[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110590480.1 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113540016A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏;锺燕雯 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
载板；
第一电路层，具有贯穿所述第一电路层的第一导电件以电连接至所述载板；
第二电路层，与所述第一电路层位于所述载板的同一侧上，并且具有贯穿所述第二电路层的第二导电件以电连接至所述载板；
其中，所述第一电路层与所述第二电路层在横向上分离，并且所述第一电路层通过所述载板电连接至所述第二电路层。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
粘接层，设置在所述载板与所述第一电路层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
第一管芯，位于所述第一电路层上并与所述第一电路层电连接。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
第一管芯，位于所述第一电路层和所述第二电路层上。
5.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
载板；
第一电路层，电连接至所述载板；
第二电路层，与所述第一电路层位于所述载板的同一侧上且与所述第一电路层在横向上分离；
其中，所述第一电路层通过电子器件电连接至所述第二电路层。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述第一电路层具有第一导电件，所述第一导电件贯穿所述第一电路层。
7.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
粘接层，设置在所述载板与所述第一电路层之间。
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述第一电路层具有第一导电件，所述第一导电件贯穿所述第一电路层和所述粘接层。
9.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
底部填充物，位于所述电子器件与所述第一电路层之间。
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
第二电子器件，位于所述第二电路层上。
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