[发明专利]半导体封装件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110690696.5 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113658944A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张丰愿;黄博祥;鲁立忠;李志纯;卢以谦;陈又豪;张克正 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体封装件，包括：
第一封装组件，包括：
第一半导体管芯；
第一密封剂，位于所述第一半导体管芯周围；以及
第一再分布结构，电连接至所述第一半导体管芯；
第二封装组件，接合至所述第一封装组件，其中，所述第二封装组件包括第二半导体管芯；
散热器，位于所述第一半导体管芯和所述第二封装组件之间；以及
第二密封剂，位于所述第一封装组件和所述第二封装组件之间，其中，所述第二密封剂具有比所述散热器低的热导率。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述散热器具有至少149W/m*K的热导率。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述散热器接触所述第二封装组件的衬底。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二密封剂在所述散热器的顶面和所述第二封装组件的衬底的底面之间延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述散热器通过膜附接至所述第一半导体管芯的半导体衬底。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述膜包括高k聚合物、铟、锡、热界面材料(TIM)或焊膏。
7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，第二散热器设置在所述第一半导体管芯和所述第二封装组件之间，并且其中，所述第二密封剂位于所述散热器和所述第二散热器之间。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：散热盖，附接至所述第二封装组件的衬底的顶面，其中，所述第一封装组件附接至所述第二封装组件的所述衬底的底面。
9.一种半导体封装件，包括：
第一封装组件，包括：
第一半导体管芯，包括第一半导体衬底；
第一密封剂，位于所述第一半导体管芯周围；以及
第一再分布结构，电连接至所述半导体管芯；
第二封装组件，接合至所述第一封装组件，其中，所述第二封装组件包括第二半导体衬底上的第二半导体管芯，并且其中，所述第一半导体衬底通过膜直接附接至所述第二半导体衬底；以及
第二密封剂，位于所述第一封装组件和所述第二封装组件之间。
10.一种形成所述半导体封装件的方法，包括：
形成再分布结构，其中，所述再分布结构包括绝缘层中的第一接触焊盘和第二接触焊盘；
在所述第二接触焊盘上形成通孔；
将第一管芯接合至所述再分布结构，其中，所述第一管芯的介电层接触所述绝缘层，并且其中，所述第一管芯的第三接触焊盘接触所述第一接触焊盘；
将散热器附接至所述第一管芯的与所述再分布结构相对的表面；以及
将包括第二管芯的封装组件接合至所述通孔，其中，所述散热器位于所述第一管芯和所述封装组件之间。
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