“nor”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1110个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]NorFlash存储器存储内容保护方法及装置-CN201610895709.1在审
发明人：吴有肇 -专利权人：深圳TCL数字技术有限公司
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Nor Flash存储器存储内容保护方法，包括步骤在开机后，存储器写入数据前，读取状态寄存器的值，并比对读取的值与设定的值；在读取的值与设定的值不同时，写入所述设定的值至状态寄存器，以使存储器的存储阵列处于受保护状态本发明还公开一种Nor Flash存储器存储内容保护装置。本发明使得存储阵列的数据不被异常改写，保证系统正常运行，提高系统的稳定性。
norflash 存储器存储内容保护方法装置

[发明专利]加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备-CN202110728044.6在审
发明人：陈慧;于文贤 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请提供了一种加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备，其技术方案要点是：包括：获取对上一编程地址的编程过程中成功进行编程所需要的编程次数A；根据所述编程次数A，在对本次编程地址的编程过程中的第本申请提供的一种加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备及存储介质具有减少传统编程流程中冗余的编程校验次数、提高编程效率的优点。
加快 nor flash 编程速度方法装置电子设备

[发明专利]用于建立NOR存储器读电压的电荷泵电路和NOR存储器-CN201910717282.X在审
发明人：廖少武;赵前利;沈磊 -专利权人：上海复旦微电子集团股份有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：一种用于建立NOR存储器读电压的电荷泵电路和NOR存储器，电荷泵电路包括：低压降稳压模块，低压降稳压模块包括反馈电路，反馈电路用于维持低压降稳压模块的第一输出电压；升压模块，升压模块耦接低压降稳压模块的输出端
用于建立 nor 存储器电压电荷电路

[发明专利]半导体存储装置及其写入方法-CN202210380863.0在审
发明人：矢野胜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明的非易失性半导体存储器包括存储单元阵列，所述存储单元阵列在基板上形成具有NOR型快闪存储器结构的NOR型阵列与具有电阻变化型存储器结构的电阻变化型阵列。
半导体存储装置及其写入方法

[发明专利]一种聚合型受阻胺及其制备方法和应用-CN202211666669.5在审
发明人：杨东升;陈炜;刘罡;李玉庆;李靖;郭承晓;高勇年 -专利权人：天集化工助剂（沧州）有限公司;北京天罡助剂有限责任公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />本发明的化合物具有高效的防老化性能、分子量高、在高分子材料制品中不易迁出、热稳定性、相容性好等优点；通过选择特定含有NOR胺醚结构的单体聚合反应而得到的NOR胺醚型高分子化合物具备低碱性以及阻燃性等优势。
一种聚合受阻及其制备方法应用

[发明专利]具有双重离子注入的NOR型闪存结构及其制造方法-CN200910004505.4有效
发明人：吴怡德;李永忠;陈宜秀 -专利权人：宜扬科技股份有限公司
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种具有双重离子注入的NOR型闪存结构及其制造方法，该NOR型闪存结构包含：一半导体衬底、一轻掺杂漏极区、一第一源极区、一高掺杂漏极区、一磷掺杂漏极区、二自动对准金属硅化物层及一位障插栓。
具有双重离子注入 nor 闪存结构及其制造方法

[发明专利]一种软件保护的方法和装置-CN201610807999.X有效
发明人：肖冰 -专利权人：新华三技术有限公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G06F21/52 文献下载
摘要：判断当前固件升级包是否具有升级标志，若有升级标志，则检测固件升级包中的签名是否正确；若所述签名不正确，则不升级所述当前固件升级包，并通过中央处理器CPU向复杂可编程逻辑器件CPLD下发指令将非易失闪存Norflash的写保护位设置为高，其中，通过CPU向CPLD下发指令将所述Nor flash的写保护位设置为高的操作不可逆，从而解决了恶意程序对Boot软件攻击的问题。
一种软件保护方法装置

[发明专利]减小非易失性闪存芯片面积的电路及非易失性闪存芯片-CN202011604743.1有效
发明人：龙冬庆;刘梦;吴彤彤;温靖康 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小非易失性闪存芯片面积的电路及非易失性闪存芯片，在不改变灵敏放大器个数的前提下，减少数据编程单元，将128个数据编程单元改为32个数据编程单元，减小灵敏放大器和数据编程单元模块的总面积；对于16Mbit串行NORFlash芯片来说，本技术方案可以减小1.2%～2.5%的芯片面积，如果对于8Mbit串行NOR Flash来说，本技术方案可以减小2%～4%的芯片面积，降低了芯片在晶圆制造端的成本，提升了芯片的成本优势
减小非易失性闪存芯片面积电路

