[发明专利]半导体封装件及其形成方法

说明书

半导体封装件包括第一封装组件，该第一封装组件包括：第一半导体管芯；第一密封剂，位于第一半导体管芯周围；以及第一再分布结构，电连接至第一半导体管芯。半导体封装件还包括接合至第一封装组件的第二封装组件，其中，第二封装组件包括：第二半导体管芯；散热器，位于第一半导体管芯和第二封装组件之间；以及第二密封剂，位于第一封装组件和第二封装组件之间，其中，第二密封剂具有比散热器低的热导率。本申请的实施例还涉及形成半导体封装件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体封装件及其形成方法。

背景技术

由于各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速的增长。在大多数情况下，迭代减小最小部件尺寸可以提高集成密度，从而可以将更多组件集成至给定区域中。随着对缩小电子器件的需求的增长，已经出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。这种封装系统的实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部，以提供高水平的集成度和组件密度。PoP技术通常能够在印刷电路板(PCB)上生产增强功能且小的覆盖区的半导体器件。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种半导体封装件，包括：第一封装组件，包括：第一半导体管芯；第一密封剂，位于所述第一半导体管芯周围；以及第一再分布结构，电连接至所述第一半导体管芯；第二封装组件，接合至所述第一封装组件，其中，所述第二封装组件包括第二半导体管芯；散热器，位于所述第一半导体管芯和所述第二封装组件之间；以及第二密封剂，位于所述第一封装组件和所述第二封装组件之间，其中，所述第二密封剂具有比所述散热器低的热导率。

本申请的另一些实施例提供了一种半导体封装件，包括：第一封装组件，包括：第一半导体管芯，包括第一半导体衬底；第一密封剂，位于所述第一半导体管芯周围；以及第一再分布结构，电连接至所述半导体管芯；第二封装组件，接合至所述第一封装组件，其中，所述第二封装组件包括第二半导体衬底上的第二半导体管芯，并且其中，所述第一半导体衬底通过膜直接附接至所述第二半导体衬底；以及第二密封剂，位于所述第一封装组件和所述第二封装组件之间。

本申请的又一些实施例提供了一种形成所述半导体封装件的方法，包括：形成再分布结构，其中，所述再分布结构包括绝缘层中的第一接触焊盘和第二接触焊盘；在所述第二接触焊盘上形成通孔；将第一管芯接合至所述再分布结构，其中，所述第一管芯的介电层接触所述绝缘层，并且其中，所述第一管芯的第三接触焊盘接触所述第一接触焊盘；将散热器附接至所述第一管芯的与所述再分布结构相对的表面；以及将包括第二管芯的封装组件接合至所述通孔，其中，所述散热器位于所述第一管芯和所述封装组件之间。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的集成电路管芯的截面图。

图2至图13示出了根据一些实施例的在用于形成半导体封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图14A、图14B和图14C示出了根据一些实施例的半导体封装件的截面图。

图15至图19示出了根据一些实施例的在用于形成半导体封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图20示出了根据一些实施例的半导体封装件的截面图。

图21至图29示出了根据一些实施例的在用于形成封装组件的工艺期间的中间步骤和实现器件堆叠件的截面图。

图30示出了根据一些实施例的半导体封装件的截面图。

具体实施方式