[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

说明书

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：第一芯片；第二芯片；导热件，位于第一芯片和第二芯片之间；散热片，位于第一芯片和第二芯片上方。该半导体封装装置能够避免半导体封装装置的内部结构出现断裂，有利于提高产品良率。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

背景技术

FOCoS(Fan Out Chip on Substrate，扇出型基板上芯片)封装技术通过在典型球栅阵列基板上使用扇出复合芯片来实现。它可提供的解决方案成本较低，实践中比硅中介层结构具有更好的电气和热性能。

在FOCoS封装装置中，各材料之间存在热膨胀系数(coefficient of thermalexpansion，CTE)不一致(mismatch)的情况。在热循环制程中，各材料会因热膨胀系数不一致而产生不同的膨胀量，进而在结构内部产生应力。上述应力容易使FOCoS封装装置的内部结构出现断裂(crack)。

因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

发明内容

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法。

第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：

第一芯片；

第二芯片，与所述第一芯片相邻设置；

导热件，位于所述第一芯片和所述第二芯片之间；

散热片，位于所述第一芯片和所述第二芯片上方。

在一些可选的实施方式中，所述导热件的下端低于所述第一芯片和所述第二芯片的下表面。

在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括重布线层；

所述第一芯片和所述第二芯片设置在所述重布线层上，所述导热件的下端与所述重布线层的上表面接触。

在一些可选的实施方式中，所述导热件包括第一导热部和位于所述第一导热部上方的第二导热部，所述第一导热部与所述重布线层的上表面直接接触。

在一些可选的实施方式中，所述第二导热部与所述第一导热部直接接触；或者

所述第二导热部与所述第一导热部之间设置有焊料或者热界面材料。

在一些可选的实施方式中，所述导热件与所述散热片直接接触；或者

所述导热件和所述散热片之间设置有热界面材料。

在一些可选的实施方式中，所述导热件和所述散热片一体成型。

在一些可选的实施方式中，所述导热件的宽度自上而下逐渐减小。

在一些可选的实施方式中，所述第一芯片的数目为至少两个，每个所述第一芯片与所述第二芯片之间均设置有所述导热件。

在一些可选的实施方式中，相邻的所述第一芯片之间设置有所述导热件。

在一些可选的实施方式中，所述第一芯片和所述第二芯片之间设置有至少两个所述导热件。

在一些可选的实施方式中，所述导热件的导热系数大于底部填充材或者模塑材的导热系数。

第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：

将第一芯片和第二芯片连接至重布线层；

在所述第一芯片和所述第二芯片之间设置导热件；

在所述第一芯片与所述重布线层之间、所述第二芯片和所述重布线层之间设置底部填充材，以得到所述半导体封装装置。