[发明专利]半导体封装装置及其半导体配线基板有效

专利信息
申请号: 201710445647.9 申请日: 2017-06-14
公开(公告)号: CN109087905B 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 汪名轩;汪鼎豪;邱彦智 申请(专利权)人: 创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 装置 及其 配线基板
【权利要求书】:

1.一种半导体配线基板,其特征在于,包含:

一上接点层;

一下接点层,电连接该上接点层;

一主接地区,位于该上接点层与该下接点层之间;

一第一线路层,位于该上接点层与该下接点层之间,电连接该上接点层与该下接点层,该第一线路层包含多个第一信号线与多个第一接地线,所述多个第一信号线与所述多个第一接地线以一对二的方式彼此交替且间隔地分布于该第一线路层内,每一所述第一接地线的线宽等于每一所述第一信号线的线宽;

一第二线路层,位于该第一线路层的一侧,包含多个第二信号线与多个第二接地线,所述多个第二信号线与所述多个第二接地线以一对二的方式交替且间隔地分布于该第二线路层内,每一所述第二接地线的线宽等于每一所述第二信号线的线宽,其中所述多个第二信号线其中之一至该第一线路层的正投影位于任何二个相邻的所述第一信号线之间,所述多个第一信号线其中之一至该第二线路层的正投影位于任何二个相邻的所述第二信号线之间;

一第一介电层,位于该第一线路层与该第二线路层之间;以及

至少一屏蔽结构,周期性地交替形成于该第一线路层与第二线路层内,且电连接该主接地区、所有所述第一接地线以及所有所述第二接地线,该屏蔽结构包含多个导电穿孔部,每一所述导电穿孔部贯穿该第一介电层,且连接任何相邻的该第一接地线与该第二接地线。

2.根据权利要求1所述的半导体配线基板,其特征在于,任何二个相邻的所述第一信号线之间的间距大于任何相邻的该第一信号线与该第一接地线之间的间距。

3.根据权利要求1所述的半导体配线基板,其特征在于,还包含:

一第三线路层,位于该第二线路层相对该第一线路层的一侧,包含多个第三信号线与多个第三接地线,所述多个第三接地线与所述多个第三信号线交替且间隔地分布于该第三线路层内,

其中所述多个第三信号线其中之一至该第二线路层的正投影位于任何二个相邻的所述第二信号线之间,且所述多个第三信号线其中之一至该第一线路层的正投影与所述多个第一信号线其中之一重叠;以及

一第二介电层,位于该第二线路层与该第三线路层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体配线基板,其特征在于,该屏蔽结构位于任何相邻的该第一信号线与该第二信号线之间。

5.根据权利要求1所述的半导体配线基板,其特征在于,多个该屏蔽结构彼此平行并排于该第一线路层与该第二线路层所组成的一组合层内。

6.一种半导体配线基板,其特征在于,包含:

一主接地区;

一第一线路层,包含多个第一信号线;

一第二线路层,位于该第一线路层的一侧,包含多个第二信号线;

一介电层,位于该第一线路层与该第二线路层之间;以及

多个屏蔽结构,彼此平行并排于该半导体配线基板上,每一所述屏蔽结构呈波浪外状,周期性地交替形成于该第一线路层、该介电层与该第二线路层内,并电连接该主接地区,且位于任何相邻的该第一信号线与该第二信号线之间,用以屏蔽该第一信号线与该第二信号线之间的信号交换,该屏蔽结构包含:

多个第一接地线,与所述多个第一信号线彼此交替地分布于该第一线路层内;

多个第二接地线,与所述多个第二信号线彼此交替地分布于该第二线路层内;以及

多个导电穿孔部,每一所述导电穿孔部贯穿该介电层,且连接任何相邻的该第一接地线与该第二接地线。

7.根据权利要求6所述的半导体配线基板,其特征在于,所述多个第一接地线至少其中一个位于任何二个相邻的所述第一信号线之间;以及

所述多个第二接地线至少其中一个位于任何二个相邻的所述第二信号线之间。

8.根据权利要求6所述的半导体配线基板,其特征在于,所述多个第一信号线与所述多个第一接地线以一对二的交替分布于该第一线路层内,所述多个第二信号线与所述多个第二接地线以一对二的交替分布于该第二线路层内。

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