专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有写掩码的数据校验系统-CN202311031939.X在审
  • 周健 - 沐曦集成电路(上海)有限公司
  • 2023-08-16 - 2023-10-27 - G11C29/42
  • 本发明涉及芯片技术领域,尤其涉及一种具有写掩码的数据校验系统,包括设置在预设芯片中的N个芯片内部存储器{M1,M2,…,Mn,…MN}、存储有计算机程序的存储器和处理器,其中,Mn为预设芯片中的第n个内部存储器;Mn对应的ECC位数为An,ECC校验码的位数为Gn,Mn对应的写掩码位数为Bn,Mn对应的数据写入位宽为Cn,Mn对应的存储位宽为Dn,Cn≥An,Cn≥Bn,#imgabs0#Mn中包括一位校验标识位、Gn位ECC校验码存储位和Cn位写入数据存储位。本发明提高了数据校验的灵活性,减少了芯片面积浪费,提升了芯片性能。
  • 具有掩码数据校验系统
  • [发明专利]用于减少ECC功率消耗的方法及系统-CN202180094768.8在审
  • C·V·A·劳伦特 - 美光科技公司
  • 2021-03-02 - 2023-10-24 - G11C29/42
  • 本公开涉及一种用于操作存储器单元阵列的方法,所述方法包括以下步骤:将用户数据存储在所述存储器阵列的多个存储器单元中;将与所述用户数据相关联的奇偶校验数据存储在所述存储器阵列的若干奇偶校验单元中,所述奇偶校验数据对应于从最小纠错码(ECC)校正能力到最大ECC校正能力的多个可选ECC校正能力中的一者;从所述经存储用户数据及奇偶校验数据计算ECC校验子;基于所述ECC校验子,确定所述数据中的错误数目;及基于所述经确定错误数目,选择所述多个ECC校正能力中的ECC校正能力。本文中还公开相关存储器装置及系统。
  • 用于减少ecc功率消耗方法系统
  • [发明专利]存储器读取验证-CN202310403642.5在审
  • 李炯仲 - 恩智浦有限公司
  • 2023-04-14 - 2023-10-20 - G11C29/42
  • 一种用于验证存储器读取能力的系统包括:存储器装置,所述存储器装置具有编码有验证信息的存储器单元阵列;以及存储器读取控制器,所述存储器读取控制器耦合到所述存储器装置且被配置成执行所存储的过程步骤。所述验证信息包括编码在所述存储器单元阵列的第一行中的第一位值和编码在所述存储器单元阵列的第二行中的第二位值。与所述第一位值中的对应一者在同一位线上的所述第二位值中的每一者具有与所述第一位值中的所述对应一者取反的值。所述所存储的过程步骤包括以下步骤:从所述存储器装置读取所述验证信息;通过与预存储位串比较而确定所述第一位值和所述第二位值是否正确;以及响应于肯定确定,发起正常数据读取操作。
  • 存储器读取验证
  • [发明专利]存储器系统中的动态链路差错保护-CN202310981228.2在审
  • J·徐;A·阿尔蒂耶里;D·T·程;D·V·斯里拉玛吉利 - 高通股份有限公司
  • 2018-06-28 - 2023-10-20 - G11C29/42
  • 本申请涉及存储器系统中的动态链路差错保护。当数据通过两个实体之间(诸如在主机和存储器之间)的链路传递时,可能引入差错。可实现链路差错保护方案以检测和纠正链路上发生的差错,从而增强传输可靠性。然而,由于这些保护方案会增加等待时间和功耗两者,这些益处并非没有代价。在一个或多个方面,提议动态地调整所应用的链路差错保护级别以匹配操作环境中的任何变化。例如,链路差错的可能性与链路速度强相关。如果增加链路速度,则可以应用更高的链路差错保护级别来抵消链路差错的增加。如果降低链路速度,则可以降低保护级别,从而可使等待时间和功耗惩罚最小化。
  • 存储器系统中的动态差错保护
  • [发明专利]半导体存储器的奇偶校验装置及半导体存储器-CN201810362508.4有效
  • 请求不公布姓名 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2018-04-20 - 2023-10-13 - G11C29/42
  • 本发明实施例公开了一种半导体存储器的奇偶校验装置及半导体存储器。奇偶校验装置包括存储控制器,提供第一信号并产生第一奇偶校验位;校验电路,与存储控制器连接以接收第一信号形成的第二信号和第一奇偶校验位;校验电路产生奇偶校验结果;输出控制电路,与存储控制器连接以接收第二信号和与第一信号同步的第一时钟信号,生成输出指令和第二时钟信号;缓存电路,与校验电路和输出控制电路连接并根据输出指令输出奇偶校验结果;输出电路,与缓存电路和输出控制电路连接,接收奇偶校验结果,根据第二时钟信号输出奇偶校验结果,以使奇偶校验结果从输出电路输出的时刻相对于第一信号延迟的时钟周期数为预设值,预设值为大于1的正整数。
  • 半导体存储器奇偶校验装置
  • [发明专利]随机跳列信息表的生成及验证方法-CN202310747016.8在审
  • 马精格 - 四川和芯微电子股份有限公司
  • 2023-06-21 - 2023-10-03 - G11C29/42
  • 本发明公开了一种随机跳列信息表的生成及验证方法,其包括如下步骤:a.获取当前Flash页的字节数及控制器的单次写入长度,并计算获得控制器的写入次数;b.建立从0开始的索引数组,并随机生成跳列表,索引数组对跳列表的各个表格编号;c.根据跳列表中好列和坏列的总长度计算每次控制器写入Flash的第一个位置的列地址;d.根据跳列表的起始位置,依次读取跳列表的数据信息,并根据跳列表的数据信息在Flash中将坏列数据填充为固定代码,将好列数据直接写入Flash中;e.根据跳列表从Flash中读取数据,并与RAM中的好列数据进行对比。本发明的验证方法可真实反映Flash的损坏信息,能够大量提高验证模块的覆盖率,提高验证的完备性,大大减小了芯片的流片时间。
  • 随机信息生成验证方法

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