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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种SOC芯片引导启动方法及系统-CN201610645125.9有效
发明人：庄建伟;罗夏峰;付海旭;王大岁 -专利权人：上海盈方微电子有限公司
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G06F8/654 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOC芯片引导启动方法，根据SPI NOR FLASH与SPI NAND FLASH具有硬件管脚功能相同的特点，提供了一种SOC芯片引导启动方法，能够灵活选择其中一种SPI FLASH来实现本发明扩大可选择的SPI FLASH物料品种，提升设计灵活度、后向兼容性，节省占用SOC芯片Pin脚选择SPI NOR FLASH或者SPI NAND FLASH启动，降低设计成本。
一种 soc 芯片引导启动方法系统

[发明专利]测试电路及具有该测试电路的显示装置-CN200510136381.7有效
发明人：野泽亮 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本发明的测试电路具有多个移位寄存器，多个门闩电路，多个第一NOR电路，多个第二NOR电路，多个第一NAND电路，多个第二NAND电路，以及多个反相器。
测试电路具有显示装置

[发明专利]离线关键词识别系统分区升级方法-CN201911360566.4有效
发明人：丁家旺;黄海;陈静 -专利权人：声耕智能科技（西安）研究院有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F8/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种离线关键词识别系统分区升级方法，通过将NOR FLASH划分为BootLoader代码区、分区表存储区、应用程序区、前端算法区、关键词模型区、播报文件区、数据备份区的设计，解决了传统固件升级小部分程序时需要擦除整个NOR FLASH和升级失败不可恢复的问题；达到了减短系统升级时间，升级异常可恢复，提高统升级可靠性的目的。
离线关键词识别系统分区升级方法

[发明专利]NOR型半导体存储结构的制作方法-CN200910173424.7无效
发明人：李永忠 -专利权人：宜扬科技股份有限公司
申请日： 2009-09-16 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明是揭露一种NOR型半导体存储结构的制作方法，于进行一深掺杂源极离子注入工艺及一浅掺杂漏极离子注入工艺之后，在一栅极结构两侧先分别形成一氧化层壁，再进行注入角度经过控制的口袋形离子注入工艺，最后进行一深掺杂漏极离子注入工艺本发明是通过改变口袋形注入区位置来改良NOR型半导体存储结构的特性。
nor 半导体存储结构制作方法

[发明专利]Nor Flash中多晶硅栅的制造方法、器件和存储介质-CN202211470342.0在审
发明人：衣云鸽;焦佳晖;王虎;郭霞文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种Nor Flash中多晶硅栅的制造方法，包括以下步骤：S1，执行多晶硅栅沉积前的前置步骤；S2，多晶硅栅沉积，所述步骤S2中，控制多晶硅的沉积厚度直接至多晶硅栅的目标厚度；S3，执行多晶硅栅沉积后的后置步骤与现有技术相比本发明的技术方案既能够改善Nor Flash器件制造过程中多晶硅耗尽现象提高器件性能，又能够简化制造工艺。
nor flash 多晶制造方法器件存储介质

[发明专利]NOR型混合多位非易失性存储器件及其操作方法-CN200610067856.6有效
发明人：金元柱;朴允童 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-03-13 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及NOR型混合多位非易失性存储(NVM)器件及其操作方法。该NOR型混合多位NVM器件包括排列成多个行和列的矩阵的单位单元。每个单位单元包括第一存储单元和第二存储单元，两者共享源极和漏极。
nor 混合非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]NOR Flash Cell区域控制栅回刻方法、存储介质和控制模块-CN202110466875.0有效
发明人：申红杰;郭霞文;顾林 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种NOR Flash Cell区域控制栅回刻方法，包括：控制栅多晶硅沉积；光刻定义cell区域，打开cell区域，去除cell区域光刻胶，保留外围区域光刻胶；刻蚀去除部分多晶硅，降低cell本发明通过改善CGEB PH工艺来改变cell区和外围电路交界处的形貌，改善在线硅残留缺陷，能提高55nm NOR产品的可靠性。
nor flash cell 区域控制栅回刻方法存储介质模块

[发明专利]存储方法及设备-CN201910277286.0有效
发明人：陈宏涛;赵瑞峰;徐再鹏;林涛;王涛;彭林熹;徐鑫 -专利权人：武汉海阔科技有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请提供的存储方法及设备，该存储设备包括NAND Flash和NOR Flash，该NAND Flash被配置成数据存储区，该NOR Flash被配置成存储文件系统的文件存储区。
存储方法设备

