|
钻瓜专利网为您找到相关结果 936个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体模块-CN202311044146.1在审
-
林健二;谷川昂平;福田谅介
-
罗姆股份有限公司
-
2021-09-13
-
2023-10-24
-
H01L25/18
- 半导体模块具备导电基板、多个第一半导体元件以及多个第二半导体元件。上述导电基板包含与上述多个第一半导体元件电接合的第一导电部、以及与上述多个第二半导体元件电接合的第二导电部。上述半导体模块还具备设置在上述第一导电部的附近的第一输入端子、第二输入端子以及第三输入端子。上述第二输入端子以及上述第三输入端子隔着上述第一输入端子而相互隔开间隔。上述第一输入端子与上述第一导电部电连接。上述第一输入端子的极性设定为与上述第二输入端子以及上述第三输入端子各自的极性相反。
- 半导体模块
- [发明专利]叠层布线的功率模块封装结构-CN202211496029.4在审
-
王涛;鲁凯
-
苏州悉智科技有限公司
-
2022-11-25
-
2023-10-20
-
H01L25/18
- 本申请涉及一种叠层布线的功率模块封装结构,包括:绝缘金属基板和设置在其上的上、下开关管部件,上开关管部件包括第一功率芯片组、分别设置在第一功率芯片组上、下方的第一AC铜层和第一DC+铜层;下开关管部件位于上开关管部件的一侧,包括第二功率芯片组、依次设置在第二功率芯片组上方的DC‑铜层、第二DC+铜层及设置在第二功率芯片组下方的第二AC铜层;AC端子连接区,设置在绝缘金属基板上,且位于上开关管部件的另一侧。本申请功率模块的上开关管部件靠近AC端子连接区设置,与现有技术相比,AC线路到出pin的路径更短,回路电阻更小,线路损耗更小,第一功率芯片组的源极引出可以方便连接AC端子,方便AC端子出pin。
- 布线功率模块封装结构
- [实用新型]一种分离式器件-CN202320174221.5有效
-
郑辉;王彬;高宗朋
-
上海鼎阳通半导体科技有限公司
-
2023-02-10
-
2023-10-20
-
H01L25/18
- 本实用新型提供了一种分离式器件,包括外部引脚、基材载片台、连接组件、第一芯片和若干第二芯片,第一芯片设置于基材载片台顶面,第二芯片设置于第一芯片上,第二芯片与第一芯片之间通过连接组件连接,外部引脚设置于基材载片台的侧部,第一芯片和第二芯片通过连接组件连接外部引脚;连接组件包括导电连接片和键合线,导电连接片设置于第一芯片上,且导电连接片连接第一芯片和第二芯片;第一芯片和第二芯片均通过键合线连接外部引脚。本实用新型提供的分离式器件采用多层功率器件和芯片上下组合的结构,解决了分离式器件因基材载片台面积限制导致无法合封更大晶圆芯片面积问题,可以封装更多的芯片,提升了分离式器件的功率密度。
- 一种分离器件
- [发明专利]一种IGBT分压模块及封装方法-CN202310818868.1在审
-
段金炽;廖光朝
-
重庆云潼科技有限公司
-
2023-07-05
-
2023-10-10
-
H01L25/18
- 本发明公开了一种IGBT分压模块及封装方法,涉及IGBT技术领域,解决了现有的IGBT模块不能在保证产品性能的同时减小其封装体积,在使用过程中不利于布线的技术问题。该装置包括DBC板、芯片组件和电极端子,所述芯片组件包括上层芯片组件和下层芯片组件,所述上层芯片组件和下层芯片组件分别置于所述DBC板的不同面;所述电极端子置于所述DBC板的侧边,并与所述芯片组件上的电极连接,用于将所述芯片组件上的电极向外引出。本发明中的芯片通过与DBC板固定连接,采用DBC板双面布芯片型设计,从侧面引出控制极,有利于安装使用过程中的布线,该模块中的芯片紧凑安装,保证产品性能的同时减小其封装体积,减少了电路杂散电感,同时还提升了整个开关的集成度。
- 一种igbt模块封装方法
- [发明专利]半导体装置-CN202210847091.7在审
-
杉山亨
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2022-07-07
-
2023-10-03
-
H01L25/18
- 实施方式提供提高了安全性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备基板、耗尽型的第1晶体管、增强型的第2晶体管、栅极控制电路、栅极端子以及电源端子。所述第1晶体管设置在所述基板上,具有包含第1导电型的氮化物半导体的沟道区域。所述第2晶体管在所述基板上与所述第1晶体管串联连接,经由第2导电型的反型层进行工作,该第2导电型是与所述第1导电型相反的极性。所述栅极控制电路在所述基板上与所述第2晶体管的栅电极连接。所述栅极端子与所述第1晶体管的栅电极电连接。所述电源端子电连接在所述第1晶体管与所述第2晶体管之间,构成为向所述栅极控制电路提供电源电压。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及半导体制造装置-CN202210779203.X在审
-
说田雄二
-
铠侠股份有限公司
-
2022-07-01
-
2023-09-29
-
H01L25/18
- 实施方式提供能够抑制由贴合工艺引起的制造成品率、品质的降低的半导体装置及半导体制造装置。实施方式的半导体装置(1)具备第1器件构成部和与第1器件构成部贴合的第2器件构成部,该第1器件构成部具备设置于大致圆形状的半导体基板(2)的第1金属焊盘(5)、与第1金属焊盘(5)的至少一部分连接的第1电路以及沿着半导体基板(2)的大致圆形的外周设置以使得在俯视下将第1电路包围的第1金属环(16),该第2器件构成部具备与第1金属焊盘(5)接合的第2金属焊盘(8)、与第2金属焊盘(8)的至少一部分连接的第2电路以及与第1金属环(16)接合的第2金属环(17)。被接合了的第1金属环(16)和第2金属环(17)构成周边密封环(18)。
- 半导体装置制造
- [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210271116.3在审
-
马瑞吉;邢溯
-
联华电子股份有限公司
-
2022-03-18
-
2023-09-29
-
H01L25/18
- 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。上述半导体结构包括以下构件。第一基底具有彼此相对的第一面与第二面。异质结双极晶体管器件位于第一基底上,且包括集电极、基极与发射极。第一互连线结构电连接至基极。第一互连线结构位于第一面上且延伸至第二面。第二互连线结构电连接至发射极。第二互连线结构位于第一面上且延伸至第二面。第三互连线结构位于第二面上,且电连接至集电极。金属氧化物半导体晶体管器件位于第二基底上,且包括栅极、第一源极与漏极区与第二源极与漏极区。位于第二基底上的多个互连线结构将基极电连接至第一源极与漏极区且将发射极电连接至栅极。上述半导体结构可具有较佳整体效能。
- 半导体结构及其制造方法
|