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[发明专利]一种NOR FLASH FAT文件系统空闲簇的分配方法-CN201210453150.9有效
发明人：刘宝阳;黄家明 -专利权人：浪潮电子信息产业股份有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供一种NORFLASHFAT文件系统空闲簇的分配方法，通过三次遍历FAT分区表中所有簇信息，第一次遍历空簇，找到空簇直接分配使用，不再进行第二、三次遍历；第二次遍历在第一次遍历失败情况下进行，遍历NOR-FLASH某个擦写块上全部是脏簇的块，首先擦除此块进行垃圾回收，然后分配该擦写块上的第一个簇，此时，此簇为空簇；第三次遍历在前两次遍历均失败情况下进行，遍历NOR-FLASH某个擦写块上脏簇最多的块，回收该块上的脏簇这样可以最大限度的减少擦写NOR-FLASH的次数，延长了NOR-FLASH的使用寿命。
一种 nor flash fat 文件系统空闲分配方法

[发明专利]一种星载多处理器软件在轨编程系统及其设计方法-CN201811494157.9有效
发明人：王凤姣;刘庆波;李雁斌;唐琳;王卓群;邱晓燕 -专利权人：上海无线电设备研究所
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G06F8/61 文献下载
摘要：本发明公开了一种星载多处理器软件在轨编程系统及其设计方法，该系统包含：单片反熔丝型FPGA芯片、多片PROM芯片、单片NOR FLASH芯片、多片处理器芯片；本发明公开的星载多处理器软件在轨编程设计方法将多片处理器芯片的在轨编程软件存储于单片NOR FLASH芯片的不同分区。本发明通过反熔丝型FPGA芯片中存储的管理FPGA软件将地面上注的多个大规模处理器在轨编程软件固化至同一片大容量NOR FLASH芯片中，减少了硬件成本和复杂度，且断电后在轨编程代码不丢失；本发明将每个处理器的原始安全软件存储在各自的PROM中，通过管理FPGA软件控制从PROM加载原始安全程序或从NOR FLASH芯片的某一分区中加载对应处理器的在轨编程程序，操作灵活。
一种星载多处理器软件编程系统及其设计方法

[实用新型]一种NORFlash存储组以及NORFlash存储模块-CN201720367697.5有效
发明人：彭海兵 -专利权人：苏州诺存微电子有限公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种NOR Flash存储组及NOR Flash存储模块，涉及闪存技术领域，其中，NOR Flash存储组包括衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上远离衬底一侧的至少两个存储单元；存储单元包括绝缘层采用上述技术方案，NOR Flash存储组存储密度较高。
一种 norflash 存储以及模块

[发明专利]一种活体指纹识别的安全芯片加密可管理USB闪存盘-CN201711470281.7在审
发明人：许鲲 -专利权人：天津卓扬智联通讯有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： G06F21/32 文献下载
摘要：本发明公开一种活体指纹识别的安全芯片加密可管理USB闪存盘，其特征在于，主板上设有活体指纹传感器、安全芯片、NOR FLASH、存储模块以及USB插头；所述活体指纹传感器、NOR FLASH、存储模块、USB插头都连接所述安全芯片；所述USB插头还连接电源模块，所述电源模块对USB插头所连接的USB HOST的电源进行供电转换,为所述活体指纹传感器、安全芯片、NOR FLASH、存储模块供电。
活体指纹传感器安全芯片存储模块安全芯片加密活体指纹识别可管理连接电源模块供电安装程序电源模块丢失数据分区管理公共使用加密功能加密管理使用功能硬件加密指纹登录内嵌主板电源泄露转换外部管理

[发明专利]Nor flash掉电保护方法及装置-CN201310099627.2在审
发明人：李华生 -专利权人：杭州华三通信技术有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G06F12/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种Nor flash掉电保护方法，包括：在针对Nor flash的类文件配置表FAT文件系统结构中增加写时备份区；进行写操作时，将待写入数据写到从写时备份区选择的备份物理块block上，记录正在写入标记本申请还公开了一种Nor flash掉电保护装置。本申请可实现对flash文件系统的有效保护。
nor flash 掉电保护方法装置

[发明专利]一种加密卡的文件存储方法及安全删除方法-CN201611005940.5在审
发明人：杨硕;王申 -专利权人：航天信息股份有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及闪存领域，提供一种加密卡的文件存储方法，其中所述加密卡包括NOR Flash和NAND Flash，所述存储方法包括将大容量的敏感信息存储在所述NAND Flash中；将辅助性的NAND Flash管理信息存放在所述NOR Flash中，所述辅助性的NAND Flash管理信息包括与存储在所述NAND Flash文件相对应的密钥。本发明在现有加密卡平台上实现安全存储的方法，不需要改动现有加密卡的硬件结构，利用现有加密卡的自有接口即可，充分利用了NAND Flash和NOR Flash的特性，大大降低了NAND Flash擦写的次数
一种加密文件存储方法安全删除