[发明专利]SSD系统日志数据的存储方法及装置、介质、设备-CN202210711673.2有效
发明人：周成亮;薛红军;陈远全 -专利权人：北京得瑞领新科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：包括：接收SSD系统日志数据的存储请求；判断NAND非易失存储介质是否处于可用状态；若是，则将所述SSD系统日志数据同时存储于所述NAND非易失存储介质以及NOR非易失存储介质中；若否，则将所述SSD系统日志数据存储于所述NOR非易失存储介质中。
ssd 系统日志数据存储方法装置介质设备

[发明专利]锁存时钟生成电路及串并行变换电路-CN200510099252.5无效
发明人：村田勉;日置耕作 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-07 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：锁存信号生成电路(22)具备：EXNOR元件(24)、NOR元件(26)及D－FF(28)，EXNOR元件(24)及NOR元件(26)根据控制信号Xn－1和反馈信号Xn－1的组合，控制锁存信号LCKn的电平
时钟生成电路并行变换

[实用新型]NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置-CN200920019142.7无效
发明人：李伟 -专利权人：浪潮电子信息产业股份有限公司
申请日： 2009-02-10 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种NANDFLASH坏块的检测及其烧写装置，属于烧写技术领域，其结构包括CPU、SDRAM、LED显示和NOR FLASH，SDRAM、LED显示和NOR FLASH均接在CPU上，CPU
nandflash 检测及其装置

[发明专利]一种以行缓冲区实现实时方块解码的OSD架构-CN201710704631.5在审
发明人：王宇光;黄文艺;许培凯;吴维亚 -专利权人：合肥合芯微电子科技有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H04N19/176 文献下载
摘要：一种以行缓冲区实现实时方块解码的OSD架构，其特征在于，包括4Bit Serial Nor Flash、方块编码图像解码模块、OSD显示模块和LCD输出模块，利用4Bit Serial Nor Flash图像中的像素译码后输出格式为RGB888；方块编码图像解码模块利用行缓冲区实时解出图像内特定像素点；OSD显示模块能在显示区域任意位置显示任一大小的图像；LCD输出模块输出的像素数据来自储存于4Bit Serial Nor
一种缓冲区实现实时方块解码 osd 架构

[发明专利]一种NOR型存储组、存储装置及制作方法-CN202111319526.2在审
发明人：彭海兵 -专利权人：苏州诺存微电子有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种NOR型存储组、存储装置及制作方法，所述NOR型存储组包括：衬底、形成于所述衬底上的多个存储单元组，每个存储单元组包括两个存储单元，所述每个存储单元包括漏极、源极、电荷存储结构、导电沟道以及侧栅极本发明实施例提供的NOR型存储组可实现较高的存储密度，且可以避免存储单元出现过擦的问题。
一种 nor 存储装置制作方法

[发明专利]闪存集中控制方法、装置、控制芯片及存储介质-CN202210701892.2在审
发明人：黄欢 -专利权人：南京扬贺扬微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：若存在有与外部操作码一致的标准操作码，则在标准库中查找与标准操作码对应的操作指令，并将操作指令发送至数字逻辑单元；数字逻辑单元在接收到操作指令时，根据身份信息将操作信息对应发送至NAND Flash或NOR本申请具有的技术效果是：同一块SPI芯片可以同时具有NAND和NOR功能，使得客户使用的控制芯片可以不再区分NOR与NAND的产品。
闪存集中控制方法装置控制芯片存储介质

[发明专利]NOR闪存存储器的刷新方法及装置-CN202310800165.6在审
发明人：孙天宇 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明所涉及的NOR闪存存储器的刷新方法中用于在闪存单元的刷新中产生新的页地址，所述NOR闪存存储器中的闪存单元分为多个阵列，每个阵列包含多个块，每个块包含多个字线，每个字线包含多个页，所述刷新包括：从闪存单元的阵列的起始页地址开始通过验证和扫描来判定是否存在需要刷新的闪存单元的第一步骤；依次产生新的页地址，对于新产生的每个页地址重复所述第一步骤的步骤；以及对于在所述第一步骤中判定为需要进行刷新的闪存单元，利用刷新程序进行刷新的第二步骤，所述NOR
nor 闪存存储器刷新方法装置

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