[发明专利]半导体封装件及其制备方法

说明书

本公开提供一种半导体封装件及其制备方法。该半导体封装件包括一下半导体层、一上半导体层、一固定结构以及一模塑层。该下半导体层具有一贴合区以及一固定区，该固定区邻近该贴合区设置。该上半导体层配置在该贴合区上。该固定结构邻近该上半导体层配置。该固定结构具有至少一固定孔，该固定孔具有一开口，该开口相对应该固定区设置，且该开口具有一第一宽度。该模塑层覆盖该上半导体层的各侧壁。该模塑层具有至少一固定突出物，该固定突出物延伸进入该固定孔中，该固定突出物具有一第一扩张部，该第一扩张部位在该开口下方，且该第一扩张部具有一第二宽度，该第二宽度大于该第一宽度。

技术领域

本公开主张2019/04/19申请的美国正式申请案第16/389,167号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开涉及一种半导体封装件及其制备方法。特别是涉及一种具有多个半导体层以及一模塑层的半导体封装件及其制备方法。

背景技术

对于许多现代应用，半导体装置是必不可少的。随着电子科技的进步，在提供具有较佳功能性以及较大量的集成电路的同时，半导体装置的尺寸持续地变得越来越小。由于半导体装置规格的微小化，因此提供具有多个半导体层的一传统半导体封装。

所述传统的半导体封装具有一下半导体层(lower semiconductor layer)以及一上半导体层(upper semiconductor layer)，该上半导体层配置在该下半导体层的一贴合区(attached region)上。围绕该上半导体层设置的一模塑层(molding layer)是配置在下半导体层的一固定区(fixturing region)上。

然而，在现今，所述固定区变得越来越小，且所述模塑层可从该下半导体层分离。

上文的“先前技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体封装件。该半导体封装件包括一下半导体层、一上半导体层、一固定结构以及一模塑层。该下半导体层具有一贴合区以及一固定区，该固定区邻近该贴合区设置。该上半导体层配置在该贴合区上。该一固定结构邻近该上半导体层配置，其中该固定结构具有至少一固定孔，该固定孔具有一开口，该开口相对应该固定区设置，且该开口具有一第一宽度。该模塑层覆盖该上半导体层的各侧壁，其中该模塑层具有至少一固定突出物，该固定突出物延伸进入该固定孔中，该固定突出物具有一第一扩张部，该第一扩张部位在该开口下方，且该第一扩张部具有一第二宽度，该第二宽度大于该第一宽度。

依据本公开的一些实施例，该上半导体层为一晶片堆叠(chip stack)，该晶片堆叠具有多个半导体晶片。

依据本公开的一些实施例，该固定结构还具有一氧化层，该氧化层位在该下半导体层的该固定区上，该模塑层配置在该氧化层上。

依据本公开的一些实施例，该至少一固定孔位在该氧化层中。

依据本公开的一些实施例，该至少一固定孔位在该下半导体层中。

依据本公开的一些实施例，该固定突出物从该下半导体层的一顶表面延伸进入到该固定孔中。

依据本公开的一些实施例，该半导体封装件还具有一粘贴层，该粘贴层配置在该下半导体层与该上半导体层之间。

依据本公开的一些实施例，该半导体封装件还具有多个直通硅穿孔(throughsilicon vias，TSVs)，该等直通硅穿孔将位在下半导体层下的多个接触垫电性连接到该上半导体层。

依据本公开的一些实施例，该固定结构围绕该上半导体层设置。