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[发明专利]一种ETOXNOR型闪存的结构及其制作方法-CN201410128739.0有效
发明人：冯骏;舒清明 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种ETOX NOR型闪存的结构及其制作方法，其中，ETOX NOR型闪存的结构包括P型衬底；位于所述P型衬底中的深N型阱区和P型阱区，其中，所述P型阱区位于所述深N型阱区上；位于所述P型阱区中的第一沟槽本发明在保证存储单元的沟道长度足够长的情况下，可以使浮栅的宽度微缩，从而可以使ETOX NOR型闪存能够微缩至45nm节点以下。
一种 etox nor 闪存结构及其制作方法

[发明专利]场边次位线反或NOR快闪阵列以及其制造工艺方法-CN201210159412.0有效
发明人：王立中 -专利权人：闪矽公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种场边次位线NOR快闪阵列以及其制造工艺方法。本发明场边次位线NOR快闪阵列，是利用和存储器单元的源极/漏极同一类型的杂质，来形成场边次位线。本发明场边次位线NOR快闪阵列具有至少和已知NAND快闪存储器阵列一样高的单元面积密度。同时，本发明依然保留了相对于传统NAND快闪存储器的竞争优势：快速读/写速度以及低操作电压。
场边次位线反 nor 阵列及其制造工艺方法

[发明专利]NOR Flash器件制作方法-CN201110228111.4有效
发明人：陈亚威;简志宏 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种NOR Flash器件制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底上具有第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成第一硬掩膜层；采用干法刻蚀工艺对第一硬掩膜层进行刻蚀形成第一开口，且在对第一硬掩膜层进行刻蚀之前对连接刻蚀腔体的气体管路进行清洗本发明所提供的NOR Flash器件制作方法，可提高NOR Flash器件的良品率。
nor flash 器件制作方法

[发明专利]NOR结构半导体记忆装置-CN02123042.0有效
发明人：陈幸谦;陈俊亮;何信义;洪俊雄;刘和昌 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-06-12 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种具有新颖位线连接组态的NOR结构半导体记忆装置，包含一电性连接至多条位线的半导体记忆单元数组。该多条位线分隔成至少四个位线群组。再者，NOR结构半导体记忆装置的位线排列成其中至少四条相邻的位线分别选自于四个相异的位线群组且耦合至四条相异的主位线。因而，此NOR结构半导体记忆装置因为无漏电流路径形成，所以成功地防止编程扰乱或以高速度正确地判定储存于记忆单元中的数据。
nor 结构半导体记忆装置

[发明专利]NOR闪存及其制造方法-CN201811630391.X有效
发明人：田志;李娟娟;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明公开了一种NOR闪存，NOR闪存的存储区的闪存单元阵列中，各所述有源区呈条形结构并平行排列；同一行的各闪存单元的多晶硅控制栅的多晶硅连接在一起并形成多晶硅行；多晶硅浮栅位于和多晶硅行垂直相交的有源区的顶部并通过第一栅氧化层隔离本发明还公开了一种NOR闪存的制造方法。本发明能在不对栅极结构进行改动的条件下提高编程效率，同时还能减少漏电，提高器件的性能。
nor 闪存及其制造方法

[发明专利]一种电荷泵电路及非易失性存储器-CN202011604742.7有效
发明人：南锺基;王小光;刘梦;吴彤彤 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷泵电路及非易失性存储器，在NOR flash从正常状态到待机状态切换时，先使用负高压电路模块使负电荷泵核心模块的输出电压达到预设值后再启用负低压电路模块，可以有效缩短负电荷泵核心模块的输出电压建立时间，提高芯片性能和用户体验；在NOR flash从正常状态到待机状态切换时，负电荷泵核心模块内的各级电荷泵并联工作，使得负电荷泵核心模块的驱动能力更强，进一步缩短负电荷泵核心模块的输出电压建立时间；负高压电路模块和负低压电路模块共用一个负电荷泵核心模块，这样可以缩小NOR flash的面积，带来芯片面积上的优势；负低压电路模块采用低功耗电路模块，以降低电路在待机状态下的功耗。
一种电荷电路非易失性存储器

[发明专利]一种NOR型存储组、存储装置及制作方法-CN201810297897.7有效
发明人：彭海兵 -专利权人：苏州诺存微电子有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种NOR型存储组、存储装置及制作方法，所述NOR型存储组包括：衬底、形成于所述衬底上的多个存储单元组，每个存储单元组包括两个存储单元，所述每个存储单元包括漏极、源极、电荷存储结构、导电沟道以及侧栅极本发明实施例提供的NOR型存储组可实现较高的存储密度，且可以避免存储单元出现过擦的问题。
一种 nor 存储装置制作方法

