[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一半导体封装结构，包含：

一基板单元，具有形成于其上的一电路结构及定义于其上的一芯片迭置区，该电路结构具有多个焊垫及多个测试垫，各该焊垫设置于该芯片迭置区内且与各该测试垫连接；以及

一第一芯片叠层结构，包含多个芯片，各该芯片具有一上表面、与该上表面相对的一下表面以及多个直通硅晶栓塞，这些直通硅晶栓塞设置于这些芯片中以使该上表面与该下表面间相互电性连接，各该直通硅晶栓塞具有自该上表面或该下表面突出的一第一电极，且二相邻芯片的这些直通硅晶栓塞适可分别透过该第一电极电性连接；

其中，该第一芯片叠层结构设置于该基板单元的该芯片迭置区，且至少一部分的这些直通硅晶栓塞电性连接至这些焊垫，且这些测试垫排列设置于该芯片迭置区之外。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一芯片叠层结构是透过打线接合与该基板单元电性连接。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该电路结构更包含多个连接电路以连接这些焊垫与这些测试垫。

4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，这些连接电路由一绝缘保护层覆盖。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，更包含一密封层，该密封层形成于二相邻芯片间及该第一芯片叠层结构与该基板单元间以填补空隙。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，各该直通硅晶栓塞更包含自该芯片的该上表面或该下表面的另一突出的一第二电极，其中二相邻芯片间的这些直通硅晶栓塞是经由这些第一电极与这些第二电极相互接合以电性连接。

7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，该相邻二芯片的这些第一电极及这些第二电极是透过热压接合、热超声波接合、超声波接合及其组合以电性连接。

8.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，这些第一电极与这些第二电极为这些直通硅晶栓塞的一部分。

9.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，这些第一电极与这些第二电极为电镀凸块、无电镀凸块、结线凸块、导电聚合物凸块或金属复合凸块，这些凸块的材料选自下列群组：铜、金、银、铟、镍/金、镍/钯/金、铜/镍/金、铜/金、铝及其组合。

10.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一芯片叠层结构包含一第一芯片、一第二芯片及一第三芯片，且该第二芯片及该第三芯片皆承载于该第一芯片上且分别经由这些直通硅晶栓塞与该第一芯片电性连接。

11.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，更包含：

一绝缘粘着层，形成于该第一芯片叠层结构之上；以及

一第二芯片叠层结构，透过该绝缘粘着层而贴附于该第一芯片叠层结构上，其中该第二芯片叠层结构包含多个芯片，各该芯片具有一上表面、与该上表面相对的一下表面，以及设置于这些芯片中以使该上表面与该下表面间形成电性连接的多个直通硅晶栓塞，各该直通硅晶栓塞具有自该芯片的这些上表面或这些下表面突出的一第一电极，且二相邻芯片的这些直通硅晶栓塞适可分别透过这些第一电极电性连接；

其中，该第一芯片叠层结构与该第二芯片叠层结构是透过该绝缘粘着层而电性绝缘。

12.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二芯片叠层结构是打线接合与该基板单元电性连接。

13.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一芯片叠层结构更包含一间隔件，该间隔件设置于二相邻芯片间。

14.如权利要求13所述的半导体封装结构，更包含多个无源元件，这些无源元件形成于这些芯片至少其中之一或该基板单元上。