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[发明专利]半导体基板、半导体封装结构及形成半导体器件的方法-CN202010872718.5有效
发明人： 黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体基板，该半导体基板包括介电层以及线路层，线路层包括内埋于介电层的第一表面的线路，线路具有通过第一表面暴露的顶侧面、与顶侧面相接的周侧面，其中，周侧面的相对两侧呈凸起，线路在凸起的上下两侧处的宽度均小于在凸起处的宽度。本发明还公开了半导体封装结构及形成半导体器件的方法。本发明至少能够使得线路层具有较佳的表面平整度。
半导体封装结构形成半导体器件方法

[发明专利]无源元件、电子设备和其制造方法-CN201910115072.3有效
发明人：罗培仁;邱建翰;黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本申请提供一种无源元件、电子设备和其制造方法。一种电子设备包括：第一绝缘层和第一导电柱。所述第一绝缘层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且所述第一导电柱包括第一部分和第二部分。所述第一导电柱的所述第一部分被所述第一绝缘层环绕。所述第一导电柱的所述第二部分安置于所述第一绝缘层的所述第一表面上。所述第一导电柱的所述第二部分的高度等于或大于所述导电柱的所述第一部分的高度的10％。
无源元件电子设备制造方法

[发明专利]天线半导体封装装置及其制造方法-CN202010936491.6有效
发明人： 黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01Q21/29 文献下载
摘要：本公开提供了天线半导体封装装置及其制造方法。该封装装置的一具体实施方式包括：第一天线基板，具有第一表面且无通孔；第二天线基板，具有第二表面且无通孔；线路基板，具有第三表面，线路基板和第二天线基板设置于第一表面上，其中，第二表面和第三表面远离第一表面，线路基板的封装材与第一天线基板以及第二天线基板的封装材不同；外部线路层，设置于第二表面和第三表面，电连接线路基板与第二天线基板中的发射用天线；屏蔽层，设置于第一表面与线路基板和第二天线基板之间，屏蔽层与线路基板相对的部分具有开孔。
天线半导体封装装置及其制造方法

[实用新型]一种具有警示功能的图像采集设备-CN202221536964.4有效
发明人：叶方琪;马栋梁;王伟;黄文宏 -专利权人：深圳市城市公共安全技术研究院有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G08B13/196 文献下载
摘要：本实用新型涉及图像采集技术领域，尤其涉及一种具有警示功能的图像采集设备，包括：摄像模块，采集目标区域中目标对象的视频数据；RFID识别模块，采集目标区域中目标对象的RFID标签信号；主控芯片，分别与摄像模块及RFID识别模块通信连接，用于获取视频数据，基于视频数据进行图像识别，并基于识别结果发出第一指令信号；和/或，用于获取RFID标签信号，基于RFID标签信号生成并发出第二指令信号；报警模块，用于获取第一指令信号和/或第二指令信号，并响应于主控芯片发出的第一指令信号和/或第二指令信号，发出警示信息。通过各个模块之间的相互配合，实现对目标区域中的实时监控，以保证目标区域中人员的生存财产安全。
一种具有警示功能图像采集设备

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210939388.6在审
发明人：陈学儒;陈昱璇;吴俊毅;黄文宏;林宗达;陈建豪;洪正隆;游国丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在实施例中，一种器件包括：隔离区，位于衬底上；第一半导体鳍，突出于隔离区上方；第一栅极电介质，位于第一半导体鳍的第一沟道区的，第一栅极电介质包括第一界面层和第一高k介电层；第二半导体鳍，突出于隔离区上方；第二栅极电介质，位于第二半导体鳍的第二沟道区上，第二栅极电介质包括第二界面层和第二高k介电层，第一沟道区上的第一界面层的第一部分具有比第二沟道区上的第二界面层的第二部分大的厚度，第二沟道区具有比第一沟道区大的高度。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体封装结构及其形成方法-CN202011057284.X有效
发明人： 黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体封装结构，包括：内埋式基板；扇出结构，位于内埋式基板上方；第一导电通孔，贯穿整个扇出结构并且与内埋式基板中的第一芯片的第一接合垫连接。本申请的实施例另一方面提供一种形成半导体封装结构的方法。本申请的实施例至少提高了半导体封装结构的良率。
半导体封装结构及其形成方法