[发明专利]一种低碱性受阻胺光稳定剂NOR 371的制备方法-CN202110616252.7有效
发明人：蔡红云;陈瑾琨;李利;韩炎;袁鑫鑫;张超;张周裔乐 -专利权人：宿迁联盛科技股份有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低碱性受阻胺光稳定剂NOR 371的制备方法，步骤如下：第一步是在催化剂的条件下，将原料与过氧化物发生氧化反应，制得中间体一；第二步是将中间体一在水、碱式盐、醇、羧酸存在的条件下电催化反应，制得中间体二；第三步是将中间体二与卤代烷烃在缚酸剂和相转移催化剂的作用下发生亲核取代反应，得到低碱性受阻胺光稳定剂NOR371；本发明首次以电催化的方式合成低碱性受阻胺光稳定剂NOR 371，其制备方法
一种碱性受阻稳定剂 nor 371 制备方法

[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备-CN202110253001.7有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：在衬底上竖直延伸的栅堆叠，栅堆叠包括栅导体层和存储功能层；围绕栅堆叠的外周的有源区，有源区包括第一和第二源/漏区以及它们之间的第一沟道区以及第三和第四源/漏区以及它们之间的第二沟道区
nor 存储器件及其制造方法包括电子设备

[发明专利]一种NOR Flash 存储器的读方法及装置-CN201210157357.1在审
发明人：苏志强;刘会娟 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种NOR Flash存储器的读方法和装置，其中，所述NOR Flash存储器中包括灵敏放大器，所述的方法包括：对读操作选中存储单元的字线加正常读电压，对非选中存储单元的字线加负电压；选通所述选中存储单元对应的位线
一种 nor flash 存储器方法装置

[发明专利]一种Nor Flash仿真与验证系统-CN201911415023.8在审
发明人：孙甜;张新展 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性存储器技术领域，公开了一种Nor Flash仿真与验证系统，包括：仿真结构，用于接收外部发送的不同指令，以仿真Nor Flash；断言检查模块，用于对DUT内部信号翻转的检查，以验证所述仿真结构的仿真结果
一种 nor flash 仿真验证系统

[发明专利]一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质-CN202110736052.5在审
发明人：温靖康;蒋丁;鲍奇兵;王振彪;刘梦 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法：在对NOR FLASH进行擦除操作时，错开对芯片中存储单元进行擦除操作的正高压和负高压的建立时间点和/或释放时间点；该方法包含了两个阶段的操作以降低擦除操作的损伤，两个阶段的操作单独使用或同时使用，均可有效地避免正高压与负高压之间产生过大的压差而损伤MOS器件，从而可有效降低NOR FLASH擦除过程中器件产生的损伤。
一种擦除损伤方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种NOR型半导体存储器件及其制造方法-CN202110616290.2在审
发明人：肖德元 -专利权人：青岛昇瑞光电科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供一种NOR型半导体存储器件及其制造方法，其中，该半导体存储器件包括：位于外围电路上的二维半导体存储结构(Periphery Under Cell,PUC)；位于所述二维半导体存储结构上方的接触层本方案通过将二维半导体存储结构与PUC技术相结合，形成三维或非门半导体存储器件(3D NOR Flash memory)，从而降低PUC电路对芯片空间量的消耗，提高或非门闪存器件的空间使用率，提高存储密度
一种 nor 半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备-CN202111561564.9在审
发明人：齐翔羽;杜怡行;顾林;王虎;张继亮 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种Nor flash控制栅填充工艺、系统及设备，其包括：在闪存器件的ONO DEP后生长CG Dpoly和LPSIN；将PERI区的Dpoly去除；去除后生长一层UpolyD‑Poly工艺进行填充Cell CG,为避免D‑Poly影响PERI LOG的device性能；因此将CG D‑Poly和Gate U‑Poly区分Process,采用3层Poly DEP工艺方式提升Nor
nor flash 控制填充工艺系统设备

[发明专利]一种基于NOR FLASH的数据存储方法-CN201310353845.4有效
发明人：李庚清;王爱民;李国盛 -专利权人：南京新联电子股份有限公司
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： G06F12/16 文献下载
摘要：本发明是一种基于NOR FLASH的数据存储方法，其特征在于，该方法是采用FLASH中存放一级索引，RAM中存放二级索引，存放数据时同时修改一级索引区和数据，并通过算法平衡FLASH每块的编程次数，防止掉电时数据丢失本发明的优点：有效地提高了数据存储的安全性和可靠性，延长了NOR FLASH的整体使用寿命。
一种基于 nor flash 数据存储方法