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[发明专利]提高数据保持能力的方法-CN201310567433.0在审
发明人：柳会雄;刘良 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高数据保持能力的方法，包括：在半导体衬底上依次形成多层金属互连层，在形成第二金属互连层与第三金属互连层之后分别进行退火。本发明通过在形成第二金属互连层与第三金属互连层之后分别进行退火，避免形成覆盖层的过程中引入的氢离子造成半导体器件数据保持能力漂移；同时不会对半导体器件的性能造成影响。
提高数据保持能力方法

[发明专利]提高flash数据保持能力的工艺方法-CN201811281922.9在审
发明人：钟林健;姬峰;王奇伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高flash数据保持能力的工艺方法，其中：在衬底上依次沉积栅极氧化层、氮化硅层、多晶碳层、第一氧化层；刻蚀形成浅沟槽隔离；沉积氧化物并填满浅沟槽；研磨氧化物并停在氮化硅层上；刻蚀去除氮化硅层至露出栅极氧化层本发明将浮栅底部形成的尖角在Y方向上进行圆滑处理，解决了控制栅多晶硅刻蚀后浮栅底部的尖角易产生强电场而导致flash丢失电荷的问题，弥补了现有刻蚀工艺难于得到陡直形貌的缺陷，提高了flash器件的数据保持能力
刻蚀控制栅多晶硅栅极氧化层氮化硅层浅沟槽氧化层氧化物沉积研磨浮栅尖角去除数据保持能力形貌沉积氧化物浮栅多晶硅浅沟槽隔离沉积浮栅刻蚀工艺氧化处理圆滑处理电荷多晶硅隔离层强电场衬底多晶碳层填满

[发明专利]保持跨元数据合并的撤销和重复能力-CN201080020010.1有效
发明人： J·B·拜勒;E·M·桑德兰 -专利权人：微软公司
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G06F17/21 文献下载
摘要：呈现了一种用于在客户端计算机处的撤销操作期间保持元数据的方法。通过在文档的第一部分中执行一个或多个用户动作，在客户端计算机上的文字处理应用上修改文档的第一部分。在修改文档的第一部分时，在客户端计算机处接收到关于文档的第二部分的元数据。元数据被插入文档的第二部分中。在元数据被插入文档的第二部分后，在文字处理应用上执行撤销操作。撤销操作包括以下步骤：从文档的第二部分中移除元数据、撤销文档第一部分中一个或多个用户动作中的最近一次用户动作、以及还原关于文档第二部分的元数据。
保持数据合并撤销重复能力

[发明专利]基于逆高斯过程的切削精度保持能力动态评估方法及装置-CN202111478885.2在审
发明人：卢志远;韩维群;宋海勇;靳世海 -专利权人：北京航星机器制造有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于逆高斯过程的切削精度保持能力动态评估方法及装置。所述方法包括：获取切削加工系统设备的性能退化数据；基于逆高斯过程和所述性能退化数据，建立性能退化模型；基于所述性能退化模型，根据所述性能退化数据与切削加工质量之间的对应关系，构建切削加工系统设备的精度保持能力评估模型；基于最大期望算法、贝叶斯更新算法、及实际性能退化数据，对所述精度保持能力评估模型的模型参数进行实时评估，并获取每一时刻下的切削加工系统设备的精度保持能力。本发明可以实现对切削精度保持能力的估计。
基于逆高斯过程切削精度保持能力动态评估方法装置

[发明专利]自刷新周期测试方法及装置-CN202011063892.1有效
发明人：王鹏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：该自刷新周期测试方法包括：执行预设次数的数据保持能力获取步骤，所述数据保持能力获取步骤包括确定预设刷新时间；发送自刷新进入指令，以控制所述存储器进入自刷新操作；在所述存储器执行所述预设刷新时间的自刷新后，发送自刷新退出指令，以控制所述存储器退出自刷新操作；检测所述存储器当前的所述数据保持能力；获取所述数据保持能力关于对应的所述预设刷新时间的函数的周期；通过所述函数的周期确定所述存储器的自刷新周期。本公开通过数据保持能力的不一致性，可准确测得自刷新周期，以便于进行自刷新功能验证以及不同的产品的分析。
刷新周期测试方法装置

