体器件的纳米带周围不存在第二功函数金属的部分。
纳米半导体器件双金属栅极结构