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[发明专利]一种用来鉴定评价黄曲霉毒素产毒菌株产毒力的方法-CN201811491692.9有效
发明人：张奇;李培武;白艺珍;李慧;姜俊;张文 -专利权人：中国农业科学院油料作物研究所
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G01N33/577 文献下载
摘要：本发明确定了黄曲霉毒素产量与Nor‑1基因转录量比值具有非常好的相对稳定性，建立了黄曲霉菌株产毒力鉴定模型，即获得了黄曲霉菌产毒力与黄曲霉毒素产量和nor‑1基因转录量比值(AFT/Nor‑1)之间的回归方程，通过确定AFT/Nor‑1比值，可以实现对黄曲霉菌株产毒力的快速、准确的鉴定评价，对黄曲霉毒素污染预警与防控具有重要意义；本发明还建立了黄曲霉毒素产量和nor‑1基因转录量同步检测RT‑PCR方法，基于同步检测RT‑PCR方法获得的AFT/Nor‑1的比值结果可靠、准确，可以作为判定黄曲霉菌株产毒力的鉴定指标。
一种用来鉴定评价黄曲霉毒素菌株毒力方法

[发明专利]一种NOR-FLASH数据存储方法、计算机设备及存储介质-CN201910445526.3有效
发明人：姜勇;汪文俊;谢受浪 -专利权人：牧星机器人（江苏）有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NOR‑FLASH数据存储方法、计算机设备及存储介质，NOR‑FLASH被划分为控制区与用户区，方法包括：根据脏位图从用户区申请空闲的映射扇区写入扇区数据；更新脏位图、回收位图及动态映射表本发明所提出的NOR‑FLASH数据存储方法、计算机设备及存储介质通过设置脏位图、回收位图、动态映射表来规划管理NOR‑FLASH的扇区，使得NOR‑FLASH内的扇区实现有限磨损均匀，可提升NOR‑FLASH
一种 nor flash 数据存储方法计算机设备介质

[发明专利]嵌入式系统中快速处理NORFLASH记录的方法-CN201510678988.1在审
发明人：余章文 -专利权人：深圳市华百安智能技术有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种嵌入式系统中快速处理NOR FLASH记录的方法，该方法包括根据实际需要将整个NOR FLASH划分为多个块，调整并设置块的大小；根据块内记录操作规则对所述块内记录进行设置或操作；快速处理NOR FLASH记录。在嵌入式系统中使用NOR FLASH存储用户记录数据时，本发明能够提高对FLASH进行检索的速度，保证系统的实时性，且不影响FLASH的使用寿命。
嵌入式系统快速处理 norflash 记录方法

[发明专利]一种NOR FLASH的高温应用方法及系统-CN201910433156.1在审
发明人：温靖康 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种NOR FLASH的高温应用方法，包括：在NOR FLASH上电时，自检所述NOR FLASH内的数据，判断所述数据的阈值电压是否满足预定条件；若所述数据的阈值电压满足预定条件，则对所述数据做增强编程本发明通过将满足预定条件的数据的阈值电压进行增强，提高了NOR FLASH的数据保持能力，使其能在较高的温度环境下工作更长时间。
阈值电压预定条件数据保持能力高温应用温度环境上电自检编程

[发明专利]一种NOR闪存器件的测试方法和测试装置-CN201510940931.4有效
发明人：张涛;杨建利;周洋 -专利权人：鸿秦（北京）科技有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供一种NOR闪存器件的测试方法及测试装置，其将NOR闪存器件放置于自动化测试机上，在NOR闪存器件上进行芯片写操作和读操作测试，测试结果通过芯片的一个数据管脚反馈给自动化测试机进行判断。与现有技术相比，本发明在对NOR闪存器件进行测试时压缩了占用自动化测试机台的测试通道数目，提高了同测度，节约了测试成本。
一种 nor 闪存器件测试方法装置

