[发明专利]半导体封装件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

一下半导体层，具有一贴合区以及一固定区，该固定区邻近该贴合区设置；

一上半导体层，配置在该贴合区上；

一固定结构，邻近该上半导体层配置，其中该固定结构具有由非等向性蚀刻制程形成的至少一固定孔，该固定孔具有一开口，该开口相对应该固定区设置，且该开口具有一第一宽度；以及

一模塑层，覆盖该上半导体层的各侧壁，其中该模塑层具有至少一固定突出物，该固定突出物延伸进入该固定孔中，该固定突出物具有一第一扩张部，该第一扩张部位在该开口下方，且该第一扩张部具有一第二宽度，该第二宽度大于该第一宽度；

其中该固定结构还具有一氧化层，该氧化层位于该下半导体层的该固定区上，该模塑层配置在该氧化层上；以及

其中该至少一固定孔位于该氧化层内。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该上半导体层为一晶片堆叠，该晶片堆叠具有多个半导体晶片。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，还具有一粘贴层，该粘贴层配置在该下半导体层与该上半导体层之间。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，还具有多个直通硅穿孔，所述直通硅穿孔将位于下半导体层下的多个接触垫电性连接到该上半导体层。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该固定结构围绕该上半导体层设置。

6.如权利要求5所述的半导体封装件，其中该固定结构为一多孔结构，且该固定结构具有多个固定孔，所述固定孔围绕该上半导体层配置。

7.如权利要求6所述的半导体封装件，其中所述固定孔为盲孔。

8.一种半导体封装件的制备方法，包括：

将一上半导体层贴合在一下半导体层的一贴合区上；

在该下半导体层邻近该贴合区的一固定区上，形成一氧化层；

在该氧化层中由非等向性蚀刻制程形成至少一固定孔，其中该固定孔具有一开口以及一第二扩张部，该第二扩张部位于该开口下方，该开口具有一第一宽度，且该第二扩张部具有一第二宽度，该第二宽度大于该开口的该第一宽度；以及

形成一模塑层以覆盖该上半导体层的各侧壁，并填满该至少一固定孔；

其中，该制备方法还包括：

在该氧化层中形成该至少一固定孔之前，在该氧化层上提供一蚀刻遮罩，其中该蚀刻遮罩具有至少一蚀刻穿孔，该至少一蚀刻穿孔分别地相对应该固定孔的该开口设置；以及

在该至少一固定孔形成之后，移除该蚀刻遮罩。

9.如权利要求8所述的制备方法，其中通过湿蚀刻该氧化层以形成该至少一固定孔。

10.如权利要求8所述的制备方法，还包括：

固化该模塑层。

11.如权利要求8所述的制备方法，还包括：

在该上半导体层与该下半导体层之间形成一粘贴层。