[实用新型]集成电路-CN202222095836.7有效
发明人：李致葳;黄文宏;游国丰;陈建豪;陈学儒;陈昱璇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路包含具有第一区和第二区的基底；位于第一区中的第一全绕式栅极装置，第一全绕式栅极装置包含沿第一方向纵向延伸的第一通道构件，以及包覆第一通道构件的通道区的第一栅极结构，第一栅极结构包含第一界面层；以及位于第二区中的第二全绕式栅极装置，第二全绕式栅极装置包含沿第一方向纵向延伸的第二通道构件，以及包覆第二通道构件的通道区的第二栅极结构，第二栅极结构包含第二界面层，第二界面层具有邻近第二通道构件的第一部分和在第一部分上方的第二部分，第一部分的密度小于第二部分的密度。
集成电路

[发明专利]安全启动系统及其方法-CN202110922917.7在审
发明人： 黄文宏 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06F21/57 文献下载
摘要：本申请公开一种安全启动系统及方法，该系统包括微处理器、随机数调整器以及频率调整器。微处理器具有启动器，启动器根据第一频率而于第一启动时间执行启动程序。随机数调整器发送随机数。频率调整器连接于随机数调整器和启动器之间，当启动器欲执行安全程序时，频率调整器根据随机数调整第一频率为第二频率并将其传输至启动器，启动器根据第二频率而于第二启动时间的第二时间点执行安全程序。通过启动时间点的随机调整，避免黑客无法精确地攻击微处理器。
安全启动系统及其方法

[实用新型]插入件及半导体封装结构-CN202220800421.2有效
发明人：石立节;黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请提供了插入件(interposer)及半导体封装结构，该插入件以第二线路结构(基于引线框架形成)为基础，分别在两侧形成第一线路结构(利用Substrate制程得到的)和第三线路结构(利用Fan out制程得到的)，利用上述三种线路结构间的结合中确定出适合的组合，实现电性可靠性高、成本低。进一步地，将插入件中的第一线路结构与基板结合、第三线路结构与电子元件接合，得到本申请提供的半导体封装结构。
插入半导体封装结构

[发明专利]辐射结构-CN202110691657.7在审
发明人： 黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种辐射结构。辐射结构可以包括：第一导电层；第二导电层；阻挡层，设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间。其中，所述阻挡层的厚度在0.3微米至3微米的范围内。
辐射结构

[实用新型]半导体衬底-CN202221050146.3有效
发明人： 黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供了一种半导体衬底，包括：半导体管芯；导热结构，与半导体管芯间隔设置，导热结构具有复数个开孔；介电材料，填充半导体管芯和导热结构之间的间隙。本实用新型的目的在于提供一种半导体衬底，以提高半导体管芯的散热效率。
半导体衬底

[实用新型]半导体封装装置-CN202220981572.2有效
发明人： 黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请提出了一种半导体封装装置，通过使粘合层延伸至高密度线路图案层的侧壁，也就是说，使高密度线路图案层被下压至陷入粘合层内，来使得高密度线路图案层更靠近低密度线路图案层，以此降低通孔的深径比，从而减少电性损失，提高良率，并且，降低了整体厚度，有利于整体结构的薄化。
半导体封装装置

[实用新型]半导体封装装置-CN202220981652.8有效
发明人： 黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种半导体封装装置，通过在低密度线路图案层和高密度线路图案层之间增加一中密度线路图案层，使得，高数据速率的线路可以利用中密度线路图案层来实现，从而较好的满足电性需求，并具有更高的制程良率。
半导体封装装置

[实用新型]半导体封装装置-CN202220950422.5有效
发明人：石立节;黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：第一线路结构，包括引线框架底座；第二线路结构，包括至少一个无核心层基板；所述第一线路结构和所述第二线路结构叠构形成所述半导体封装装置。该半导体封装装置克服了现有的FCBGA多层基板在制作每一层结构时，良率损失(yield loss)叠加的问题，提高了FCBGA产品的良率。
半导体封装装置

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202110259037.6在审
发明人： 黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过将小尺寸的衬底信号走线采纵向方式传递至衬底表面的桥接重布线层，再利用桥接重布线层的细间距(finepitch)特性，将两个小尺寸衬底进行电连接，可以实现包括但不限于以下技术效果：(1)实现了大尺寸衬底既提高了I/O数且维持高良率；(2)改善大尺寸衬底的翘曲程度；(3)将电性连接路径变短，即使在取放小尺寸衬底过程中产生偏移或者角度旋转，也可降低对电性连接的路径影响，以及可减缓电性连接效果的影响；(4)降低产生寄生电容的机率；(5)小尺寸衬底中相同信号的走线可以集中于单一焊垫，进而降低最上层桥接重布线层的布线复杂度。
半导体封装装置及其制造方法

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