[发明专利]TigerSharc系列DSP启动管理芯片及方法-CN201610183445.7有效
发明人：李震;孙国斌;张小松 -专利权人：中车青岛四方车辆研究所有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：TigerSharc系列DSP启动管理芯片，包括接口单元、双口RAM单元、管理单元及DSP下载管理单元；还包括Flash驱动单元和NOR Flash芯片；管理单元与Flash驱动单元相连；双口RAM单元经Flash驱动单元连接至NOR Flash芯片；NOR Flash芯片经Flash驱动单元与DSP下载管理单元通信。管理芯片提供了NOR Flash芯片和外部总线启动两种启动模式，并改进了Host boot启动方法，可极大的提高TigerSharc系列DSP芯片的启动速度。
tigersharc 系列 dsp 启动管理芯片方法

[发明专利]一种基于NOR FLASH芯片的数据存储实现方法-CN200710120239.2无效
发明人：孙建民 -专利权人：北京佳讯飞鸿电气股份有限公司
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明公开了属于FLASH存储技术领域的一种基于NOR FLASH芯片的数据存储实现方法。该方法是通过建立FLASH块表和内存数据映射表，标记需要写入的FLASH块，定时将修改过的数据写入FLASH。本发明减少了NOR FLASH的擦除、写入操作次数，有效的提高了NOR FLASH芯片保存数据的效率；提高了数据存储的安全性和可靠性，也延长了NOR FLASH芯片的使用寿命。
一种基于 nor flash 芯片数据存储实现方法

[实用新型]一种LPC总线与FLASH芯片连接电路-CN201220194540.4有效
发明人：亢振东;刘炳坤;张凯;宁立革;蔡勇 -专利权人：天津市英贝特航天科技有限公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本实用新型公开一种LPC总线与FLASH芯片连接电路，其特征在于该连接电路包括LPC总线接口、可编程器件和NOR FLASH BIOS芯片接口；所述LPC总线接口与可编程器件连接，可编程器件与NOR FLASH BIOS芯片接口连接；所述LPC总线接口用于与X86系统连接，所述NOR FLASH BIOS芯片接口用于与NOR FLASH BIOS芯片连接；连接电路的工作温度范围为-40～+85℃。
一种 lpc 总线 flash 芯片连接电路

[实用新型]TigerSharc系列DSP启动管理芯片-CN201620246409.6有效
发明人：李震;孙国斌;张小松 -专利权人：中车青岛四方车辆研究所有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：TigerSharc系列DSP启动管理芯片，包括接口单元、双口RAM单元、管理单元及DSP下载管理单元；还包括Flash驱动单元和NOR Flash芯片；管理单元与Flash驱动单元相连；双口RAM单元经Flash驱动单元连接至NOR Flash芯片；NOR Flash芯片经Flash驱动单元与DSP下载管理单元通信。管理芯片提供了NOR Flash芯片和外部总线启动两种启动模式，并改进了Host boot启动方法，可极大的提高TigerSharc系列DSP芯片的启动速度。
tigersharc 系列 dsp 启动管理芯片

[发明专利]基于深度学习和稀疏表示模型的基建表面缺陷检测方法-CN202210272988.1在审
发明人：梅少辉;张易凡;徐梓瑞;马明阳;张顺 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于深度学习和稀疏表示模型的基建表面缺陷检测方法，由以下步骤组成：利用缺陷训练集和正常训练集对卷积神经网络模型进行训练；利用训练后的卷积神经网络模型进行特征提取，并输入到稀疏表示模型中，求解每一张图像关于正常特征字典Dnor和缺陷特征字典的重构误差rnor，将待测图像特征集ftest与正常特征字典Dnor输入到稀疏表示模型中计算得到稀疏系数αnor和重构误差tnor，当tnor＞δnor时，将待测图像特征集ftest与缺陷特征字典Ddef输入到稀疏表示模型中计算得到稀疏系数αdef和重构误差tdef；当tnor
基于深度学习稀疏表示模型基建表面缺陷检测方法

