[发明专利]封装基板、半导体结构及封装基板的制作方法在审

专利信息
申请号: 202110936592.8 申请日: 2021-08-16
公开(公告)号: CN113658920A 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 王海林 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 孙宝海;袁礼君
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 封装 半导体 结构 制作方法
【权利要求书】:

1.一种封装基板,其特征在于,包括:

基板本体;

至少一个排气孔,所述排气孔设置在所述基板本体上,所述排气孔包括第一孔段和至少一个第二孔段,所述第一孔段和所述第二孔段相连通,且所述第一孔段和所述第二孔段沿垂直于所述基板本体方向的正投影至少有部分相重合,所述第一孔段的横截面积大于所述第二孔段的横截面积。

2.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述基板本体包括相对设置的顶部表面和底部表面,所述顶部表面用于与芯片相连接,所述第一孔段的一端位于所述顶部表面,所述第二孔段的一端位于所述底部表面。

3.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述排气孔包括一个所述第一孔段和一个所述第二孔段,所述第一孔段的横截面积为a,所述第二孔段的横截面积为b,其中,0.5a≤b≤0.9a。

4.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述排气孔还包括第三孔段,所述第三孔段位于第一孔段和第二孔段之间,以连通所述第一孔段和所述第二孔段;

其中,所述第三孔段为多个。

5.根据权利要求4所述的封装基板,其特征在于,所述第一孔段的横截面积为a,多个所述第三孔段的横截面积之和为c,其中,0.5a≤c≤0.9a。

6.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述排气孔包括一个所述第一孔段和多个所述第二孔段,所述第一孔段的横截面积为a,多个所述第二孔段的横截面积之和为f,其中,0.5a≤f≤0.9a。

7.根据权利要求6所述的封装基板,其特征在于,多个所述第二孔段中的至少一个的所述第二孔段的横截面积与其他的所述第二孔段的横截面积不相同。

8.根据权利要求7所述的封装基板,其特征在于,沿着封装料注塑方向,多个所述第二孔段中横截面积小的所述第二孔段和横截面积大的所述第二孔段依次设置。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的封装基板,其特征在于,所述基板本体包括:

芯板层;

第一导电层;

第二导电层,所述第一导电层和所述第二导电层分别设置在所述芯板层的相对两侧;

其中,所述芯板层的厚度为d,所述第一孔段占有所述芯板层的深度为e,其中,d/3≤e≤2d/3,或,所述第一孔段贯通所述芯板层。

10.一种半导体结构,其特征在于,包括权利要求1至9中任一项所述的封装基板和芯片。

11.一种封装基板的制作方法,其特征在于,包括:

提供基板本体;

在所述基板本体上形成至少一个排气孔,所述排气孔包括相连通的第一孔段和至少一个第二孔段,且所述第一孔段和所述第二孔段沿垂直于所述基板本体方向的正投影至少有部分相重合;

其中,所述第一孔段的横截面积大于所述第二孔段的横截面积。

12.根据权利要求11所述的封装基板的制作方法,其特征在于,所述基板本体包括芯板层以及形成于所述芯板层相对两侧的第一导电层和第二导电层;

其中,所述第一孔段和所述第二孔段分别贯通所述第一导电层和所述第二导电层。

13.根据权利要求12所述的封装基板的制作方法,其特征在于,形成相连通的第一孔段和第二孔段,包括:

在所述第一导电层上形成第一通孔;

在所述第二导电层上形成第二通孔;

根据所述第一通孔,在所述芯板层上形成第一开口,所述第一通孔和所述第一开口作为所述第一孔段;

根据所述第二通孔,在所述芯板层上形成连通所述第一开口的第二开口,所述第二通孔和所述第二开口作为所述第二孔段;

其中,所述第一孔段和所述第二孔段作为所述排气孔。

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