[发明专利]虚拟NOR型闪存-CN03103197.8无效
发明人：崔开平;梅林天 -专利权人：连邦科技股份有限公司
申请日： 2003-02-11 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：一种虚拟NOR型闪存，一静态随机存储器，用以作为高速缓存；一NAND型闪存，用以储存一程序与数据；以及一快取控制电路，通过一NOR型闪存接口与外部系统进行数据传递与沟通，并与该静态随机存储器以及该NAND
虚拟 nor 闪存

[实用新型]NOR 逻辑字线选择-CN201120536679.8有效
发明人： S·高希;D·索马谢卡尔;B·萨利尼瓦森;F·哈姆扎奥卢 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G11C11/4094 文献下载
摘要：公开了用于选择DRAM中的字线驱动器的NOR结构。分别在低、中和高范围解码的地址的补码用于选择最终字线驱动器。
nor 逻辑选择

[发明专利]使用类似SRAM接口的NAND闪存存储器-CN201110237577.0无效
发明人：丁真如 -专利权人：上海摩晶电子科技有限公司
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明用于存储器的设计，提出了一种使用类似SRAM接口的NAND闪存存储器的方案，从而在应用上取代更昂贵的NOR闪存。
使用类似 sram 接口 nand 闪存存储器

[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备-CN202210849985.X在审
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：设置在衬底上的至少一个存储单元层，该至少一个存储单元层包括彼此叠置的第一源/漏层、第一沟道层、第二源/漏层、第二沟道层和第三源/漏层；相对于衬底竖直延伸以穿过该至少一个存储单元层的至少一个栅堆叠
nor 存储器件及其制造方法包括电子设备

[发明专利]Nor闪存结构及其制作方法-CN202011122506.1有效
发明人：操梦雅;金起準;吴涵涵 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供了一种Nor闪存结构及其制作方法。所述Nor闪存结构中，在半导体基底中形成有有源区和沿第一方向和第二方向呈行列排布的隔离区，第一方向上相邻的两个隔离区之间并列设置有两个浮栅，极间介质层覆盖在浮栅的上表面和侧表面以及沿第一方向排列的浮栅之间的半导体基底表面由于控制栅设置在第一贯通孔内，从而制作控制栅不需要专门的光刻工序，简化了工艺流程，有助于节约生产成本，且所述Nor闪存结构仍然可以实现较好的性能。利用所述制作方法可以获得上述闪存结构。
nor 闪存结构及其制作方法

[发明专利]一种基于NOR光电相位混沌置乱的时间延迟隐藏的安全通信系统-CN202011619707.2有效
发明人：李齐良;奚小虎;林郎;胡淼;周雪芳;唐向宏;曾然 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于NOR光电相位混沌置乱的时间延迟隐藏的安全通信系统，包括：发送端，包括依次连接的第一混沌激光器、第一马赫‑曾德尔相位调制器、第一光耦合器、第一光电检测器、第一电放大器、具有NOR运算功能的第一数字信号处理模块、第一数模转换器；第一数模转换器与第一马赫‑曾德尔相位调制器连接；接收端，包括依次连接的第二混沌激光器、第二马赫‑曾德尔相位调制器、第二光耦合器、第二光电检测器、第二电放大器、具有NOR运算功能的第二数字信号处理模块
一种基于 nor 光电相位混沌时间延迟隐藏安全通信系统

[实用新型]一种嵌入式数据处理核心板-CN202021866328.9有效
发明人：黎清厚;曹严生 -专利权人：重庆奇派电子有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本实用新型提供一种嵌入式数据处理核心板，所述核心板包括：数据处理器、随机存储器、NOR_FLASH存储器、JATG连接器、RMII总线接口、以太网PHY模块、EBI接口、电源模块和连接器模块；所述随机存储器与所述数据处理器相连，所述NOR_FLASH存储器与所述数据处理器相连，所述数据处理器用于将所述NOR_FLASH存储器中的程序加载到所述随机存储器中进行运行；所述数据处理器通过所述JATG连接器使用时与外部JATG相连，
一种嵌入式数据处理核心

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top