[发明专利]一种控制POWER-PC中CPU启动切换的系统及方法-CN201410165168.8在审
发明人：林旭东 -专利权人：汉柏科技有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制POWER-PC中CPU启动切换的系统及方法，该系统包括：控制单元，用于控制CPU从选定的闪存启动；闪存单元，包括NOR闪存和NAND闪存，NOR闪存和NAND闪存分别存储启动文件；CPU，通过读取闪存单元中存储的启动文件进行启动；本地总线，用于连接控制单元、闪存单元和CPU，控制单元、闪存单元、CPU之间通过本地总线传输数据；CPU默认通过NOR闪存启动，当CPU通过NOR闪存启动不成功时，控制单元控制CPU通过NAND闪存启动，能够自行复位并改由NAND闪存启动，使得CPU在无法通过NOR闪存启动时能够通过其他闪存启动。
一种控制 power pc cpu 启动切换系统方法

[发明专利]一种NOR Flash的版图及制备方法-CN202310196225.8在审
发明人：杨洋;周长见;沈安星;张有志 -专利权人：华南理工大学;粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供一种NOR Flash的版图及制备方法，NOR Flash的版图包括有源区图形、浮栅图形和控制栅图形，浮栅图形与有源区图形垂直相交设置，且在每个相交点上均具有一个所述浮栅图形，浮栅图形位于控制栅图形内，使得采用NOR Flash的版图制备时控制栅将浮栅的上表面和侧壁均覆盖，即控制栅将浮栅的五个表面覆盖，从而增加了两个覆盖表面，使得优化后的NOR Flash的版图可以提高NOR Flash存储单元的耦合系数
一种 nor flash 版图制备方法

[发明专利]一种NOR闪存器件的退火工艺及NOR闪存器件-CN201310010993.6在审
发明人：王辉;黄兆兴 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种NOR闪存器件的退火工艺，该工艺包括在形成阱区的过程中，以变温的方式退火，具体为将温度从950℃降至750℃，且以较慢优选为2.5℃/Min的速度降低温度，并且退火气氛中不含氧气。本发明还公开了一种采用该工艺制作的NOR闪存器件。该发明通过单步工艺优化就能大幅度降低NOR闪存器件的静态工作电流，从而大幅度地降低NOR闪存器件的失效率。
一种 nor 闪存器件退火工艺

[发明专利]提高非易失型闪存擦写寿命方法、装置、存储介质和终端-CN202011197899.2在审
发明人：陈慧;陈纬荣;冯鹏亮 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高非易失型闪存擦写寿命方法、装置、存储介质和终端，在NOR Flash内部建立起一套逻辑地址和物理地址交换的算法，当检测到某个物理地址的擦写/编程过高时，使交换区块与目标区块的物理地址和逻辑地址映射关系互换，以均衡各个区块之间的擦写次数，一定程度上延长了NOR FLASH的寿命；NOR Flash内部建立一套机制可平均化各个区块的擦除/编程次数的流程，无需在NOR FLASH外部额外建立一套复杂的算法流程和额外的存储空间来记录这个地址映射，节省了系统的成本，提高了NOR Flash的擦写次数。
提高非易失型闪存擦写寿命方法装置存储介质终端

[发明专利]一种提升NOR FLASH可靠性的方法-CN202110953010.7在审
发明人：李建波;王延斌 -专利权人：北京中电华大电子设计有限责任公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明提供一种提升NOR FLASH可靠性的方法，应用于芯片安全存储领域。针对NOR FLASH可靠性问题，引入物理状态统计区包含擦除次数统计页和ECC错误统计页，擦除次数影响可靠性，而ECC错误表示发生失效，通过以上信息可以有效地评价NOR FLASH可靠性水平。本发明提出的方法不仅可以评价NOR FLASH可靠性水平，同时提升NOR FLASH可靠性。
一种提升 nor flash 可靠性方法