[发明专利]一种验证数据保持能力的系统及方法-CN201610370044.2在审
发明人：代瑞娟;席与凌;李强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种验证数据保持能力的系统及方法，利用了可变电压参数设置接口，实现对同一测试程序中的测试器件施加不同电压的设置，利用等待时间参数设置接口，来实现对等待时间的直接设置，本发明可以实现工作电压的直接转换
一种验证数据保持能力系统方法

[发明专利]提高了数据保持能力的非易失性存储器-CN200680037999.0无效
发明人：罗伯图斯·T·F·范沙耶克;纳德尔·阿基勒;米切尔·斯洛特布姆 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-10-10 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种半导体基板上的非易失性存储器，该非易失性存储器包括半导体基层和可编程存储晶体管，该存储晶体管包括存储堆叠、控制栅、源区和漏区以及在源极和漏极中间的沟道。所述存储堆叠包括第一绝缘层(9)、阻挡层(10)和第二绝缘层(11)。将第一层定位在沟道上，将阻挡层定位在第一绝缘层上，以及将第二绝缘层定位在阻挡层上。接下来，将控制栅布置在存储堆叠上。存储堆叠布置来用于通过使来自沟道的电荷载流子隧穿通过第一绝缘层，来在阻挡层中捕获电荷，所述第一层包括高K材料。与二氧化硅中的电子的势垒高度能量和空穴的势垒高度能量之间的差相比，高K材料具有相对较小的电子和空穴的势垒高度能量之间的差。
提高数据保持能力非易失性存储器

[发明专利]用于编程/擦除非易失性存储器的方法和设备-CN200680032778.4有效
发明人：马丁·L·尼塞;安德鲁·W·哈德尔 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：能被优化以用于数据保持能力或耐擦写能力的非易失性存储器(NVM)被分成部分(40，41)，这些部分被优化用于一个部分(40)或另一个部分(41)的存储特性或可能某些其它存储特性。对于被分配以用于数据保持能力的部分(40)，存储单元(32)被擦除至相对较大的范围。对于被分配以用于高耐擦写能力(41)的部分，存储单元(32)被擦除至相对较小的范围。这可以通过简单地提高(81)参考电流的水平方便地实现，该参考电流被用于确定对于所述高数据保持能力单元(40)是否已经充分擦除了单元。因此较高的耐擦写能力单元(41)将典型地比用于高数据保持能力的存储单元(40)接收更少的擦除脉冲。较高的耐擦写能力的单元(41)的减少的擦除需求导致所述高耐擦写能力单元(41)中总的更快的擦除和更小的压力，在产生高擦除电压的电路(31)上也如此。
用于编程擦除非易失性存储器方法设备

[发明专利]一种评价机动车驾驶员方向控制能力的方法及相关装置-CN202011057494.9在审
发明人：张国雷;马宏;段桂江 -专利权人：易显智能科技有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种评价机动车驾驶员方向控制能力的方法及相关装置，使得可以评价驾驶员及时调整自己驾驶的机动车行驶方向与状态的能力，避免路怒行为或者车祸事故的发生。本申请方法包括：通过传感器采集方向盘的操作数据；通过车载GPS系统采集车辆行驶轨迹数据；通过车载视觉系统采集车道线数据；根据所述车辆行驶轨迹数据和所述车道线数据分析得到驾驶员的车道线保持能力数据；根据所述方向盘的操作数据、所述车辆行驶轨迹数据以及所述车道线保持能力数据分析得出所述驾驶员的方向控制能力的综合评分。
一种评价机动车驾驶员方向控制能力方法相关装置

