[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
申请号: | 202110590480.1 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113540016A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 黄文宏;锺燕雯 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/50 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
本发明的实施例提供了一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括:载板;第一电路层,具有贯穿第一电路层的第一导电件以电连接至载板;第二电路层,与第一电路层位于载板的同一侧上,并且具有贯穿第二电路层的第二导电件以电连接至载板;其中,第一电路层与第二电路层在横向上分离,并且第一电路层通过载板电连接至第二电路层。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,更具体地,涉及一种半导体封装结构及其形成方法。
背景技术
随着封装技术的演进,各式各样的封装结构亦推陈出新,封装结构根据电性与布局的考量越来越重要。
如图1所示,常见的扇出基板(FOSub),是将扇出结构12粘固于基板14上,透过通孔完成扇出结构12与基板14间的连接,该扇出结构12与该基板14面积相近。在一些多管芯(Die)产品上,多个管芯21、22共享一个扇出结构,扇出结构的整体面积比管芯的面积大,但扇出结构制程中Partition(分割)不易管控。故扇出结构的面积与封装结构良率成反比,良率仍有改善空间。
发明内容
针对相关技术中的上述问题,本申请提出一种半导体封装结构及其形成方法。
根据本发明实施例的一个方面,提供了一种半导体封装结构,包括:载板;第一电路层,具有贯穿第一电路层的第一导电件以电连接至载板;第二电路层,与第一电路层位于载板的同一侧上,并且具有贯穿第二电路层的第二导电件以电连接至载板;其中,第一电路层与第二电路层在横向上分离,并且第一电路层通过载板电连接至第二电路层。
在一些实施例中,半导体封装结构还包括粘接层,设置在载板与第一电路层之间。
在一些实施例中,第一导电件贯穿粘接层。
在一些实施例中,半导体封装结构还包括:第一管芯,位于第一电路层上并与第一电路层电连接。
在一些实施例中,半导体封装结构还包括:底部填充物,位于第一管芯与第一电路层之间。
在一些实施例中,半导体封装结构还包括第一管芯,位于第一电路层和第二电路层上。
在一些实施例中,第一电路层通过第一管芯电连接至第二电路层。
根据本发明实施例的另一个方面,提供了一种半导体封装结构,包括:载板;第一电路层,电连接至载板;第二电路层,与第一电路层位于载板的同一侧上且与第一电路层在横向上分离;其中,第一电路层通过电子器件电连接至第二电路层。
在一些实施例中,第一电路层通过载板电连接至第二电路层。
在一些实施例中,第一电路层具有第一导电件,第一导电件贯穿第一电路层。
在一些实施例中,半导体封装结构还包括粘接层,设置在载板与第一电路层之间。
在一些实施例中,第一电路层具有第一导电件,第一导电件贯穿第一电路层和粘接层。
在一些实施例中,半导体封装结构还包括底部填充物,位于电子器件与第一电路层之间。
在一些实施例中,电子器件位于第一电路层和第二电路层上方且横跨第一电路层和第二电路层。
在一些实施例中,半导体封装结构还包括第二电子器件,位于第二电路层上。
根据本发明实施例的又一个方面,提供了一种形成半导体封装结构的方法,包括:提供载板;将第一电路层和第二电路层附接至载板上,第一电路层和第二电路层在横向上分离;分别在第一电路层和第二电路层中分别形成连接到载板的第一导电件和第二导电件。
在一些实施例中,将第一电路层和第二电路层附接至载板上,包括:通过粘接层将第一电路层和第二电路层附接至载板上。
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