[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其包括：

半导体组件，其具有作用面与形成于该作用面的多个焊垫；

封装胶体，其具有相对的第一表面与第二表面及邻接该第一表面与该第二表面的侧面，并包覆该半导体组件，且该封装胶体的第一表面外露出该半导体组件的作用面及焊垫；以及

单层的缓冲层，其形成于该封装胶体的第二表面及侧面上以包覆该封装胶体，且该单层的缓冲层为有机聚合物用以防止该封装胶体产生翘曲。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括线路层，形成于该半导体组件的作用面上以电性连接该些焊垫。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，该封装胶体通过网版印刷、压合或模压方式包覆于该半导体组件上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，该单层的缓冲层的热膨胀系数低于该封装胶体的热膨胀系数。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，该单层的缓冲层的杨氏系数低于该封装胶体的杨氏系数。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，该单层的缓冲层为热膨胀系数介于3至20ppm/℃或杨氏系数介于1至1000MPa的该有机聚合物。

7.一种半导体封装件的制法，其包括：

提供一第一承载件与多个半导体组件，该半导体组件具有作用面与形成于该作用面的多个焊垫；

以该作用面将该半导体组件设置于该第一承载件上；

形成封装胶体于该第一承载件上以分别包覆该些半导体组件，并使该些封装胶体之间具有间隙，该封装胶体具有相对的第一表面与第二表面及邻接该第一表面与该第二表面的侧面；

形成单层的缓冲层于该第一承载件上以包覆该些封装胶体及填入该间隙，其中，该单层的缓冲层形成于该封装胶体的第二表面及侧面上以包覆该封装胶体，且该单层的缓冲层为有机聚合物用以防止该封装胶体产生翘曲；以及

移除该第一承载件以外露出该半导体组件的作用面、焊垫、封装胶体及单层的缓冲层。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法，其中，该第一承载件还具有第一载体与形成于该第一载体上的第一剥离层，该半导体组件以该作用面设置于该第一剥离层上，该些封装胶体与该单层的缓冲层依序形成于该第一剥离层上。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，还包括通过该第一剥离层移除该第一承载件的第一载体。

10.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法，还包括提供一具有第二载体与形成该第二载体上的第二剥离层的第二承载件，并于形成该单层的缓冲层后，以该第二剥离层将该第二承载件形成于该单层的缓冲层上。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件的制法，还包括形成线路层于该半导体组件的作用面上以电性连接该些焊垫。

12.根据权利要求10所述的半导体封装件的制法，还包括通过该第二剥离层移除该第二承载件的第二载体。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，还包括进行切单作业以形成多个半导体封装件。

14.根据权利要求13所述的半导体封装件的制法，其中，该切单作业依据该些封装胶体的侧面进行切割以形成该些半导体封装件。

15.根据权利要求13所述的半导体封装件的制法，其中，该切单作业依据该些封装胶体的间隙或周围的单层的缓冲层进行切割以形成该些半导体封装件。

16.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法，其中，该封装胶体通过网版印刷、压合或模压方式包覆于该半导体组件上。

17.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法，其中，该单层的缓冲层的热膨胀系数低于该封装胶体的热膨胀系数。

18.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法，其中，该单层的缓冲层的杨氏系数低于该封装胶体的杨氏系数。

19.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法，其中，该单层的缓冲层为热膨胀系数介于3至20ppm/℃或杨氏系数介于1至1000MPa的该有机聚合物。