[发明专利]数字人的运动成长方法、数字人竞赛方法及装置-CN202310912481.2在审
发明人：叶温策 -专利权人：咪咕文化科技有限公司;中国移动通信集团有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06T19/00 文献下载
摘要：本公开涉及数字人的运动成长方法、数字人竞赛方法及装置，其方法包括：获取数字人的基础运动能力指标数据，所述基础运动能力指标数据基于目标用户在目标历史时期内的运动数据生成；在目标时间段内未接收到所述目标用户的运动数据的情况下，获取所述数字人的运动能力衰退值，并基于所述运动能力衰退值降低所述数字人的基础运动能力指标数据；在接收到所述目标用户的新增运动数据的情况下，基于所述新增运动数据更新所述数字人的基础运动能力指标数据。这样通过用户的运动数据形成数字人的自我成长及衰退，通过数字人的自我运动能力的养成和用户自我运动长期保持同步，能够激励用户长期保持运动的习惯。
数字运动成长方法竞赛装置

[发明专利]自动刷新次数测试方法及装置-CN202011521506.9在审
发明人：王鹏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：该自动刷新次数测试方法包括：执行预设刷新次数的自动刷新操作，获取对应的数据保持能力；其中，自动刷新操作包括发送自动刷新指令并等待第一预设时间；改变预设刷新次数，获取对应的数据保持能力；获取数据保持能力关于对应的预设刷新次数的变化曲线
自动刷新次数测试方法装置

[发明专利]非易失存储芯片数据保持能力异常测试方法-CN202210476117.1在审
发明人：邱翊琛 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失存储芯片数据保持能力异常测试方法，利用非易失存储芯片能够断电后存储数据的非易失特性，将主存储区的存储单元的阈值电压初值记录在存储芯片的辅存储区内，对存储芯片加速老化之后测试出主存储区的存储单元的阈值电压残值该非易失存储芯片数据保持能力异常测试方法，既可以有效卡控出数据保持有问题、存在可靠性风险的存储芯片，也能够减少测试中不必要的良率损失。
非易失存储芯片数据保持能力异常测试方法

[发明专利]一种磁盘数据保持能力测试方法及相关装置-CN201910304980.7有效
发明人：王朋 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G11B20/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁盘数据保持能力测试方法、系统、装置及计算机可读存储介质，对第一预设温度范围内的第一测试样本进行不间断测试，是其P/E达到100％，再对该第一测试样本在第二预设温度范围内进行全盘校验写操作得到第一待校验磁盘，通过对常温下放至第一预设时间的第一待校验磁盘进行写校验来确定发生数据丢失的第一失效磁盘数，并以此判断第一测试样本对应的所有待测磁盘的数据保存能力是否合格。可见，在本方案中，对测试样本进行测试之前需要在不同温度进行不同的测试操作，从而使测试样本更接近真实的数据保存期范围内最大消耗状态的磁盘，从而可以对磁盘进行数据保持能力的测试，且测试结果也更加准确。
一种磁盘数据保持能力测试方法相关装置

[发明专利]考虑无线通信网络中的数据流分离能力-CN202080071697.5在审
发明人：保罗·西蒙·霍尔特·莱瑟;托马斯·豪施泰因;拉梅兹·阿斯卡尔;威廉·库斯根;莱塞克·拉施考斯基;马瑟·施米德 -专利权人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H04W24/02 文献下载
摘要：一种配置用于在无线通信网络中进行无线通信的装置包括无线接口布置，所述无线接口布置具有用于分离至少一个数据流的信号保持能力。所述装置被配置用于向接收装置无线发送能力信号，所述能力信号包括指示信号保持能力的能力信息。
考虑无线通信网络中的数据流分离能力

[发明专利]一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法-CN200910055813.X无效
发明人：林殷茵;万海军;周鹏;吕杭炳 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法，属于半导体存储器技术领域。该方法通过在所述电阻随机存储器的电极和金属氧化物存储介质层之间插入介质薄膜层，使电阻随机存储器的数据保持能力大大提高。
一种提高电阻随机存储器数据保持能力方法

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