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[发明专利]提高老化3D NOR FLASH芯片擦写速度的方法及系统-CN202310128119.6在审
发明人：程晓敏;邱实;何强;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高老化3D NOR FLASH芯片擦写速度的方法及系统，属于信息存储器领域，方法包括：当待测3D NOR FLASH芯片目标扇区处于正常工作状态时，根据预设程序对目标扇区循环依次进行写入、读取和擦除操作，每隔若干次循环次数，记录目标扇区当前写入和擦除的时长；基于目标扇区当前写入和擦除的时长，若判断待测3D NOR FLASH芯片的工作状态已达到老化阈值，则控制加热时长和温度，对待测3D NOR FLASH芯片进行加热操作，提升待测3D NOR FLASH芯片读写擦速度。
提高老化 nor flash 芯片擦写速度方法系统

[发明专利]烧录方法和终端设备-CN202110963738.8有效
发明人：丁高珂 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G06F8/61 文献下载
摘要：该方法应用于包括NAND闪存和NOR闪存的终端设备，该方法包括：终端设备获取待烧录数据，待烧录数据包括多个数据块和多个数据块的信息；终端设备确定NOR闪存是否为空；在NOR闪存不为空的情况下，终端设备确定多个数据块的信息和NOR闪存中记录的数据块的信息是否相同；在多个数据块的信息和NOR闪存中记录的数据块的信息不相同的情况下，该终端设备将全部或部分待烧录数据写入NAND闪存。
方法终端设备

[发明专利]电压/频率转换电路以及具有该电路的血压测定装置-CN201080009398.5有效
发明人：山崎荣介 -专利权人：欧姆龙健康医疗事业株式会社
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H03K7/06 文献下载
摘要：电阻元件(12)设在节点(NA)和NOR电路(11A)的一个输入节点一侧之间。电容器(14)连接在节点之间(NA、NC)。NOR电路(11A)的输入节点经由电阻元件(12)与节点(NA)和接地电压(GND)相连接。NOR电路(11B)的输入节点与NOR电路(11A)的输出节点和接地电压(GND)相连接。NOR电路(11C)的输入节点与节点(NC)和接地电压(GND)相连接。
电压频率转换电路以及具有血压测定装置

[发明专利]一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置-CN201910356956.8在审
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置。NOR flash存储器包括：数据锁存器、地址锁存器、编程验证单元以及存储单元，所述方法包括：NOR flash存储器接收编程操作指令和待编程数据，将待编程数据输入到数据锁存器，控制编程验证单元对数据锁存器中多个地址中每个地址对应的待编程数据分别执行第一次编程验证操作，并将验证未通过的待编程数据对应的地址锁存到地址锁存器中，读取锁存的验证未通过的待编程数据对应的地址，NOR flash存储器控制编程验证单元对验证未通过的待编程数据执行第二次编程验证操作。本发明只对没有通过编程验证操作的待编程数据执行编程验证操作，由此缩短了NOR flash存储器编程操作的时间，提高NOR flash存储器的编程性能。
一种控制 nor flash 存储器编程验证方法装置

[发明专利]一种计算海运费卸货港在港天数的方法-CN202111111964.X在审
发明人：袁登友;吴宇;杨庚银;郭广领;姚杰;时鹏程;董大勇;李宁;孙树华 -专利权人：巴基斯坦卡西姆港发电有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算海运费卸货港在港天数的方法，涉及海运费计算技术领域，本发明包括获知到卸货港窗口期的时间时，计算存储窗口期的时间段；计算上述的时间断通过计算系统实现；所述计算系统包括；输入判断模块，当接收获知到卸货港窗口期与船长提交NOR时间时，会自动对比判断递交NOR的时间是否早于卸货窗口期，计算对比模块，当上述输入判断模块判断出提交NOR的时间早于卸货港窗口期时，计算对比模块会自动对比卸货港窗口期开始时间，获知船长的提交NOR的时间，利用计算系统来判断递交NOR的时间是否早于卸货窗口期，采用NOR的交付的时间来做为计算基准，可以使算法更加精确，同时针对不同情况的判断也更加精确直观也更加便于使用者辨别。
一种计算海运卸货天数方法

