[发明专利]一种封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面；

芯片，位于所述重新布线层的第二面，所述芯片与所述重新布线层连接；

金属连接柱，连接于所述重新布线层的第二面并通过所述重新布线层与所述芯片连接，所述金属连接柱的顶端不低于所述芯片的顶面；

电磁隔离结构，形成于所述重新布线层的第二面，所述电磁隔离结构的高度不低于所述金属连接柱的高度；

封装层，所述封装层包覆所述芯片和所述金属连接柱，所述封装层的顶面显露所述金属连接柱和所述电磁隔离结构；

天线金属层，形成于所述封装层的顶面，且所述天线金属层与所述金属连接柱电性连接，所述电磁隔离结构位于所述天线金属层之间，以实现所述天线金属层之间的电磁隔离；

金属凸块，所述金属凸块形成于所述重新布线层的第一面，以实现所述重新布线层的电性引出。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述芯片的电极背向所述重新布线层，所述芯片的电极通过金属线与所述重新布线层连接。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于：所述金属线的材料包括金、铜中的一种。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述重新布线层的两端宽度大于所述芯片的宽度；所述重新布线层包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层，所述介质层的层数包括至少1层，所述金属布线层的层数包括至少1层；所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述芯片包括有源电路、无源电路中的一种或两种组合。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述金属连接柱的材料包括金、银、铜、铝中的一种。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶、环氧树脂中的一种。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述金属凸块包括锡焊料、银焊料、金锡合金焊料中的一种。

9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述电磁隔离结构的材料包括金、银、铜、铝中的一种。

10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述电磁隔离结构包括金属栅栏结构。

11.一种封装方法，其特征在于，包括步骤：

提供一支撑基底，于所述支撑基底的上表面形成分离层；

于所述分离层的上表面形成重新布线层，所述重新布线层包括与所述分离层连接的第一面以及相对的第二面；

于所述重新布线层的第二面上形成芯片，所述芯片与所述重新布线层连接；

于所述重新布线层的第二面上形成金属连接柱及电磁隔离结构，所述金属连接柱通过所述重新布线层与所述芯片连接，所述金属连接柱的顶端不低于所述芯片的顶面，所述电磁隔离结构的高度不低于所述金属连接柱的高度；

采用封装层封装所述芯片，对所述封装层的表面进行平坦化处理，使所述封装层的顶面显露所述金属连接柱和所述电磁隔离结构；

于所述封装层的顶面形成天线金属层，且所述天线金属层与所述金属连接柱进行电性连接，所述电磁隔离结构位于所述天线金属层之间，以实现所述天线金属层之间的电磁隔离；

基于所述分离层剥离所述支撑衬底，以显露所述重新布线层的第一面；

于所述重新布线层的第一面形成金属凸块，以实现所述重新布线层的电性引出。

12.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于：所述芯片的电极背向所述重新布线层，所述芯片的电极通过金属线与所述重新布线层连接。