[发明专利]基于NOR Flash存储的位翻转错误检测方法、装置及存储介质-CN202010676168.X在审
发明人：张成双;孙振华;任华峰;王振华;徐云松;沈沉 -专利权人：许继集团有限公司;许继电气股份有限公司;许昌许继软件技术有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于NOR Flash存储的位翻转错误检测方法、装置及存储介质，在引导程序跳到内存执行之前，获取NOR Flash数据存储区存储的引导程序文件，所述引导程序文件中包含引导程序数据及与所述引导程序数据对应的预设循环冗余校验码；基于预设的循环冗余校验码算法，根据获取的引导程序数据生成所述引导程序数据对应的实际循环冗余校验码；比较所述预设循环冗余校验码和实际循环冗余校验码是否一致；若否，则确定NOR Flash数据存储区存储的引导程序发生位翻转错误
基于 nor flash 存储翻转错误检测方法装置介质

[发明专利]一种SSD设备固件升级方法及相关装置-CN202110650001.0在审
发明人：刘国华 -专利权人：山东英信计算机技术有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G06F8/65 文献下载
摘要：本申请公开了一种SSD设备固件升级方法，包括：将接收到的固件数据保存至Nand Flash；当固件数据保存完成时，向主机发送升级完成消息；当发送升级完成消息时，将固件数据从Nand Flash向Nor通过先将接收到的固件数据升级到Nand Flash中，并完成升级操作，在后台将固件数据从Nand Flash向Nor Flash进行同步，也就是说在Nand Flash实现固件升级操作，提高升级效率，使用Nor Flash提高固件数据保存时长和可靠性，提高固件升级的体验。
一种 ssd 设备升级方法相关装置

[发明专利]一种基于查找表的运算方法、装置、介质、及电子设备-CN202210768118.3在审
发明人：呼红阳;张君宇;许晓欣;窦春萌;张义恒;倪茂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F17/15 文献下载
摘要：该方法包括：获取各个卷积权值对应的卷积结果查找表，所述卷积结果查找表记录有至少一个输入数据以及对应的卷积结果；将各个卷积结果查找表部署于norflash单元；将输入信号输入所述nor flash单元，由所述nor flash单元通过至少一条位线输出的卷积结果得到最终卷积结果，所述输入信号包括输入数据以及卷积权值数据。本申请实施例的技术方案可以在一定程度上可以提高nor flash存算一体方法的运算速度以及运算精度，从而降低运算成本，优化用户的使用感受。
一种基于查找运算方法装置介质电子设备

[发明专利]增强NOR型FLASH可靠性的方法-CN201310745626.0有效
发明人：胡洪;洪杰;王林凯;苏如伟;舒清明 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及FLASH技术领域，尤其涉及一种增强NOR型FLASH可靠性的方法；其中所述方法包括：FLASH上电复位过程中，记录FLASH存储阵列中数据为0的存储单元；当所述数据为0存储单元的阈值电压小于预定阈值时本发明技术方案的采用，保证了NOR型FLASH中数据为0存储单元阈值电压的稳定性，进而提高了数据读取的准确性，减少了误读，提升了NOR型FLASH的可靠性。
增强 nor flash 可靠性方法

[发明专利]脉冲合成电路-CN201410258023.2有效
发明人：中西芳德;川口刚;关谷守 -专利权人：安桥株式会社
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H03K5/131 文献下载
摘要：脉冲合成电路具有第一NOR门、第二NOR门、第三NOR门和三个开关。第一开关连接到第一电势，第二开关连接到第二电势，并且第三开关连接到第三电势。
脉冲合成电路

[发明专利]一种控制编程性能的方法和装置-CN201910356983.5有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：编程验证开关、编程操作状态机以及编程存储单元，所述方法包括：所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作本发明在执行编程加压操作时，编程操作状态机连续执行编程加压操作预设次数，跳过对应的编程验证操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。
一种控制编程性能方法装置

[发明专利]三维垂直NOR闪速薄膜晶体管串-CN201980024463.2在审
发明人： E.哈拉里;T.严 -专利权人：日升存储公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种存储器结构，包括：半导体衬底上方形成的多晶硅的有源列，每个有源列包括一个或多个垂直NOR串，其中每一个NOR串具有共享局部源极线和局部位线的薄膜存储晶体管，局部位线由分段全局位线的一段连接到半导体衬底中提供的感测放大器
三维垂直 nor 薄膜晶体管

[发明专利]NOR闪存的制造方法-CN201410138771.7在审
发明人：周俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明揭示了一种NOR闪存的制造方法。在所述半导体衬底上依次沉积隧道氧化层和浮栅；刻蚀所述浮栅、隧道氧化层及半导体衬底形成浅沟槽；在所述浅沟槽中形成衬垫氧化层，并由衬垫氧化层产生鸟嘴效应，使得隧道氧化层边缘的厚度大于等于中间的厚度，从而提高了NOR
nor 闪存制造方法

[发明专利]基于FPGA的NOR Flash抗辐照性能测试系统-CN201510788950.X在审
发明人：任获荣;周朋;樊康旗;陈晓龙;刘毅 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FPGA的NOR Flash抗辐照性能测试系统，用于解决现有测试系统测试效率低及安全性差的技术问题，包括通过千兆以太网连接的上位机和下位机；上位机用于发出操作指令、统计测试结果数据及显示测试工作状态本发明能够单次测量一片或者多片NOR Flash，且上位机远离辐射源，可用于获得辐照环境下NOR Flash发生错误的几率数据。
基于 fpga nor flash 辐照性能测试系统