[发明专利]强抗干扰通讯端口电路-CN202211589749.5在审
发明人：史良俊;张洪俞 -专利权人：南京微盟电子有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：其特点是所述触发器件的输出端与倒相器I NV4相连，所述滤波整形器件包括门电路AND2、倒相器I NV5、电阻R2、电容C1、倒相器I NV6、门电路NOR2_1、门电路NOR2_2和门电路NOR2_3，门电路AND2、倒相器I NV5、电阻R2、电容C1、倒相器I NV6、门电路NOR2_1、门电路NOR2_2和门电路NOR2_3构成回路。
抗干扰通讯端口电路

[发明专利]组对结构的NOR闪存及其制作方法-CN202311195869.1在审
发明人：金波 -专利权人：上海领耐半导体技术有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明提供一种组对结构的NOR闪存及其制作方法。所述组对结构的NOR闪存的制作方法包括：提供基底，基底包括隔离结构以及由隔离结构限定出的有源区；在基底中形成多个字线沟槽，每个字线沟槽包括相互贯通的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽嵌设在有源区的基底中，第二沟槽嵌设在隔离结构中如此，组对结构的NOR闪存的字线嵌设在基底中，可以缩小NOR闪存的存储单元的面积，提高NOR闪存的存储密度。所述组对结构的NOR闪存可以利用上述的制作方法制成。
结构 nor 闪存及其制作方法

[发明专利]NOR FLASH中文件的存储和读取方法、装置及存储介质-CN201910035218.3有效
发明人：朱海明 -专利权人：普联技术有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NOR FLASH中文件的存储和读取方法，包括：当需要在NOR FLASH中存储文件时，根据预设的第一BCH循环码对待存储文件的长度信息进行编码，并根据预设的第二BCH循环码对所述待存储文件的内容信息进行编码；根据编码后的文件存储所述待存储文件；当需要在NOR FLASH中读取文件时，根据预设的第三BCH循环码对待读取文件的长度信息进行译码，并根据预设的第四BCH循环码对所述待读取文件的内容信息进行译码；根据译码后的文件获取所述待读取文件相应的，本发明还公开了一种NOR FLASH中文件的存储和读取装置及计算机可读存储介质。采用本发明的技术方案能够解决NOR FLASH的位翻转问题，从而提高NOR FLASH中文件的存储和读取的可靠性。
nor flash 文件存储读取方法装置介质

[发明专利]黄曲霉毒素产量与Nor-1基因转录量的同步检测RT-PCR试剂盒及其检测方法-CN201811494322.0有效
发明人：李培武;李慧;张奇;唐晓倩;白艺珍;张文 -专利权人：中国农业科学院油料作物研究所
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C12Q1/6851 文献下载
摘要：本发明属于生物领域，具体涉及一种黄曲霉毒素产量与Nor‑1基因转录量的同步检测RT‑PCR试剂盒及其检测方法。本发明建立了同步检测黄曲霉菌株产毒量和nor‑1基因转录量的同步RT‑PCR检测方法，利用所述方法检测所得黄曲霉菌株产毒量、nor‑1基因转录量与采用HPLC定量黄曲霉毒素、Nanodrop定量Nor‑1基因转录量的结果存在良好的线性关系，因此，基于同步检测RT‑PCR方法获得的AFT/Nor‑1的比值结果可靠、准确，可以作为判定黄曲霉菌株产毒力高低的鉴定指标，实现了对黄曲霉菌株产毒力的快速、准确的鉴定评价
黄曲霉毒素产量 nor 基因转录同步检测 rt pcr 试剂盒及其方法

