专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种控制擦除性能的方法以及装置-CN201910357581.7在审
  • 刘言言;许梦;付永庆 - 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
  • 2019-04-29 - 2020-10-30 - G11C16/14
  • 所述方法应用于NOR flash存储器,所述NOR flash存储器包括:温度传感器、时钟频率发生器、擦除操作状态机以及擦除存储单元,所述擦除操作状态机包括:计数器,所述方法包括:所述擦除操作状态机接收擦除操作指令,根据擦除操作指令执行擦除验证操作和擦除加压操作,擦除加压操作包括:接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度,根据工作温度调整单次擦除加压操作的时间,根据调整后的时间完成擦除加压操作。本发明在执行擦除加压操作时,擦除操作状态机根据NOR flash存储器的工作温度,调整单次擦除加压操作的时间,完成擦除加压操作,控制擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期,提高NOR flash存储器的擦除性能
  • 一种控制擦除性能方法以及装置
  • [发明专利]一种控制擦除性能的方法以及装置-CN201910357584.0在审
  • 刘言言;许梦;付永庆 - 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
  • 2019-04-29 - 2020-10-30 - G11C16/14
  • 所述方法应用于NOR flash存储器,所述NOR flash存储器包括:温度传感器、时钟频率发生器、擦除操作状态机以及擦除存储单元,所述擦除操作状态机包括:计数器,所述方法包括:通过擦除操作状态机接收擦除操作指令,根据擦除操作指令执行擦除验证操作和擦除加压操作,擦除加压操作包括:接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度,根据工作温度调整单次擦除加压操作的时间,根据调整后的时间完成擦除加压操作。本发明在执行擦除加压操作时,根据NOR flash存储器的工作温度,调整单次擦除加压操作的时间,完成擦除加压操作,控制擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期,提高NOR flash存储器的擦除性能。
  • 一种控制擦除性能方法以及装置
  • [发明专利]NOR结构闪存及其制备方法-CN201210140898.3有效
  • 孙士祯;方浩;顾勇 - 无锡华润上华半导体有限公司
  • 2012-05-09 - 2013-11-13 - H01L21/8247
  • 本发明提供一种NOR结构闪存及其制备方法,属于闪存技术领域。在该制备方法中,在栅端叠层结构的第二多晶硅层上覆盖形成掩膜介质层,进一步,构图刻蚀部分所述掩膜介质层以暴露相对靠近所述NOR结构闪存的源端一侧的部分所述第二多晶硅层,进一步,以暴露的所述第二多晶硅层自对准形成金属硅化物层因此,制备形成的NOR结构闪存中,未被刻蚀的所述掩膜介质层可以大致地置于所述金属硅化物层和所述NOR结构闪存的漏端接触孔之间。该NOR结构闪存的栅电极与漏电极之间的漏电流小,制备方法过程工艺不复杂、工艺窗口大、副作用效果小、大规模生产可行性高。
  • nor结构闪存及其制备方法
  • [发明专利]一种控制编程性能的方法和装置-CN201910356984.X有效
  • 刘言言;许梦;付永庆 - 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
  • 2019-04-29 - 2022-08-09 - G11C16/10
  • 所述方法应用于NOR flash存储器,所述NOR flash存储器包括:温度传感器、时钟频率发生器、编程操作状态机以及编程存储单元,编程操作状态机包括:计数器,所述方法包括:编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据,根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作,编程加压操作包括:接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度,根据工作温度调整所述时间,根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明在执行编程加压操作时,编程操作状态机根据NOR flash存储器的工作温度,调整单次编程加压操作的时间,完成编程加压操作,控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期,提高NOR flash存储器的编程性能
  • 一种控制编程性能方法装置
  • [发明专利]一种控制编程性能的方法和装置-CN201910356981.6有效
  • 刘言言;许梦;付永庆 - 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
  • 2019-04-29 - 2022-07-05 - G11C16/12
  • 所述方法应用于NOR flash存储器,所述NOR flash存储器包括:温度传感器、时钟频率发生器、编程操作状态机以及编程存储单元,所述编程操作状态机包括:计数器,所述方法包括:所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据,根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作,接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度,根据工作温度调整所述时间,根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明在执行编程加压操作时,编程操作状态机根据NOR flash存储器的工作温度,调整单次编程加压操作的时间,完成编程加压操作,控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期,提高NOR flash存储器的编程性能
  • 一种控制编程性能方法装置
  • [发明专利]一种芯片片外Nor Flash总线接口硬件加密装置-CN201310133412.8无效
  • 宋慰云;林峰;陈挺立;汪孝晃;叶明统 - 福建睿矽微电子科技有限公司
  • 2013-04-17 - 2013-08-21 - G06F21/85
  • 本发明涉及一种芯片片外Nor Flash总线接口硬件加密装置,包括外部总线接口EMI:用于CPU扩展外部存储器;连接外部总线接口EMI与外部Nor Flash存储器的三个通道:数据读取解密通道、数据读取旁路通道和数据写入通道处理器与数据读取解密通道之间,用于明文数据加密,其中,数据读取解密通道包括地址解析单元、地址比对单元、读数控制单元、密文缓冲单元、AES解密引擎、明文缓冲单元和密钥存储单元;本发明使用软硬件结合的方案,实现为片外Nor Flash存储提供数据加密;本发明还支持旁路功能,可以以明文方式把数据写入Nor Flash,并以明文方式读出,提供数据存储的灵活性;本发明实现Nor Flash总线接口加密,具有扩展灵活、设计容易、
  • 一种芯片norflash总线接口硬件加密装置

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