[发明专利]内存控制电路及其方法-CN201611114129.0有效
发明人：张雅闵 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：内存控制方法包括：传送第一频率至串行外围接口NOR型闪存；传输一读取指令至该串行外围接口NOR型闪存；等待一读取等待时间，其中该读取等待时间是与该串行外围接口NOR型闪存的规格及该第一频率的周期有关；等待一延迟时间，其中该延迟时间是与一延迟设定值及一第二频率的周期有关，该第一频率不等于该第二频率；接收该串行外围接口NOR型闪存所回传的一读取数据；以及依据该读取数据是否正确调整该延迟时间。本发明提升串行外围接口NOR型闪存的读取操作的稳定度，而且具有电路简单及可弹性调整等优点。
内存控制电路及其方法

[发明专利]nor flash的全片擦除方法、装置、设备及介质-CN202211229126.7有效
发明人：李文菊;黎永健;彭永林;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，具体公开了一种nor flash的全片擦除方法、装置、设备及介质，其中，该nor flash的全片擦除方法包括以下步骤：S1、对待擦除全片区域进行预编程；S2、利用阵列擦除模式对全片区域进行粗擦除操作；S3、基于块擦除模式或扇区擦除模式对全片区域进行精擦除操作；该nor flash的全片擦除方法集合了阵列擦除模式粗擦除效率高以及块擦除模式或扇区擦除模式的精擦除收敛效果好、收敛速度快的优势来对norflash的全片区域进行擦除，从而节省了整个全片区域的擦除所需的时间，并能提高擦除成功率，尤其适用于不同存储区域因使用程度或工艺等原因导致擦除性能差异较大的nor flash。
nor flash 全片擦除方法装置设备介质

[发明专利]片内CRC检查数据完整性方法、装置、存储介质和终端-CN202011193697.0在审
发明人：冯鹏亮;陈纬荣;陈慧 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种片内CRC检查数据完整性方法、装置、存储介质和终端，方法过程如下：接收CRC计算的命令，根据CRC计算的命令读出对应的数据，对读出的数据进行片内CRC计算，得出CRC结果并存储CRC结果；通过在NORFlash内部实现片内CRC计算，无需将NOR Flash内部数据读出到片外，极大地节省了整个NOR Flash数据完整性的检查耗时；而且利用系统内部数据位宽比NOR flash的数据接口位宽长得多，
crc 检查数据完整性方法装置存储介质终端

[发明专利]一种轻量型Nor Flash闪存控制方法和装置-CN201811581672.0有效
发明人：徐毅松;李冠 -专利权人：青岛方寸微电子科技有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种轻量型Nor Flash闪存控制方法和装置，该方法使得使用者无需关心Nor‑Flash操作细节即可方便进行数据存取，有效降低了Nor‑Flash使用复杂度，实现对Nor‑Flash的高效操作
一种轻量型 nor flash 闪存控制方法装置

[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备-CN202110883409.2在审
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：公开了一种NOR型存储器件及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括NOR单元阵列和外围电路。NOR单元阵列可以包括：第一衬底；第一衬底上的存储单元的阵列，每个存储单元包括相对于第一衬底竖直延伸的第一栅堆叠以及围绕第一栅堆叠的外周的有源区；电连接到第一栅堆叠的第一结合焊盘；以及电连接到存储单元的有源区的第二结合焊盘NOR单元阵列和外围电路被设置为使得第一结合焊盘和第二结合焊盘中的至少一些与第三结合焊盘中的至少一些彼此相对。
nor 存储器件及其制造方法包括电子设备

[发明专利]提高NOR FLASH擦写寿命的方法-CN201110088074.1有效
发明人：甘景全;崔志民;张平;贺毅;杨大勇;李利 -专利权人：航天信息股份有限公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高NOR FLASH擦写寿命的方法，通过将4K物理地址映射为1K的逻辑地址，在对同一个逻辑地址进行写操作时，只有在第5次写操作中才涉及到对NOR FLASH的擦除操作，提升了写操作的速度，并将NOR FLASH的擦写操作寿命延长了4倍。
提高 nor flash 擦写寿命方法